王民生
- 作品数：7 被引量：14H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部“985工程”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管
- 本发明公开了属于新型半导体器件和纳米电子器件领域的一种基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管。采用应变SiGe层做空穴量子阱，用Si做空穴势垒，形成空穴的双势垒单量子阱结构。用高掺杂P型Si作衬底，在此树底上采用化学气...
- 陈培毅熊晨荣邓宁王燕王民生
- 文献传递
- 基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管
- 用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,J<,p>(峰值电流)=1.589kA/cm<'2>,对应的低温(77K)脉冲测试数据为P...
- 熊晨荣王民生黄文韬陈培毅王燕罗广礼
- 关键词：势垒峰谷电流比共振隧穿二极管
- 文献传递
- Si基Ge量子点光电探测器的研究被引量：8
- 2006年
- 采用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了多层的自组织Ge量子点,用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温(10 K)PL谱测试表明,由于量子点的三维限制作用,跟体材料的Ge相比,Ge量子点的NP峰表现出87 meV的蓝移。在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器。室温下,测得其在1.31μm和1.55μm的响应度分别为0.043mA/W和0.001 4 mA/W,覆盖了体Si探测器所不能达到的响应范围。
- 魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅
- 关键词：UHV/CVD量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度
- 以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究被引量：2
- 2006年
- 设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.
- 魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅刘理天张璟
- 关键词：增透膜气态源分子束外延量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度
- 硅基锗量子点近红外探测器的研究和改进
- 随着集成电路的工作速度和集成密度的不断提高,电子器件的尺寸不断缩小,传统微电子器件已逐渐接近其物理极限。工作在量子力学原理下的新一代电子器件——纳电子器件,已经越来越受到人们的关注。其中硅基锗量子点器件因其制备工艺与成熟...
- 王民生
- 关键词：量子点红外探测器响应度吸收率增透膜
- 文献传递
- 基于SiGe／Si的空穴型共振隧穿二极管被引量：4
- 2003年
- 用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管，常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1．13，Jp(峰值电流)=1．589kA／cm^2，对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1．24，Jp=1．086kA／cm^2，两种情况下，较低的PVCR可归结为Ge2Si1-x／Si异质结构本身的能级特性和热效应。
- 熊晨荣王民生黄文韬陈培毅王燕罗广礼
- 关键词：共振隧道二极管SIGE/SI势垒峰谷电流比
- 基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管
- 本发明公开了属于新型半导体器件和纳米电子器件领域的一种基于Si/SiGe的空穴型共振隧穿二极管。采用应变SiGe层做空穴量子阱，用Si做空穴势垒，形成空穴的双势垒单量子阱结构。用高掺杂P型Si作衬底，在此衬底上采用化学气...
- 陈培毅熊晨荣邓宁王燕王民生
- 文献传递
