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潘钟

作品数：29 被引量：61H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 4篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 25篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 11篇激光
  • 11篇激光器
  • 7篇面发射
  • 7篇面发射激光器
  • 7篇发射激光器
  • 6篇腔面
  • 6篇垂直腔
  • 6篇垂直腔面
  • 6篇垂直腔面发射
  • 6篇垂直腔面发射...
  • 5篇光电
  • 5篇半导体
  • 5篇GAAS
  • 4篇量子
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇砷化镓
  • 3篇量子阱激光器
  • 3篇光电子
  • 3篇发光

机构

  • 28篇中国科学院
  • 2篇北京邮电大学
  • 2篇香港科技大学
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 29篇潘钟
  • 18篇吴荣汉
  • 11篇林耀望
  • 10篇李联合
  • 7篇黄永箴
  • 6篇牛智川
  • 5篇周增圻
  • 4篇黄永清
  • 4篇任晓敏
  • 4篇陈弘达
  • 3篇倪海桥
  • 3篇徐应强
  • 3篇杜云
  • 3篇张伟
  • 3篇孙宝权
  • 3篇王启明
  • 2篇李桂荣
  • 2篇王海
  • 2篇杨富华
  • 2篇徐仲英

传媒

  • 8篇Journa...
  • 3篇高技术通讯
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  • 1篇光电子．激光
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇中国激光
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  • 1篇展望21世纪...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 5篇2002
  • 8篇2001
  • 2篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1991
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
亚毫安室温连续工作InGaAs垂直腔面发射激光器被引量：5
1995年
报道了ＩｎＧａＡｓ应变量子讲垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的室温连续工作。在ＭＢＥ生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡，实现了原位厚度监测；采用阶梯型分布布拉格反射器（ＤＢＲ）及腐蚀倒台面结构，降低了器件串联电阻。对于２×３μｍ２的台面结构ＶＣＳＥＬ，室温连续工作阈值电流一般为１．５ｍＡ，最低达到０．７ｍＡ，阈值电压为２．５伏，输出功率达到０．５ｍＷ，激射波长为０．９４ｕｍ，量子效率为１２％。
吴荣汉周增圻林耀望潘钟黄永箴李朝勇牛智川王圩
关键词：垂直腔面发射激光器应变量子阱
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究被引量：1
2001年
用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6～ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)
罗向东徐仲英潘钟李联合林耀望葛维琨
关键词：光荧光谱光跃迁单量子阱GAAS发光性质
GaAs／GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器被引量：4
1994年
通过对增益波导型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究，实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达１０ｍＡ，输出光功率不低于０．３ｍｗ，有的可达０．７ｍｗ以上，器件单横模、单纵模工作，线宽小于４人。
林世鸣吴荣汉黄永箴潘钟高洪海王启明段海龙高文智罗丽萍王立轩
关键词：垂直腔面发射激光器分子束外延
GaAsGa基长波长(In)NAs材料系的分子束外延生长
潘钟李联合王海张伟林耀望周增圻
关键词：GAAS基长波长分子束外延生长
一种具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析及模拟被引量：9
2002年
提出了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型 (RCE)光电探测器结构 ,模拟得到了量子效率从峰值下降 0 5dB的线宽 1 8nm ,10dB的线宽 5 6nm ,2 0dB的线宽 10 4nm ,量子效率峰值99 7%,几乎没有凹陷的响应曲线。
钟源潘钟李联合黄永清任晓敏
关键词：谐振腔光电探测器
MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
1996年
在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义．我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析，理论与实验得到了较好的吻合．
周增圻潘钟林耀望吴荣汉王圩
关键词：MBE生长面发射激光器激光器
垂直腔面发射激光器的研究进展及其应用被引量：2
2001年
垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有常规半导体激光器不可比拟的优点:其光束是园形的,易于实现与光纤的高效耦合;VCSEL的有源区尺寸可做得非常小,以获得高封装密度和低阈值电流;适宜的设计可将激光二极管制成简单的单片集成二维列阵,以实现二维光数据处理所用的激光源;芯片生长后无须解理、封装即可进行在片实验。由于VCSEL的优良性能,从而获得了国内外科技界、企业界的高度关注。本文对这种器件的性能、开发现状及应用作简要的概述。
王莉陈弘达潘钟黄永箴吴荣汉
关键词：垂直腔面发射激光器VCSEL单片集成封装密度阈值电流激光二极管
AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响被引量：18
1999年
结合垂直腔面发射激光器的制备 ,详细研究了 Al As选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和 Al As薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响 ,给出了合理的定性解释 ,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件 .在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的 In Ga As垂直腔面发射激光器 .
张益潘钟杜云黄永箴吴荣汉
关键词：砷化铝氧化速率
GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态被引量：2
1991年
采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(SEED).报道了这种器件在对称工作(S-SEED)和非对称工作时的光学双稳态特性.
吴荣汉段海龙王启明曾一平孔梅影潘钟张权生林世鸣
关键词：半导体材料光电效应
低维铟镓砷锑结构调控及其光子器件
牛智川潘钟游建强徐仲英赵建华
铟镓砷锑半导体是信息光子器件研究领域的核心体系。随着高速大容量、量子信息技术的迅速发展，开发利用更宽频谱的信息功能、探索实用化量子信息光子器件成为重大方向。该项目基于低维铟镓砷锑结构的载流子量子束缚机理，围绕衬底与外延结...
关键词：
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