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桂文明

作品数:10 被引量:37H指数:4
供职机构:兰州大学物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 4篇AFM
  • 3篇电子能
  • 3篇电子能谱
  • 3篇原子力显微镜
  • 3篇光电子能谱
  • 3篇XPS
  • 3篇X射线
  • 3篇ITO
  • 2篇电致发光
  • 2篇有机电致发光
  • 2篇光电
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇发光效率
  • 2篇OLED
  • 2篇XPS研究
  • 2篇X射线光电子...
  • 1篇电参数
  • 1篇电极

机构

  • 10篇兰州大学
  • 7篇北京机械工业...

作者

  • 10篇张福甲
  • 10篇桂文明
  • 9篇欧谷平
  • 7篇宋珍
  • 2篇金世超
  • 1篇齐丙丽
  • 1篇徐勇
  • 1篇陈金伙
  • 1篇李东仓
  • 1篇王方聪
  • 1篇戴志平

传媒

  • 2篇科学技术与工...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇光电工程
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇光子技术

年份

  • 3篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CuPc作蓝色OLED的缓冲层对器件性能影响的研究被引量:4
2005年
本文对以LiBq4作为发光层,PVK:TPD作为空穴输运层,结构为:ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的蓝色有机电致发光器件,在相同工艺条件下引入和不引入CuPc缓冲层,进行了实验研究。结果表明:由于CuPc缓冲层的引入,使蓝色OLED的电流随电压的增大较未加CuPc的OLED相对缓慢;且启亮电压上升,发光亮度和效率下降。这主要是因为CuPc加入后,空穴注入势垒降低,使PVK:TPD/LiBq4界面空穴积累数量增大,产生的反向漂移电场阻碍了空穴多数载流子的注入;并进而致使发光层注入空穴数量减小,内建电场加强,激子形成几率变小,解离几率增大。
欧谷平宋珍桂文明张福甲
关键词:电流-电压特性发光效率OLED
Analysis of PTCDA/ITO Surface and Interface Using X-ray Photoelectron Spectroscopy and Atomic Force Microscopy
2006年
The electronic states of the surface and interface of 3,4, 9, 10-perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA)/indium-tin-oxide (ITO) thin film are investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). A- tomic force microscopy (AFM) is also applied to investigate the pattern of PTCDA/ITO film. XPS results show that there are two main peaks,which are associated with C atoms in the perylene rings and acid anhydride groups, located at 284.6 and 288.7eV, respectively,in the Cls spectrum of the original surface. It can be deduced from the emergence of a small peak at 290.4eV in the Cls spectrum that some C atoms are oxidized by O atoms from ITO. The binding energies of O atoms in C-O bonds and C--O---C bonds are 531.5 and 533.4eV respectively. At the interface,the peak at the high binding energy in the Cls spectrum disappears,and the peak value shifts about 0.2eV to lower binding energy, There is a significant 1.5eV chemical shift to lower binding energy in the Ols spectrum. These observations indicate that perylene rings inside PTCDA molecules are combined with In vacancies in the ITO at the interface. The AFM results show that PTCDA molecules formed an island-like structure a height of about 14nm. The sizes of the crystal grains are about 100--300nm. The island-like pattern comes from the delocalized π bonds of adjacent molecules in PTCDA and the combination of vacancies in ITO with perylene rings at the PTCDA/ITO interface.
欧谷平宋珍桂文明张福甲
关键词:AFMXPSPTCDA
原子力显微镜与x射线光电子能谱对LiBq_4/ITO和LiBq_4/CuPc/ITO的表面分析被引量:2
2005年
利用原子力显微镜对8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)/铟锡氧化物和8-羟基喹啉硼化锂/酞菁铜(CuPc)/铟锡氧化物表面分别进行了扫描,显示了LiBq4在不同衬底上的形貌差异,并进一步利用样品表面的x射线光电子能谱图验证了这一差异.实验表明,CuPc层的加入改善了LiBq4的成膜质量,并将这种改善归因于分子构型与电子亲和势的不同.
欧谷平宋珍桂文明张福甲
关键词:原子力显微镜X射线光电子能谱
PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析被引量:6
2006年
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。
欧谷平宋珍桂文明张福甲
OLEDs中CuPc缓冲层作用的AFM与XPS研究被引量:2
2006年
利用AFM对CuPc/ITO样品表面进行扫描,发现其生长较均匀,基本上覆盖了ITO表面的缺陷,且针孔较少。通过样品表面和界面的XPS谱图分析,进一步证实了这一结果,同时发现,CuPc可以抑制ITO中的化学组分向空穴传输层的扩散。有利于器件的性能的改善和寿命的提高。
欧谷平宋珍桂文明齐丙丽王方聪张福甲
有机电致发光器件的电极研究被引量:2
2005年
介绍了有机电致发光器件的电极研究进展,着重分析了电极性能的改进机制。对于阳极,为了利干空穴的注入和可见光透射,一般应选择功函数较高的透明导电材料。由于铟锡氧化物(ITO)是目前使用最为广泛的阳极材料,所以着重探讨了对ITO膜各种处理方法的改进机理,认为虽然氧空位浓度、C污染、Sn浓度都对ITO的表面功函数有影响,但C污染是主要因素;一种较好的处理方法是既能有效清除C污染,同时又尽可能使ITO膜的电阻率降低,所以中度氧等离子体处理是一种较为理想的途径。对于阴极,为了利于电子的注入,应选择功函数较低且化学性质较为稳定的材料;层状阴极可以较好地实现这一目的,并分别从隧穿效应、界面能带弯曲及减少淬灭中心等方面解释了金属/绝缘层双层阴极的改进机理,认为这三个方面共同起了作用,但主次不一。
欧谷平宋珍陈金伙桂文明张福甲
关键词:有机电致发光器件阴极阳极隧道效应
新型PTCDA/p-Si光电探测器被引量:13
2005年
研制成功的PTCDA/p-Si新型光电探测器与型号为PHD714的PIN光电二极管的电参数进行了测试对比.结果表明,两者的光谱响应范围均为450~1 100 nm,峰值波长为930 nm,对光的响应速度均小于10-9 s;在1 000 Lx及1.5 V电压作用下,前者的光电流普遍大于100 μA,后者光电流小于100 μA,前者经高温(120 ℃)48 h及低温(-80 ℃)12 h 2次循环实验后测得其电参数稳定.表明,这种新型有机/无机光电探测器具有更优良的光敏性及可靠性.
张福甲李东仓桂文明戴志平
关键词:光电探测器电参数
掺杂对OLED发光效率的影响被引量:6
2004年
概述了掺杂发光的种类、掺杂发光提高OLED发光效率的机制。
欧谷平桂文明金世超张福甲
关键词:掺杂OLED发光效率磷光三重态有机电致发光二极管
LiBq_4/ITO和LiBq_4/CuPc/ITO表面的AFM与XPS分析被引量:2
2004年
用 AFM 对蓝色 OLED 的空穴传输层 LiBq4/ITO 和 LiBq4/CuPc/ITO 表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在 ITO 上成膜较差,在 CuPc 上成膜较好。说明加入 CuPc 能有效改善 LiBq4的成膜质量。XPS 对样品表面 In3d 和 Sn3d 的电子状态分析也证实 ITO 表面沉积 LiBq4膜存在裂缝,加入 CuPc 可抑制裂缝出现。分析指出,CuPc 由于 Cu(II)离子半满的 dx2-y2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大π键,使 LiBq4的沉积状态改善。
欧谷平宋珍桂文明徐勇张福甲
关键词:发光材料
用AFM和XPS研究LiBq_4/ITO的表面和界面
2005年
用原子力显微镜(AFM)研究了LiBq4/ITO样品表面形貌,结果表明LiBq4层中存在很多裂缝和空隙。用X射线光电子谱(XPS)研究样品表面和界面的电子状态,发现C1s谱在高结合能端出现氧化特征的肩峰,表明真空蒸发沉积的LiBq4分子存在明显的氧化现象;对B1s谱的分析发现,界面处B原子的相对值远低于理论值,说明界面处存在B原子离解,导致了LiBq4分子的更高氧化态;从C1s谱发现,表面污染C的比例很高,而界面处大为下降,原因是表面吸附了气体,从而证实了LiBq4表面存在大量空隙和裂缝。定量研究发现,界面处存在N原子与In、Sn原子的相互作用,这将影响LiBq4的发光颜色。
欧谷平桂文明金世超张福甲
关键词:原子力显微镜X射线光电子谱
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