公共文化服务平台

共 3 条记录，以下是 1-3

全选清除导出

排序方式：

ZnO薄膜的制备及性质的研究: 该文采用了射频反应磁控溅射方法,并选择Si和载波片两种不同衬底,在不同的氧气分压下制备了ZnO薄膜,利用多种分析手段对薄膜的晶体结构、表面形貌、薄膜成分和能带结构等基本性质进行了研究.其结果为:在氧气分压较高时薄膜的结晶...; 杨如森; 关键词：射频反应磁控溅射 ZNO薄膜; 文献传递

等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜被引量：8: 2002年; 利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．; 王新强杨树人王金忠李献杰殷景志姜秀英杜国同杨如森高春晓Ong H.C.; 关键词：等离子体增强 MOCVD法 ZNO薄膜原子力显微镜半导体薄膜

全选清除导出

共1页<1>

杨如森