李用兵
- 作品数：13 被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- GaAs场效应晶体管不同极性ESD损伤机理被引量：1
- 2015年
- 对Ga As场效应晶体管(FET)进行3个正向和3个负向脉冲(3"+"3"-")、3个负脉冲(3"-")、3个正脉冲(3"+")3种极性静电放电(ESD)实验,不同极性ESD实验下器件的失效阈值不同。以栅源端对为例对实验结果进行分析,在3"+"3"-"和3"-"极性下,器件失效模式为栅源短路,在3"+"极性下器件电参数退化。运用热模型对ESD正负脉冲电压产生的温升进行了计算,器件的损伤机理为,在正向脉冲下为栅金属纵向电迁移导致肖特基势垒退化;在ESD负向脉冲下为高电场引起栅源端对击穿。
- 林丽艳李用兵
- 关键词：热模型失效模式
- C波段固态功率放大器的研制及其可靠性验证
- 2022年
- 为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提高。在SSPA中设计了场效应晶体管(FET)预失真电路,改善了SSPA的线性化指标,在输入功率回退2~10 dB区间实现了5~7 dB的三阶互调改善,满足了系统的使用要求。预失真电路在长寿命航天器中应用较少,同时C波段70 W SSPA输出功率较大,存在输出功率降低的风险,为此进行了等效在轨工作15年加速寿命试验验证。在整个寿命试验周期内,输出功率大于70 W,三阶互调优于-20 dBc,验证了SSPA长期工作的可靠性。
- 王忠牛赫一银军刘辰熙李用兵
- 关键词：三阶互调
- GaAs HFET功率器件热电子效应与寿命评估方法
- 2022年
- 本文通过分析热电子效应导致GaAs异质结构场效应晶体管(heterostructure field-effect transistor,HFET)(以下简称GaAs HFET器件)失效的机制,明确了热电子效应对器件可靠性的影响;通过高温射频加速试验,结合最小二乘法曲线拟合器件寿命方法,分析了热电子效应对器件长期可靠性的影响。同时提出了采用栅漏反偏试验剔除早期存在热电子效应的试验方法,保证器件的可靠性和工作寿命。
- 银军黄旭李用兵余若祺倪涛王忠许春良赵鹏阁
- 关键词：可靠性
- GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析被引量：6
- 2016年
- GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声放大器电流变化是氢气氛下其内部GaAs场效应晶体管(FET)性能发生退化所导致。因低噪声放大器芯片电路结构特点不能对内部FET直接进行参数测试,为进一步研究GaAs FET的氢效应作用机理,对GaAs FET结构单元开展高温电老炼试验,试验过程中GaAs FET电流变化趋势与低噪声放大器相同。分析了GaAs FET结构单元试验过程中饱和漏电流、夹断电压变化趋势,认为导致GaAs FET电参数先减小是由于沟道二维电子气(2DEG)浓度减小和栅金属与GaAs界面状态改变两种机理共同作用,电参数部分恢复主要是栅金属与GaAs界面状态改变起作用。
- 林丽艳李用兵
- 关键词：GAAS
- 温度加速寿命试验实例研究被引量：2
- 2017年
- 结合关键元器件温度加速寿命试验实例,验证了关键元器件在有效工作期的失效率,估算出了元器件的可靠寿命;通过对试验中方案的确定、试验的实施和数据的分析,以及对该试验进行总结,为后续开展同类试验提供了参考。
- 洪潇李用兵
- 关键词：加速寿命试验数据分析
- GaAs器件电磁脉冲效应实验与毁伤机理研究被引量：3
- 2010年
- 介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方波,研究了器件在静态时的损伤阈值。根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发,探索电磁脉冲对GaAs器件易损性薄弱环节的损毁机理。通过对毁伤实验分析,进一步阐述了电磁脉冲对器件存在潜在不稳定性失效,对器件和整机系统设计者和使用者具有一定的参考意义。GaAs微波低噪声器件在EMP正脉冲注入情况下,获得的损伤阈值约为3.024μJ。在EMP负脉冲注入情况下,损伤阈值约为10.02μJ。初步认为GaAs FET的正脉冲EMP比负脉冲EMP更易损伤。
- 李用兵田国强王长河江西元
- 关键词：砷化镓电磁脉冲毁伤机理阈值
- 针对GaAs HBT电路电磁辐射毁伤与分析
- 通信系统经常受到外异电磁脉冲的干扰和冲击。接收通道前端高频组件更易受到瞬时尖峰脉冲烧毁，尤其是GaAs徽波低噪声器件是其中最薄弱环节，GaAs徽波低噪声器件损坏之后，就会造成整机接收端失效。本文介绍了一种GaAs HBT...
- 李用兵王长河周军
- 关键词：电磁辐射
- 文献传递
- EMP对GaAs器件毁伤作用机理研究
- 介绍了GaAs器件在EMP情况下的毁伤阈值和毁伤机理,并用实验验证器件软损伤的可靠性。
- 李用兵王长河李继国何大伟
- 关键词：EMP毁伤
- 文献传递
- 电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析被引量：5
- 2008年
- 介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式。利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论。实验表明,GaAs低噪声放大器的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要失效部位表现为有源器件,指出了对GaAs器件加固的一些措施,对器件设计者和使用者具有一定的参考意义。
- 李用兵王海龙
- 关键词：低噪声放大器电磁脉冲
- C波段限幅开关集成芯片被引量：2
- 2011年
- 采用GaAs p-i-n二极管单片集成工艺技术研制出C波段限幅开关集成芯片,该芯片集成了微波限幅器和单刀单掷(SPST)开关功能,尺寸仅为2.5 mm×1.0 mm。采用偏置相关S参数测试法建立可定标的p-i-n二极管器件模型,精准的器件模型保证集成芯片一次流片成功。实测结果显示,该芯片在5～6 GHz频率范围内插入损耗小于1 dB,隔离度大于50 dB,电压驻波比小于1.5∶1,开关速度小于25 ns,可承受10 W以上的连续波功率。该集成芯片在T/R组件接收通道可替代两只单一功能芯片,有较好的应用前景。
- 魏洪涛王强栋李用兵
- 关键词：砷化镓P-I-N二极管限幅器开关集成芯片
