李洪芹
- 作品数：11 被引量：58H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制被引量：3
- 2000年
- 报道了ＧａＡｓ声表面波（ＳＡＷ）固定延迟线的设计方法和ＳＡＷ 器件金属剥离制造新工艺．研制出ＧａＡｓ ＳＡＷ 延迟线，典型参数为：中心频率１５８ＭＨｚ，插入损耗低于５５ｄＢ，延迟时间１．５μｓ．
- 李洪芹夏冠群
- 关键词：延迟线声表面波砷化镓声表面波器件
- GaAsMMIC双栅MESFET混频器设计与实验研究被引量：1
- 2000年
- 对微波单片集成 (简称 MMIC)双栅 MESFET混频器的设计理论和工艺技术进行较为细致的研究。根据双栅 MESFET的理论分析与实验结果 ,建立了一种栅压调制 I- V特性的经验模型 ,推导了双栅 FET混频器变频增益公式。分析了栅压对改变非线性跨导在混频器中的作用。最后设计并加工出了芯片面积为 0 .75 mm× 1 .5 mm Ga As MMIC双栅 FET混频器。
- 孙晓玮程知群夏冠群李洪芹翁建华
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路场效应晶体管混频器
- HEMT小信号等效电路参数提取被引量：7
- 2000年
- 本文用HEMT小信号等效电路模型 ,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点 ,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法。采用这些方法 ,提取了HEMT器件 32 - 39GHz八个频率点的S参数值。实验结果表明 ,该方法简单有效 。
- 李洪芹孙晓玮夏冠群程知群王德斌
- 关键词：HEMT小信号等效电路晶体管
- SIN<,x>钝化膜厚度对pHEMT的性能影响
- 深入地研究了SIN<,x>钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电特...
- 李洪芹夏冠群孙晓玮
- 关键词：氮化硅
- 文献传递
- SiN_x钝化膜厚度对pHEMT的性能影响被引量：3
- 2000年
- 深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电特性。
- 李洪芹夏冠群孙晓玮
- 关键词：电性能晶体管
- FMCW毫米波防撞雷达系统被引量：24
- 2001年
- 介绍了主动汽车防碰撞 ＦＭＣＷ毫米波雷达系统原理，报导了我们研制的 ＳＡＥ—１００型毫米波防碰撞雷达样机。
- 盛怀茂夏冠群孙晓伟李洪芹李玉芳
- 关键词：毫米波雷达FMCW
- GaAs单片声电荷转移器件的研究与发展
- 2000年
- 声电荷转移 (Acoustic charge transport,简写 ACT)器件是 2 0世纪 80年代初出现的一种新型信号处理器件 ,它集中体现了声表面波 (SAW)和半导体技术的优点 ,能与其它信号处理器件进行单片集成 ,完成各种信号处理功能 ,在军事防御和商业方面有广泛应用。文中主要介绍 ACT器件的基本结构、工作原理以及器件工艺流程 ;最后介绍了 ACT器件的应用前景。
- 李洪芹孙晓玮夏冠群
- 关键词：砷化镓信号处理
- Quick Basic在声表面滤波器计算机辅助设计中的应用
- 1999年
- 李洪芹毛友德
- 关键词：QB应用程序声表面波滤波器计算机辅助设计
- 毫米波汽车防撞雷达装置
- 本实用新型涉及一种毫米波汽车防撞雷达装置,属于汽车防护技术领域。特征在于主要由天线、收发组件、中放、信号处理、报警及显示、函数发生器和电源等部件组成,其天线为收发共用的小型喇叭天线;收发组件是用波导环形器完成收发双工的“...
- 夏冠群孙晓玮杨晓峰金昶明盛怀茂李玉芳程知群任成明徐涛李洪芹
- 文献传递
- AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离被引量：3
- 2000年
- 对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.
- 程知群孙晓玮夏冠群李洪芹盛怀茂钱蓉
