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朱宝华

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇场发射
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇场发射特性
  • 1篇碳膜
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇激光

机构

  • 3篇北京真空电子...
  • 2篇清华大学

作者

  • 3篇朱宝华
  • 2篇彭自安
  • 2篇冯进军
  • 2篇李兴辉
  • 1篇王亦曼
  • 1篇丁素广
  • 1篇曹安源
  • 1篇朱洁
  • 1篇陈其略
  • 1篇张甫权

传媒

  • 2篇第七届中国真...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
碳纳米管场发射特性的研究
将CVD方法制成的碳纳米管沉积在钼针尖上，测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体。我们同时还将其与纯钼针在场发射方面进行了比较。
彭自安朱宝华陈其略丁素广朱洁毛东军曹安源
关键词：碳纳米管场发射特性
脉冲激光沉积制备场发射碳膜
冲激光沉积法已在单个钼尖锥发射体和蓝宝石衬度上生成场发射体碳膜。对沉积在单个钼尖锥上的碳膜进行了电流-电压特性测量，并与未涂碳膜的单个钼尖锥发射体的场发射进行了比较。对沉积在蓝宝石衬底上的场发射体碳膜进行了其他性能测量。...
张甫权彭自安朱宝华王亦曼冯进军丁素广李兴辉
关键词：场发射碳膜
碳纳米管场发射特性的研究被引量：5
1999年
将CVD方法制成的碳纳米管沉积在钼针尖上 ,测试了这种材料的场发射特性。结果表明这种材料可作为一种新型高效的场发射体。
彭自安朱宝华陈其略冯进军李兴辉朱洁毛东军曹安源
关键词：碳纳米管场发射特性
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