孙芳芳
- 作品数：3 被引量：22H指数：2
- 供职机构：同济大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Zn-Sn-O系统透明导电薄膜的制备及其性能被引量：8
- 2012年
- 本文采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）过程和旋涂技术,通过高温烧结,得到了Zn-Sn-O系统的薄膜。结合干凝胶的差示扫描热分析（TG-DSC）和薄膜的X射线衍射分析（XRD）,研究了干凝胶在烧结过程中发生的反应。通过控制溶胶的组成和薄膜烧结温度,得到了较纯净的Zn2SnO4晶相薄膜和ZnSnO3晶相薄膜。ZnSnO3晶体薄膜的电阻率显著低于Zn2SnO4晶体薄膜;N2气氛热处理后,ZnSnO3薄膜的电阻率升高而Zn2SnO4薄膜的电阻率大幅降低;当[Zn]/[Zn＋Sn]=50.3at%时,薄膜的晶相仍为ZnSnO3,其电阻率较[Zn]/[Zn＋Sn]=50.0at%的薄膜降低,约为8.0×102Ω.cm-1。通过上述两种晶相薄膜的X射线光电子能谱分析（XPS）,探讨了这两种晶体不同的导电机理：Zn2SnO4晶体通过其中的氧空位导电,而ZnSnO3晶体则以间隙阳离子导电。紫外-可见光透过率（UV-Vis）分析表明：Zn2SnO4和ZnSnO3晶体薄膜在400~900nm的可见光波段的透过率可达80%以上。
- 季伶俐贺蕴秋孙芳芳
- 关键词：溶胶-凝胶法导电性透明性
- 透明导电ZnO薄膜的电化学制备及性能研究被引量：2
- 2013年
- 以修饰的ITO玻璃为衬底,以不同浓度Zn(NO3)2.6H2O作为电解质溶液,采用阴极恒流沉积法制备了不同纳米结构的ZnO薄膜。用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、四探针仪(RTS-8)、紫外-可见(UV-Vis)光谱仪、循环伏安等分别表征薄膜的晶相、形貌和厚度、方块电阻、紫外-可见光透过率和氧化还原电位。结果表明:低浓度溶液沉积得到的c轴取向1D ZnO纳米柱和高浓度溶液沉积得到的致密2D六方ZnO纳米片在可见光范围(400～900 nm)的透过率均可高达85%以上,方块电阻约为14.5Ω/□。两种结构的氧化还原电位有显著区别,纳米柱的为-0.54 V(vs.SCE),而纳米片的为-0.72 V(vs.SCE),说明纳米片状的ZnO薄膜具有更为良好的化学稳定性。
- 孙芳芳贺蕴秋李一鸣李乐储晓菲黄河洲
- 关键词：ZNO薄膜修饰透明电极
- 水热合成部分还原氧化石墨烯-K_2Mn_4O_8超级电容器纳米复合材料(英文)被引量：12
- 2013年
- 通过控制水热反应温度以及氧化石墨烯(GO)与高锰酸钾的填料比,合成了两组部分还原的GO-K2Mn4O8纳米复合材料.X射线衍射(XRD)分析说明水热过程中合成了α-MnO2和一种新的晶相K2Mn4O8.通过X射线光电子能谱(XPS)分析了水热反应前后氧化石墨的含氧官能团的变化.扫描电子显微镜(SEM)显示样品由片状还原的氧化石墨烯构成,其表面附有许多小的纳米颗粒,这种结构有利于储能时电子的传递.通过这两组复合材料的结构分析,更好地理解了材料的电化学性能的变化.利用循环伏安法和恒流充放电测试比较了材料的电容性能.用1mol·L-1的硫酸钠做电解液,电位范围是0-1V,在1A·g-1的电流密度下,测得的样品最佳比电容达到251F·g-1,能量密度为32Wh·kg-1,功率密度为18.2kW·kg-1.并且在5A·g-1的电流密度下循环1000次后样品的比电容仍维持在初始比电容的88%.
- 李乐贺蕴秋储晓菲李一鸣孙芳芳黄河洲
- 关键词：超级电容器氧化锰电容性能
