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孙林

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇阴极
  • 1篇射频溅射
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇溅射
  • 1篇场发射
  • 1篇场致发射

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇孙林
  • 2篇李德杰
  • 2篇王磊

传媒

  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 2篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用于平面显示的MISM结构阴极被引量：5
2001年
讨论了平面型场致热化电子发射阴极 ,对玻璃衬底 /Mo/Ta2 O5/ZnS/Au结构的平面型场致热化电子发射阴极的制备及其发射性能进行了论述 ,讨论了在不同工艺参数下器件的发射情况。实验表明 ,通过优化溅射时间参数和工艺手段制成的阴极对发射电流的大小有很大影响。通过对这些工艺参数的调整 ,得到了最高发射比 (Ia/Ig)为 4 5× 10 -4 ,向该阴极实用化迈进了一步。
李德杰王磊孙林
关键词：场致发射射频溅射硫化锌
低电子亲和势内场发射阴极被引量：1
2001年
平面阴极的场致发射显示器件由于性能优越、结构简单而具有很好的应用前景。这种器件要实用化 ,急需提高阴极的电子发射率。提出一种改进栅极结构的方法达到提高电子发射率的目的 ;介绍了双金属栅极的结构和制作工艺 ;阐述了利用两种金属的接触电位差降低阴极电子发射势垒的原理 ;解释了实验中低驱动电压时发射率提高较多的现象。与单金属栅极相比双金属栅极的阴极电子发射率提高了 5倍以上。
孙林王磊李德杰
关键词：场发射阴极
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共1页<1>
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