夏小川
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：大连理工大学物理与光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
- 2008年
- 利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO(ZnO∶As)薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的Al2O3衬底上(ZnO∶As∶A);另一种是直接生长在GaAs衬底上(ZnO∶As∶G)。X射线光电子能谱(XPS)的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱(UPS)的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主AsZn-2VZn存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。
- 管和松李万成高福斌吴国光夏小川杜国同
- 关键词：ZNOGAASXPS受主
- As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究
- 利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO（ZnO:As）薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的AlO衬底上（ZnO:As:A）;另一种是直接生长在GaAs衬底上（ZnO:As:G）。X射...
- 管和松李万成高福斌吴国光夏小川杜国同
- 关键词：ZNOGAASXPS受主
- 文献传递
- ZnO基p-n结的电注入发光研究
- 笔者用自行设计加工的ZnO生长专用MOCVD系统，在Si、GaAs、Al2O3衬底上生长ZnO材料异质结，并实现了电注入发光。这些电注入发光均包含ZnO材料侧的可见和紫外发光和Si、GaAs材料侧的近红外发光。由于ZnO...
- 杜国同孙景昌赵涧泽梁红伟边继明付艳萍夏小川赵旺李香萍张源涛董鑫杨天鹏朱慧超张宝林
- 关键词：发光强度衬底材料
- 文献传递
- MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究
- O基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制备出p型ZnO和ZnMgO薄膜，进而制备出了ZnO和ZnMgO的异质、同质p-n结...
- 杜国同赵涧泽孙景昌李硕石李长鸣陈睿姝夏小川赵旺李香萍朱慧超马艳董鑫张宝林梁红伟
- 关键词：金属有机化学气相淀积
- 低温插入层对绿光LED的发光影响(英文)
- 2013年
- 利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移。经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能。
- 宋世巍柳阳梁红伟夏小川张克雄杨德超杜国同
- 关键词：LED
- InN、ZnO材料的制备及其电注入发光研究
- 我们对ZnO材料及其发光器件研究已十余年,近年来又了开展A1N、InN材料制备研究。ZnO研究方面:我们自行设计加工了znO生长专用MOCVD系统,该系统直接采用O2气为氧源,不引入其他元素,有利于n型、p犁掺杂和载流子...
- 杜国同赵涧泽刘远达程轶宋世巍赵旺王瑾王辉史志峰董鑫张宝林夏小川梁红伟
