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和江变

作品数:8 被引量:2H指数:1
供职机构:内蒙古大学更多>>
发文基金:内蒙古自治区自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电池
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 3篇氮化硅
  • 3篇氮化硅薄膜
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇太阳能电池片
  • 3篇减反射膜
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇多晶硅电池
  • 2篇多晶硅片
  • 2篇整体性能
  • 2篇织构
  • 2篇酸性
  • 2篇太阳电池
  • 2篇漏电流
  • 2篇氯酸
  • 2篇氯酸钠
  • 2篇碱性腐蚀
  • 2篇硅电池

机构

  • 8篇内蒙古大学
  • 6篇内蒙古日月太...

作者

  • 8篇和江变
  • 1篇李健
  • 1篇董斌华

传媒

  • 1篇真空

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种用于太阳能电池片的减反射膜及其制造方法
本发明提供一种太阳能电池减反射膜及其制造方法。该太阳能电池减反射膜包括:第一氮化硅层,覆盖于所述太阳能电池片的表面;第二氮化硅层,覆盖于所述第一氮化硅层的上表面;以及第三氮化硅层,覆盖于所述第二氮化硅层的上表面。本发明的...
郭永强和江变于利亚马承鸿宗灵仑李健
文献传递
减反射膜及具有该减反射膜的太阳能电池片
本实用新型提供一种减反射膜及具有该减反射膜的太阳能电池片,所述减反射膜包括:第一层膜,覆盖于所述太阳能电池片的表面;第二层膜,覆盖于所述第一层膜的上表面;以及第三层膜,覆盖于所述第二层膜的上表面,且所述第一层膜的折射率大...
康海涛和江变马承鸿倪明镜李健贾影
文献传递
冶金硅太阳电池的欧姆接触制作及质量分析
采用常规丝网印刷技术研制、生产冶金多晶硅太阳电池(156×156mm2)。研究冶金硅太阳电池丝网印刷制作的上下Ag电极、A(l)背场、烧结温度及网版等因素对电池转换效率及整体性能的影响。采用椭圆激光偏振仪、扫描电子显微镜...
和江变
关键词:太阳电池丝网印刷欧姆接触
碱性腐蚀液及腐蚀多晶硅片的方法
本发明提供一种碱性腐蚀液,该碱性腐蚀液由氯酸钠、氢氧化钠和水混合而成,其中氯酸钠、氢氧化钠和水的质量比为6~8:1:40~60。本发明还提供一种利用碱性腐蚀液腐蚀多晶硅片的方法。采用本发明的碱性腐蚀液对多晶硅片进行腐蚀,...
贾影和江变马承鸿倪明镜李健康海涛
文献传递
热处理对CuInS_2薄膜导电类型及光学特性的影响被引量:1
2013年
真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1:0.1:1.2)。摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不同热处理工艺对CuInS2薄膜的结构、表面形貌、化学成分比和光学性能的影响。实验给出:沉积的薄膜进行360℃热处理30 min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜;SEM分析显示薄膜表面呈颗粒状较平整致密性略差,导电类型为N型,薄膜的本征吸收限为1.46eV,直接光学带隙Eg=1.38 eV。对薄膜进行370℃热处理20 min同样可得到N型CuInS2但含有少量的CuS2成分,薄膜表面致密性变好但粗糙度增大,本征吸收限发生红移为1.42 eV,Eg=1.40 eV。370℃,30 min热处理后可得到P型CuInS2薄膜,Eg=1.37 eV。制备的三种CuInS2薄膜的光吸收系数都在104cm-1数量级以上。CuInS2薄膜中In或Cu元素含量大小,对薄膜的导电类型的变化起着决定性的作用,而薄膜中S和In元素的变化直接取决于热处理的条件。
和江变李健董斌华
关键词:导电类型光学特性
用PECVD技术间断性沉积三层氮化硅薄膜的研制及应用
物理冶金法提纯多晶硅技术具有产量大、成本低、不涉及化学过程及设备价格较低等优点。但与常规化学法提纯的光伏多晶硅材料相比,硼和金属杂质等含量还是有些高,所以使制作的物理多晶硅太阳电池的光电转换效率偏低,反向电流较大。不断降...
康海涛李健和江变马承鸿郭永强于利亚
关键词:钝化
文献传递
碱性腐蚀液及腐蚀多晶硅片的方法
本发明提供一种碱性腐蚀液,该碱性腐蚀液由氯酸钠、氢氧化钠和水混合而成,其中氯酸钠、氢氧化钠和水的质量比为6~8:1:40~60。本发明还提供一种利用碱性腐蚀液腐蚀多晶硅片的方法。采用本发明的碱性腐蚀液对多晶硅片进行腐蚀,...
贾影和江变马承鸿倪明镜李健康海涛
文献传递
一种用于太阳能电池片的减反射膜的制造方法
本发明提供一种太阳能电池减反射膜及其制造方法。该太阳能电池减反射膜包括:第一氮化硅层,覆盖于所述太阳能电池片的表面;第二氮化硅层,覆盖于所述第一氮化硅层的上表面;以及第三氮化硅层,覆盖于所述第二氮化硅层的上表面。本发明的...
郭永强和江变于利亚马承鸿宗灵仑李健
文献传递
共1页<1>
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