吕燕伍 作品数:23 被引量:25 H指数:3 供职机构: 北京交通大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 中国石油化工股份有限公司科学技术研究开发项目 国家重点基础研究发展计划 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 化学工程 一般工业技术 更多>>
装卸桥虚拟样机建模技术 被引量:1 2006年 以秦皇岛港口10t×40m装卸桥为研究对象,通过三维建模软件Pro/Engineer和虚拟样机分析软件SIMPACK的结合使用,建立了三维的装卸桥虚拟样机系统。为以后进一步对装卸桥进行运动学和动力学分析奠定了基础。 史金鹏 丁克勤 徐彤 吕燕伍关键词:装卸桥 三维建模 虚拟样机 运动学分析 动力学分析 基于氮化物半导体的远红外量子级联激光器 2005年 给出基于GaN量子阱材料的远红外量子级联激光器,其优越性表现在AlGaN/GaN量子阱中,超快的纵向光学声子散射能够迅速的消除激光低能态的布居数,GaN的大纵向光学声子能量(~90 meV)能有效地减少高温下产生激光低能态的热布居.理论分析显示,用一个相对较低的阈值电流密度(832 A/cm2)就能在室温下产生50/cm的阈值光学增益.还发现这种结构的特征温度T0高于136 K. 郑小秋 吕燕伍关键词:量子级联激光器 氮化物半导体 Ga_(1-x)Al_xN/GaN量子点红外吸收谱 被引量:1 2005年 用有效质量理论对Ga1_xAlxN/GaN量子点的红外吸收谱进行研究.采用差分方法求解量子点的薛定谔方程,给出量子点的导带子带能谱.计算发现量子点的基态束缚能随Al分数x的增加而增大,随其半径的增大而减小.计算量子点的吸收系数发现,量子点的体积大小严格控制着它的光子吸收特征,量子点半径变小时,其吸收峰发生蓝移,相应吸收峰的峰值也就越大,研究结果对于设计高性能的红外光电探测器和激光器具有指导意义的. 蔡琳 吕燕伍关键词:红外吸收谱 红外光电探测器 薛定谔方程 差分方法 束缚能 氮化物半导体量子点子带间红外吸收特性 <正>最近,半导体子带带间跃迁过程受到广泛的研究[1-4]。由于这种半导体跃迁过程突破了传统的带间跃迁的限制,而且具有波长可调和超快载流子动力学过程等优点,可以用于光通信,光开关,光探测器和医用器械等。分子束外延(MBE... 蔡琳 吕燕伍量子级联激光器生热的电路模型分析 被引量:1 2013年 过分析量子级联激光器(QCL)中各量子阱的生热及阱间的热流输运情况,得到它的热输运方程以此为基础类比电路理论建立了等效电路模型,利用计算软件分别进行理论与电路模拟,得到了它的生热特性并对可能影响其生热特性的一些因素进行了分析。 宿非凡 纪幸辰 姜仁志 王健 吕燕伍 段素青关键词:激光技术 量子级联激光器 电路模拟 单层与双层WSe2纳米片层的光致发光 被引量:1 2014年 采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明:随着WSe2层数的增加,其光致发光强度单调下降;当WSe2层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研究了双层WSe2的变温光致发光谱,发现随着温度的升高,双层WSe2发光峰中A峰峰位的变化基本符合半导体带隙的温度变化规律,而I峰峰位红移与温度基本成线性关系,表明双层WSe2同时存在间接和直接跃迁,且直接跃迁和间接跃迁特性不同。 杜晓雷 吕燕伍 江潮关键词:光致发光谱 基于虚拟现实技术的烟气轮机故障诊断的探讨 被引量:1 2006年 烟气轮机是石化企业催化裂化过程中重要的节能设备。首先对烟气轮机常用的故障诊断方法研究现状进行了综述,然后针对目前烟气轮机故障诊断方面存在的问题,探讨了基于虚拟现实技术的烟气轮机故障诊断方法,给出了虚拟现实技术在烟气轮机故障诊断应用中亟待解决的重点和难点问题,为进一步深入研究基于虚拟现实技术的烟气轮机故障诊断方法奠定了基础。 史金鹏 丁克勤 吕燕伍 冯其波关键词:烟气轮机 虚拟现实 故障诊断 氟磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒的表面晶化 2009年 对F、P共掺杂光纤预制棒退火后的表面晶化行为进行了研究.由改进的化学汽相沉淀法制备的氟和磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒玻璃样品在6h的1150℃控温加热处理后,其表面发生晶化.用X-射线衍射仪观测其晶相,主要为α-方石英,可使玻璃具有二阶光学非线性;用光学显微镜观察了其表面形貌并对结晶微粒的大小进行测量,知晶粒大小在十几到几十μm之间,会造成散射损耗的增加.实验结果,还显示氟对结晶过程有很大的影响. 戎根苗 唐莹 衣立新 吕燕伍 安宏林AlN插入层对Al_xGa_(1-x)N/GaN界面电子散射的影响 被引量:3 2015年 本文研究AlN作为AlxGa1-xN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlxGa1-xN和AlN势垒层的自发极化、压电极化对AlxGa1-xN/Al N/GaN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,分析了AlN厚度与界面粗糙度散射和合金无序散射的关系;结果表明,2DEG浓度、界面粗糙度散射和合金无序散射依赖于AlN层厚度,插入一层1—3nm薄的AlN层,可以明显提高电子迁移率. 杨鹏 吕燕伍 王鑫波关键词:迁移率 GaN/AlN量子点结构中的应变分布和压电效应 2007年 从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响. 梁双 吕燕伍关键词:自发极化 压电极化