励旭东
- 作品数：46 被引量：142H指数：7
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- 相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>
- 硅酸钠在单晶硅太阳能电池表面织构化中的作用
- 在单晶硅太阳能电池的制备过程中,通常利用碱溶液对晶体硅不同晶向＜100＞和＜111＞的各向异性腐蚀特性,在硅片表面形成类似于“倒金字塔”的绒面,通过增加照射光在硅片表面的反射次数,提高光吸收效率,从而提高单晶硅太阳能电池...
- 杨勇杨志平励旭东许颖王文静
- 关键词：单晶硅绒面硅酸钠
- 一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
- 本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至8...
- 励旭东宋爽勾宪芳吴鑫孙秀菊
- 文献传递
- 一种区熔再结晶设备
- 本实用新型涉及一种区熔再结晶设备，它包括一带有滑道的实验台，实验台上设置有可滑动支架，支架的顶部固定连接一工作台，支架的底座穿设有一端带有螺纹一转轴，转轴的另一端上设置有一计数器，转轴连接到一马达的输出端；计数器并联连接...
- 许颖宋爽励旭东勾宪芳冯维希
- 文献传递
- SiO_2/SiNx:H选择性刻蚀改善光诱导化学镀/电镀多晶硅太阳能电池过镀现象被引量：2
- 2011年
- 自对准的光诱导化学镀/电镀技术以其栅线宽度小、工艺快捷高效等优点,成为制备选择性发射极太阳能电池的理想选择.然而,该技术的前序需要HF溶液有效去除重掺杂区表面SiO2的同时,避免在SiNx:H掩模上刻蚀出微孔而露出衬底的硅,否则金属镍和银会在光诱导化学镀/电镀工艺中沉积在微孔中,导致过镀现象.这就要求预处理溶液对SiO2/SiNx:H有很高的选择性刻蚀.本工作根据实验结果分析了产生过镀现象的原因,研究了进行SiO2/SiNx:H选择性刻蚀的可行性.依据HF刻蚀SiO2和SiNx:H的机理,通过调节HF缓释溶液的pH值,改善了多晶硅太阳能电池的过镀现象.
- 李涛周春兰宋洋张磊惠俊杨海峰郜志华段野李友忠励旭东许颖赵雷刘振刚王文静
- 关键词：选择性刻蚀多晶硅太阳能电池
- SOI材料上硅薄膜电池的研究被引量：1
- 2004年
- 用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(SiliconOnInsulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的SiN,薄膜电池的电极全部由正面引出,制成的23μm厚薄膜电池的光电转换效率为8 12%(1×1cm2,AM1 5,23℃)。扩展电阻的测量表明电池有良好的PN结特性;量子效率测量表明SiN比常规的热氧化SiO2有更好的减反射和钝化作用;电池的暗特性表明电池具有较高的串联电阻,并分析了正面引电极对串联电阻的影响。
- 吴虎才许颖王文静励旭东叶小琴周宏余
- 关键词：SOI化学汽相沉积
- 陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长及区熔再结晶
- 本文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实现发现,在氮化硼、三氧化二铝和石英衬底上,可以直接生长晶粒尺寸数微米、致密的多晶硅薄膜.薄膜的优选晶向为<110>...
- 励旭东程天龚欣刘维平许颖赵玉文
- 关键词：太阳电池多晶硅薄膜化学气相沉积
- 文献传递
- 低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索被引量：2
- 2003年
- 在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜。通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6 25%(高纯硅粉制成的SSP衬底)和4 5%(低纯硅粉制成的SSP衬底)。
- 许颖励旭东王文静于元赵玉文沈辉
- 关键词：多晶硅薄膜电池太阳电池颗粒硅带化学气相沉积光伏电池
- 非硅衬底上转换效率10％的硅薄膜太阳电池
- 许颖励旭东罗欣莲王文静于民李仲明
- 一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
- 本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至8...
- 励旭东宋爽勾宪芳吴鑫孙秀菊
- 文献传递
- 硅酸钠在太阳能电池单晶硅表面织构化的作用被引量：26
- 2005年
- 在单晶硅太阳电池的制备过程中,通常利用晶体硅[100]和[111]不同晶向在碱溶液中各向异性腐蚀特性,在表面形成类似于“金字塔”的绒面结构,使得入射光在硅片表面多次反射,提高入射光吸收效率,可提高单晶硅太阳电池的转换效率。实验探索了一种廉价的硅织构化腐蚀技术,即单独采用Na_2Si O_3代替传统的氢氧化钠和异丙醇溶液,以减少价格较高的异丙醇的用量,降低成本。不采用异丙醇或其他机械消泡的条件下,用质量分数为5%的Na_2Si O_3溶液在80℃腐蚀120min,单晶硅片表面可获得最佳反射率为12.56%的减反射绒面。虽然与传统的氢氧化钠和异丙醇溶液效果相比,单独使用Na_2SiO_3溶液腐蚀单晶硅片表面的反射率和均匀性略差,但在传统的氢氧化钠和异丙醇体系中加入质量分数为0.1%的Na_2Si O_3也会促进腐蚀反应的进行,获得更加均匀的减反射绒面。
- 杨志平杨勇励旭东许颖王文静
- 关键词：单晶硅绒面硅酸钠太阳能电池
