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RTCVD沉积在石英衬底上的多晶硅薄膜的生长习性被引量：2: 2010年; 使用快速热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了多晶硅薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等对其微结构进行了研究.XRD谱显示单个很强的(220)衍射峰,说明多晶硅薄膜表面具有<110>择优取向.表面SEM照片表明多晶硅薄膜的表面由大量尺寸不等的多边棱锥形晶粒组成,断面SEM照片则说明多晶硅薄膜内的晶粒沿垂直于衬底的方向柱状生长.TEM结果进一步揭示了多晶硅薄膜内存在包括一次孪晶、二次孪晶以及三次以上的高次孪晶在内的大量孪晶.以上实验结果无法用对常压化学气相沉积(APCVD)法制备多晶硅薄膜的生长习性的传统观点解释,但是却可以由Ino等人提出的关于面心立方金属薄膜中高次孪晶形成和发展的模型很好的解释.根据以上实验结果和Ino的模型,认为RTCVD在石英衬底上沉积多晶硅薄膜的成核、生长是以形成高次孪晶粒子为基础的,然后这些高次孪晶粒子以岛状生长的模式连成薄膜.; 艾斌刘超梁学勤沈辉; 关键词：多晶硅薄膜晶体生长

355nm YAG皮秒脉冲激光晶化非晶硅薄膜的研究被引量：3: 2012年; 使用355 nm YAG皮秒脉冲激光对250 nm厚的非晶硅薄膜进行激光晶化的研究,并利用金相显微镜、拉曼光谱和X射线能谱(EDS:energy dispersive spectrometer)等对晶化样品进行了分析。结果表明:随着激光脉冲能量的增加,完全熔区和部分熔区的宽度均明显增大。在所研究的脉冲能量范围内(15μJ—860μJ),所有样品的完全熔区的拉曼光谱均无非晶硅或晶体硅的特征峰,而位于完全熔区边缘的部分熔区的拉曼光谱却显示出晶体硅的特征峰,这可能是因为完全熔区接受到的激光能流密度过大,造成区内绝大部分非晶硅薄膜气化蒸发。这个推测进一步得到了X射线能谱分析结果的证实。X射线能谱分析结果表明,完全熔区的成份主要是玻璃与硅反应生成的硅化物,其表面被二氧化硅层所覆盖。; 赖键均段春艳艾斌曾学然邓幼俊刘超沈辉; 关键词：YAG激光非晶硅薄膜激光晶化多晶硅薄膜

太阳电池用晶体硅片绒面制备的研究: 本文研究了太阳电池用单晶硅片和多晶硅片绒面的制备工艺。分别用Na2C03/NaHC03和NaOH/异丙醇(IPA)体系制备出了单晶硅片减反射绒面,分析了两者的优劣和影响绒面制备的各种因素。研究了HF/HN03体系在制备多...; 刘超卢庆韦许欣翔沈辉; 关键词：单晶硅多晶硅太阳电池; 文献传递

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刘超