冯嘉猷
- 作品数：21 被引量：49H指数：5
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信环境科学与工程更多>>
- 在GaAs(100)衬底上离化团束外延ZnSe单晶薄膜
- 1994年
- ZnSe是一种理想的蓝紫色发光材料，用于制作发光器件有较大的应用前景，采用单源喷发、离化原子团束（ICB）技术在GaAs（100）上外延ZnSe单晶薄膜，并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用X射线衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。研究了淀积能量和衬底温度对薄膜质量的影响。得到了摆动曲线半高宽为133rad·s，并具有原子水平平整程度的ZnSe（100）单晶薄膜。外延薄膜存在0．2～0．4μm的应变过渡层，过渡层随淀积能量的增大而变薄。
- 张芳伟冯嘉猷郑毅范毓殿
- 关键词：硒化锌
- CN薄膜结构特性的研究被引量：3
- 1996年
- 利用离化团束(ICB)方法在Si(111)衬底上生长了CN薄膜。X光衍射(XRD)分析表明薄膜呈β-C_3N_4晶态结构,X射线光电子能谱(XPS)测定薄膜含N量为20％,并且观察到C1_s和N1_s芯能级谱中存在双峰。红外吸收光谱呈现C—N和C≡N的吸收峰。高能反射式电子衍射(RHEED)也证实薄膜中存在晶态物质。薄膜的努氏显微硬度值达到6200kgf·mm^(-2)。
- 冯嘉猷龙春平张芳伟郑毅范玉殿
- 关键词：XRD
- CoSi_2薄膜内应力的微观机制研究被引量：5
- 2001年
- 通过晶体价键理论与电子密度理论的结合,推算出CoSi_2的表面电子密度,从理论上分析了p型Si衬底的掺杂浓度对CoSi_2薄膜内应力的影响,并从实验上给予了验证.
- 刘继峰冯嘉猷朱静
- 关键词：内应力电子密度价键理论
- CdS/TiO_2复合半导体薄膜的制备及其光催化性能被引量：21
- 2009年
- 以微弧氧化法制备出锐钛矿型TiO2,进而以化学水浴法沉积CdS,通过调控时间,制备CdS/TiO2复合半导体薄膜.X射线检测表明,微弧氧化所制备的TiO2为锐钛矿结构,化学水浴法制备的CdS主要以离子离子的方式沉积在TiO2薄膜上.SEM及可见光催化降解亚甲基蓝的试验表明,沉积时间为15min的复合半导体薄膜上的CdS粒子呈圆球形、单层孤立、均匀地分散在TiO2表面,绝大多数粒子的粒径在nm级别,分布比较均匀,对亚甲基蓝有着较好的光催化性能,与TiO2薄膜相比,复合半导体薄膜的光催化性能有很大的提高.结合光催化评价结果,对复合半导体薄膜的光催化剂机制进行了讨论.
- 万李冯嘉猷
- 关键词：微弧氧化TIO2薄膜CDS薄膜光催化活性
- 镍诱导纳米晶硅薄膜的生长被引量：1
- 2007年
- 采用磁控溅射方法制备了含镍过渡层的富纳米晶硅二氧化硅薄膜.对薄膜退火后的微观结构和发光性能进行了试验分析.结果表明,在高温退火后,有Ni过渡层的富纳米晶硅薄膜较没有Ni过渡层的薄膜具有更高的纳米晶硅密度和更强的室温光致发光强度.对试验结果进行热力学分析后,认为NiSi2作为纳米晶硅的形核中心诱导了薄膜的分相和纳米晶硅生长.
- 冯嘉猷何悦毕磊
- 关键词：光致发光磁控溅射分相
- 淀积大晶粒Pb膜的研究
- 1989年
- 一、引言作为集成电路和太阳能电池电极引线的金属化薄膜必须具有较好的抗电迁移性能,使金属/半导体界面保持较低的接触电阻和较好的接触稳定性。减弱迁移的途径之一是增大薄膜晶粒尺寸和取向度,减少晶界短路通道。
- 和志刚冯嘉猷唐昭平张芳伟李恒德
- 关键词：PB淀积金属化薄膜基片温度半导体界面
- Te原子团的形成研究被引量：1
- 1994年
- 原子团的形成和状态是研究离化原子团淀积（ＩＣＢＤ）机理的首要问题。作者采用一种新的测量方法研究了Ｔｅ在不同蒸发温度下形成的原子团的平均尺寸和尺寸分布。对朗加热温度从６５０Ｋ增大到７９０Ｋ时，Ｔｅ平均原子团尺寸从１０个原子增大到７５个原子。离化电压大于２５０Ｖ时，原子团经过高化区，部分碎裂成小原子团或原子。
- 张芳伟冯嘉猷郑毅范玉殿
- 关键词：碲薄膜生长
- ICB 淀积 Sb,Pb 的薄膜结构
- 1989年
- 本文用离化原子团束工艺淀积 Sb 和 Pb 薄膜,系统研究了各淀积参数对薄膜晶粒取向度等结构特性的影响,并测定了 Pb 原子团束的原子团大小和离化率,讨论了薄膜结构的形成机理.
- 和志刚冯嘉猷汤海鹏范玉殿李恒德
- 离化团束方法在GaAs衬底上外延CdTe单晶薄膜被引量：1
- 1991年
- 利用离化团束外延(ICBE)技术在GaAs(100)衬底上生长了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层.X光衍射和 RHEED分析结果表明外延层为单晶薄膜,双晶衍射摆动曲线半高宽达630弧秒.本文研究了离化团能量和生长温度对外延层晶向和质量的关系。结果表明,当预热处理温度为480℃,外延取向关系为CdTe(100)//GaAs(100);当预热处理为580℃,外延取向关系为 CdTe(100)+(111)//GaAs(100).离化团束的能量对外延膜的结晶性能起着重要作用.
- 冯嘉猷汤海鹏朱洪林范玉殿李恒德
- 关键词：CDTE薄膜GAAS
- C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究被引量：6
- 2002年
- 根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称 RTA)形成二硅化钴(CoSi_2)薄膜,发现薄膜中的应力随C^+离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C^+离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较。
- 王若楠刘继峰冯嘉猷
