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InGaN/GaN多量子阱热退火的拉曼光谱和荧光光谱被引量：4: 2005年; 通过拉曼光谱及荧光光谱测量研究了采用低压金属有机化学沉积(MOCVD)方法生长的InGaNGaN多量子阱高温快速热退火处理对量子阱光学性质的影响。观测到退火后InGaNGaN量子阱的拉曼光谱E2,A1(LO)模式的峰位置出现了红移,而且该振动峰的半高宽也有微小变化。温度升高退火效果更明显。退火使量子阱内应力部分消除,同时In,Ga原子扩散出现相分离使拉曼谱表现出变化。在常温和低温下的光荧光谱表明,退火处理的量子阱发光主峰都出现了红移;而且低温退火出现红移,退火温度升高相对低温退火出现蓝移;同时在低温荧光光谱里看到经过退火处理后原发光峰中主峰旁边弱的峰消失了。讨论了退火对多量子阱光学性质的影响。; 吕国伟唐英杰李卫华黎子兰张国义杜为民; 关键词：INGAN/GAN 多量子阱光荧光快速热退火拉曼光谱荧光光谱

94K低温下和室温下GaN基MSM紫外光探测器性能的比较(英文)被引量：1: 2002年; 在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器 ,分别在室温下和 94K低温下 ,测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应。结果表明 ,在 94K下响应有了很大的改善。当光波长从 36 0nm增加到 4 5 0nm时 ,响应下降了 3个数量级 ,而常温下只下降两个数量级 ,但探测器的时间响应常数变长了。; 包春玉黎子兰陈志忠秦志新胡晓东童玉珍丁晓民杨志坚张国义; 关键词：MSM GAN 氮化镓紫外光探测器

Etch-Pits of GaN Films with Different Etching Methods被引量：1: 2004年; High quality GaN films on (0001) sapphire substrates were grown by a commercial MOCVD system (Thomas Swan Corp.).The etch pits and threading dislocations(TDs) in GaN films have been studied by chemical etching methods such as mixed acid solution (H 3PO 4∶H 2SO 4=1∶3) and molten KOH,HCl vapor etching method,scanning electron microscope (SEM) and transmission electron microscope(TEM).SEM images of the same position of GaN films with HCl vapor etching and wet etching methods show notably different densities and shapes of etching pits.The results indicate that HCl vapor etching can show pure edge,pure screw and mixed TDs,mixed acid solution can show pure screw and mixed TDs and molten KOH wet etching only can show pure screw TDs.; 陆敏常昕方慧智杨志坚杨华黎子兰任谦张国义章蓓; 关键词：GAN EPD TD

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响被引量：9: 2004年; 采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高; 陆敏方慧智黎子兰陆曙杨华章蓓张国义; 关键词：MOCVD GAN 缓冲层

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析: 2005年; 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.; 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义; 关键词：透射电镜激光剥离

GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理被引量：5: 2004年; 利用波长为 2 4 8nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离。对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜 (3μm)和InGaNLD外延膜 (5 μm)实现了大面积剥离。对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较 ,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为 2 0 0mJ/cm2 和 30 0mJ/cm2 ,优化结果表明 ,能量密度分别在 4 0 0mJ/cm2 和 6 0 0mJ/cm2 可实现稳定的剥离。同时对剥离后的InGaN多量子阱LD结构薄膜进行了解理 ,SEM观察显示获得的InGaNLD腔面平整光滑。; 黎子兰胡晓东章蓓陈科聂瑞娟张国义; 关键词：GAN INGAN LD 解理

腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性: 2004年; 利用熔融 KOH液对单层 Ga N腐蚀后进行二次 MOCVD外延生长 ,对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试 ,实验结果表明二次生长 2 h的薄膜具有最低的位错密度和最好的光学特性 .在腐蚀坑处 ,坑中早期的慢速生长及后期的侧向生长都抑制穿透螺位错的生长 ,坑边缘与中心的非对称生长会引入新的穿透刃位错 ,莲花状坑结构相遇连通可以使连通处的穿透刃位错消失 .; 陆敏方慧智陆曙黎子兰杨华章蓓张国义; 关键词：MOCVD GAN

GaN基外延层的激光剥离和相关问题研究: 工作主要集中在以下几方面:1,我们利用激光剥离技术成功地将MOCVD生长的GaN基单层外延层和InGaN LD、InGaN LED结构外延层与蓝宝石衬底分离.实验表明,对于原蓝宝石衬底背面抛光的和背面未抛光的外延片,在单...; 黎子兰; 关键词：GAN 激光剥离辐照损伤红移

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析: 用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子...; 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义; 关键词：线缺陷; 文献传递

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黎子兰