您的位置： 专家智库 > >

黄贤

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇感器
  • 11篇传感
  • 11篇传感器
  • 10篇压阻
  • 10篇压阻式
  • 9篇压力传感器
  • 9篇芯片
  • 9篇力传感器
  • 9篇键合
  • 8篇MEMS器件
  • 7篇芯片尺寸
  • 7篇封装
  • 7篇成品率
  • 6篇结构层
  • 5篇电阻
  • 5篇压力计
  • 5篇压敏电阻
  • 5篇压阻式压力传...
  • 5篇芯片结构
  • 4篇淀积

机构

  • 30篇北京大学

作者

  • 30篇何军
  • 30篇张大成
  • 30篇黄贤
  • 30篇杨芳
  • 30篇王玮
  • 28篇罗葵
  • 28篇李婷
  • 27篇田大宇
  • 27篇刘鹏
  • 23篇赵丹淇
  • 11篇张立
  • 7篇姜博岩
  • 6篇林琛
  • 2篇李睿
  • 2篇李丹
  • 2篇赵前程
  • 1篇王颖

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 11篇2015
  • 3篇2014
  • 9篇2013
共 30 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法
本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定，在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置，可以大幅提高硅应变膜厚度的...
黄贤杨芳张大成姜博岩王玮何军田大宇刘鹏罗葵李婷张立
一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法。本发明首次提出具有回旋镖结构的硅应变膜，压敏电阻排布于回旋镖结构的应力集中处，提高了压阻式压力传感器的灵敏度和线性度；选择LPCVD的SiO<Sub>2</Sub>/...
关淘淘杨芳黄贤张大成王玮姜博岩何军张立付锋善李丹李睿范泽新赵前程王玮
文献传递
一种预调阈值的post-CMOS集成化方法
本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺陷进行转化利用，不需...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
牺牲层腐蚀时间的测试结构及MEMS器件制备方法
本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
一种基于SOI硅片的MEMS压阻式绝对压力传感器
本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的&lt;100&gt;晶向排列，另外两个相对的...
黄贤张大成赵丹淇林琛何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法
本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式...
何军张大成黄贤赵丹淇林琛王玮杨芳田大宇刘鹏李婷罗葵
文献传递
无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器及其制作方法
本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿&lt;100&gt;晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿&lt;110&gt;晶向排列。其制作...
黄贤张大成赵丹淇林琛何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法
本发明涉及一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该MEMS压阻式压力传感器包括应变膜和压敏电阻，应变膜的正面边缘分布有岛结构，压敏电阻位于所述岛结构上。在制备时基片正面岛结构的制作在背腔各向异性腐蚀之前，避免正面制作...
黄贤张大成赵丹淇何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
一种自封装的MEMS器件及红外传感器
本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0