您的位置: 专家智库 > >

鲁泥藕

作品数:14 被引量:34H指数:4
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术生物学化学工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇生物学
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇气相沉积
  • 8篇化学气相
  • 8篇化学气相沉积
  • 6篇ZNS
  • 5篇等静压
  • 5篇透过率
  • 5篇热等静压
  • 5篇CVD
  • 4篇HIP
  • 3篇ZNSE
  • 2篇热等静压处理
  • 2篇稳定性
  • 2篇流型
  • 2篇均匀性
  • 2篇激光
  • 2篇激光窗口
  • 2篇功率
  • 2篇衬底
  • 2篇大功率
  • 1篇多光谱

机构

  • 14篇北京有色金属...

作者

  • 14篇鲁泥藕
  • 10篇霍承松
  • 8篇石红春
  • 6篇付利刚
  • 6篇杨海
  • 5篇余怀之
  • 5篇苏小平
  • 4篇黄万才
  • 4篇孙加滢
  • 3篇汪飞琴
  • 2篇宋睿丰
  • 2篇郑冉
  • 1篇魏乃光
  • 1篇张福昌
  • 1篇赵永田

传媒

  • 3篇红外与激光工...
  • 2篇功能材料
  • 1篇稀有金属
  • 1篇应用光学
  • 1篇2009年先...
  • 1篇第五届中国功...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2001
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大口径多光谱ZnS头罩的研制被引量:8
2008年
多光谱ZnS是一种综合性能优异的红外光学材料,在长波红外及多波段红外探测成像系统中被广泛应用。化学气相沉积和热等静压后处理是制备多光谱ZnS材料的关键技术。介绍了化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺制备多光谱ZnS的工艺原理及沉积大口径头罩的结构设计;报道了研制成功的270mm大口径多光谱ZnS头罩。经测试分析,头罩的全波段透过率均已接近理论水平、吸收系数≤0.01cm-1、折射指数均匀性达到2.2×10-5、硬度160kg/mm2、抗弯强度70MPa、断裂韧性1.0MPa·m1/2。与美国Rohm&Haas公司的多光谱ZnS产品相比,该头罩的主要性能指标与其处于同一水平。
霍承松杨海付利刚石红春鲁泥藕赵永田魏乃光孙加滢余怀之苏小平
关键词:大口径
CVD复制技术制备ZnS头罩
2007年
为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了CVD复制技术制备ZnS头罩的方法。着重阐述了衬底和CVD过程对复制ZnS头罩的影响,并列举了复制ZnS头罩时衬底材料的要求。
鲁泥藕霍承松付利刚石红春孙加滢杨海
关键词:衬底
大功率激光窗口ZnSe的制备原理及方法被引量:7
2004年
比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料,Ge、KCl、GaAs和ZnSe,指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料,并列举了3种ZnSe的制备原理及方法,阐述了CVD方法制备多晶ZnSe的过程.
鲁泥藕余怀之霍承松汪飞琴石红春
关键词:透过率ZNSE化学气相沉积
热等静压处理(HIP)对CVDZnS物相结构的影响
采用X射线衍射(XRD)和红外光谱仪(FTIR)对化学气相沉积ZnS和热等静压处理的多光谱ZnS在物相结构和透过率等方面的变化进行了比较分析。结果表明,原生ZnS中除了立方结构的主相外,还存在具有双折射现象的六方结构杂相...
黄万才石红春张福昌鲁泥藕霍承松杨海
关键词:热等静压
文献传递
原生CVDZnSe、CVDZnS晶体内Zn-H络合物含量不同的机理分析被引量:6
2005年
化学气相沉积ZnSe与ZnS晶体结构及物理性能近似,但原生ZnS在6.2μm处存在由Zn-H络合物引起的明显的吸收峰,其中的H来源于未分解的含H反应气体,而原生ZnSe则无此现象。比较分析它们的沉积条件(温度、压力)以及反应气性质后认为:ZnSe相对较高的沉积温度和反应气之一的H_2Se低的分解温度是主要的原因,同时高温可减弱含H缺陷对ZnS光学性能的影响;其次,ZnSe沉积中压力低使反应物浓度降低且有利于未参与反应的H2Se气体返回主气流减少了ZnSe晶体中Zn-H络合物的含量。
付利刚霍承松鲁泥藕
关键词:化学气相沉积ZNSEZNS
红外用CVD ZnS多晶材料的研制被引量:13
2008年
论述了制备红外用CVD ZnS多晶材料的化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺。针对CVD ZnS多晶材料具备优良的光学和力学性能,采用化学气相沉积工艺和热等静压处理技术成功研制出大尺寸多晶材料,其最大尺寸达到250 mm×15 mm。测试了CVD ZnS样品的各项光学、力学性能指标。样品的全波段透过率均接近ZnS材料的本征水平,折射指数均匀性优于2×10-5,在1.06μm的吸收系数为2×10-3cm-1,抗弯强度达到104 MPa。
杨海霍承松余怀之付利刚石红春鲁泥藕黄万才孙加滢郑冉苏小平
关键词:CVDZNS化学气相沉积热等静压处理
热等静压(HIP)过程对CVD ZnS显微结构的影响
本文通过测量热等静压(HIP)前后CVD ZnS的光学透过率,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVD ZnS 和经热等静压(HIP)处理后的CVD ZnS 的显微结构和晶体结构进行了分析。根据热等静压(H...
宋睿丰余怀之霍承松黄万才鲁泥藕
关键词:热等静压透过率
文献传递
CVD复制技术制备ZnS头罩
为减轻生产、加工难度和减少材料浪费,提出了 CVD 复制技术制备 ZnS 头罩的方法。着重阐述了衬底和 CVD 过程对复制 ZnS 头罩的影响,并列举了复制 ZnS 头罩时衬底材料的要求。
鲁泥藕霍承松付利刚石红春孙加滢杨海
关键词:衬底
文献传递
CVD工艺中气体流型的研究
2004年
化学气相沉积(CVD)法可制备高纯度、近似元件形状、大面积的块体材料,与制备薄膜的CVD过程相比,该过程存在长时间沉积稳定性、厚度均匀性及光学质量均匀性等问题.本文采用简化装置对CVD工艺过程进行物理模拟,探讨不同工艺参数下沉积室内部气体流型的变化,分析流型对沉积过程的影响.
汪飞琴苏小平鲁泥藕
关键词:化学气相沉积稳定性均匀性流型
一种用于圆形晶片包装的夹层架
一种用于圆形晶片包装的夹层架,它包括:至少一个夹层,每个夹层包括:位于上部的承载层,位于承载层下方的穹顶(5),所述的承载层包括:位于周边的“田”字型硬海棉框架(2),将空间分割为多个区域,每个区域中装有硬海绵横向分割条...
鲁泥藕
文献传递
共2页<12>
聚类工具0