马志华
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：太原科技大学更多>>
- 发文基金：山西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状
- 2005年
- 半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景。对半导体／介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共溅射法的基本原理及技术特点作了概要介绍。从镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态入手,分类评述了化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜近年来的研究状况,指出了这类复合薄膜的研究重点和发展方向。
- 马志华柴跃生孙钢张敏刚
- 关键词：纳米复合薄膜非线性光学性质SIO2三阶光学非线性化合物半导体光开关
- 射频磁控溅射技术制备Ge-SiO_2薄膜的结构和光学特性研究被引量：3
- 2005年
- 用射频共溅射技术和后退火的方法,制备出埋入SiO2基质中的Ge纳米晶复合膜(ncGe/SiO2)。用XRD对薄膜的晶体结构进行了测试,未经退火的样品呈现非晶状态,600℃退火后的薄膜中开始有Ge纳米晶粒出现。研究了薄膜的Raman散射光谱,发现了其红移和宽化现象。测量了薄膜的光致发光谱,所有样品都在394nm处发出很强的光,随着Ge纳米晶粒的出现,样品有310nm和625nm处的光发出,其强度随晶粒平均尺寸的增大而增强。
- 栾彩霞柴跃生孙钢马志华张敏刚
- 关键词：SIO2薄膜光学纳米晶粒光致发光谱复合膜XRD
- 纳米InP-SiO2复合薄膜的制备和光学特性研究
- 采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,在单晶Si(100)上制备了InP-SiO纳米晶镶嵌薄膜样品。在结构和光学性能上对薄膜进行了多方面的测试和分析,EDS表明复合膜中In和P元素基本符合化学配比;XRD和Rama...
- 马志华柴跃生张敏刚孙钢刘小鹏
- 关键词：射频磁控纳米晶粒拉曼散射光致发光
- 文献传递
