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马云峰

作品数：22 被引量：2H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市教委基金资助项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 14篇晶体
  • 9篇籽晶
  • 8篇晶体生长
  • 7篇浮区法
  • 7篇SUB
  • 6篇光学
  • 6篇X
  • 5篇化学计量
  • 4篇电学
  • 4篇电学性质
  • 4篇素坯
  • 3篇升温速率
  • 3篇陶瓷
  • 3篇晶体光学
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶炉
  • 2篇电学性能
  • 2篇压电
  • 2篇氧化锌
  • 2篇氧化锌陶瓷

机构

  • 22篇北京工业大学

作者

  • 22篇马云峰
  • 19篇王越
  • 13篇蒋毅坚
  • 9篇邸大伟
  • 8篇徐宏
  • 5篇张春萍
  • 4篇韩文辉
  • 3篇刘国庆
  • 2篇范修军
  • 2篇陈龙
  • 2篇曾勇
  • 2篇王强
  • 1篇黄强

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇中国晶体学会...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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一种生长Ca<Sub>0.28</Sub>Ba<Sub>0.72</Sub>(Nb<Sub>1-x</Sub>Ta<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>系列晶体的方法
一种生长Ca<Sub>0.28</Sub>Ba<Sub>0.72</Sub>(Nb<Sub>1?x</Sub>Ta<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>系列晶体的方法属于晶体生长领域...
王越马云峰蒋毅坚徐宏
文献传递
一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>晶体的方法
一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>晶体的方法，属于Ti:Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>晶体生长领域。先将TiO<Sub>2</Sub>和Ta<S...
蒋毅坚徐宏马云峰王越
文献传递
BiFe1-XCoXO3晶体光学浮区法生长及其物理性质研究
邸大伟马云峰韩文辉王越
几种高温易挥发氧化物晶体的垂直区熔法生长及性能研究
ZnO∶Ga晶体是一种集透明导电、超快速衰减闪烁和紫外发射等各项优异性能于一体的多功能、直接带隙、宽禁带半导体材料。多组分、重掺杂的厘米级ZnO∶Ga的单晶生长及其电学、光学性质随掺Ga浓度变化规律亟待系统性深入研究。钽...
马云峰
关键词：半导体氧化物晶体垂直区熔法电学性质光学性质
浮区法生长莫来石晶体的方法
本发明公开了一种浮区法生长莫来石晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>按照化学计量比进行配料；将配制的混合料进行球磨、烘干、过筛、预烧、再...
蒋毅坚张春萍马云峰徐宏王越梅晓平
文献传递
一种生长BiFe<Sub>1-x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>系列晶体的方法
一种生长BiFe<Sub>1‐x</Sub>Co<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Bi<Sub>2</Sub>...
王越邸大伟马云峰蒋毅坚
文献传递
BiFe1-XCoXO3晶体光学浮区法生长及其物理性质研究
＜正＞BiFeO3是一种单相的多铁材料,具有菱方扭曲的钙钛矿结构,属于R3C点群,在室温下铁电性和反铁磁性共存,并具有远高于室温的反铁磁奈尔温度（TN-380℃）和铁电居里温度（TC-830℃）,利用铁酸铋的多铁性可设计...
邸大伟马云峰韩文辉王越
文献传递
一种用放电等离子烧结研究镓掺杂氧化锌陶瓷最佳烧结工艺的方法
本发明提供一种用放电等离子烧结研究镓掺杂氧化锌陶瓷最佳烧结工艺的方法。将ZnO和Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉料按Ga<Sub>0.00075</Sub>Zn<Sub>0.99925</Sub>...
王越陈龙蒋毅坚梅晓平曾勇马云峰
文献传递
光学浮区法制备BiFe_(1-x)Co_xO_3及其性质研究
2013年
采用光学浮区法生长了BiFe1-xCoxO3（x=0、0．01、0．03、0．05、0．07、0.09、0．11）晶体。研究了生长温度、旋转速度、生长速度、有无气体冷却等工艺条件对熔区稳定和样品品质的影响。通过生长参数的优化，获得了尺寸为西（8—12）mm×（60—120）mm的晶体。测试的磁滞回线表明，随着Co掺杂比例的提高，室温下反铁磁性能逐渐增强，当x=0．11时，饱和磁化强度达到了5．5emu／g；介电温谱显示，5％Co掺杂样品的尼尔温度达到320毒的最低值，介电常数因Co替代Fe的比例增加而发生变化。
邸大伟王越马云峰韩文辉
关键词：磁化强度
二步烧结法制备SCNN陶瓷及其性能
2012年
在传统工艺设备制备的基础上,运用二步烧结法制备出钨青铜结构压电陶瓷Sr2-xCaxNaNb5O15(SCNN),通过对x=0.05～0.30的陶瓷研究,获得了具有较高压电系数(80pC/N)和介电常数(>1600)的SCNN陶瓷.X线衍射实验及扫描电镜实验的结果表明,该陶瓷具有极高的致密性.
王越黄强范修军马云峰
关键词：无铅压电陶瓷
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