霍钟祺
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金教育部跨世纪优秀人才培养计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法
- 本发明属于功能薄膜和微电子器件技术领域，具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铝－无机络合物介质层－铜(Al－Inorganic complexlayer－Cu)，二端的金属层做电极。其中的...
- 徐伟霍钟祺庄晓梦
- 文献传递
- 具有非易失存储功能的可逆有机电双稳器件被引量：4
- 2007年
- 报道一种能够在室温下具有可逆电双稳特性,并实现非易失信息存储功能的有机薄膜器件。器件为简单的三层结构,Al/HPYM/Ag,HPYM为一种有机分子材料,通过真空热蒸发法制成薄膜作为信息存储介质。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实现高阻态(“0”态)、低阻态(“1”态)的转变,相当于信号的写入和擦除。当外电场撤除时,其状态信息可以长时间保持,并且被小电压脉冲读取,两种导电态的阻值比约为105。
- 郭鹏董元伟霍钟祺吕银祥徐伟
- 一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法
- 本发明属于功能薄膜和微电子器件技术领域，具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铝-无机络合物介质层-铜 (Al-Inorganic complexlayer-Cu)，二端的金属层做电极。其中...
- 徐伟霍钟祺庄晓梦
- 文献传递
- 一种可重写无机薄膜电存储器件及其制备方法
- 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可重写的无机薄膜电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铜-无机功能介质层-铝结构，二端的金属层做电极。中间的无机功能介质层是由硫氰酸盐水溶液和铜底电极表面反应而获得...
- 徐伟季欣霍钟祺
- 文献传递
- 单面纳米结构金膜的制备被引量：2
- 2009年
- 提出一种基于界面扩散过程制备金膜表面纳米结构的方法.采用真空热蒸发方法依次蒸镀金和铜双层膜,经过热退火处理,再用化学腐蚀方法除去铜组分来制备单面纳米孔金膜.用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并比较了退火温度以及退火时间对纳米结构的影响.研究还发现,当这种具有纳米结构的金膜吸附有单分子层的对甲基苯硫酚或者4,4′-联吡啶分子后,能观察到明显的表面拉曼增强效应.制膜方法工艺简单,成本低,能制备大面积纳米结构金膜,且这种纳米结构的金膜在分子探测方面有应用前景.
- 霍钟祺季欣董元伟周辉徐伟
- 基于络合物薄膜的电存储器件及单面纳米结构金膜的研究
- 本论文由如下两部分组成。
基于络合物薄膜的电存储器件
随着存储技术的不断发展进步,许多新型的电存储材料和相关制备工艺被研究出来。
在本论文中,我们使用固-液界面反应方法制备电存储器件介质层薄膜。利用DM...
- 霍钟祺
- 关键词：阈值电压
- 一种可重写无机薄膜电存储器件及其制备方法
- 本发明属于微电子器件和功能无机薄膜技术领域，具体涉及一种可重写的无机薄膜电存储器件及其制备方法。器件的结构为：铜－无机功能介质层－铝结构，二端的金属层做电极。中间的无机功能介质层是由硫氰酸盐水溶液和铜底电极表面反应而获得...
- 徐伟季欣霍钟祺
- 文献传递
