陶岳彬
- 作品数：19 被引量：4H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法
- 本发明提供了一种背面出光的单芯片白光LED及其制备方法，在双面抛光的蓝宝石衬底上依次层叠非掺杂GaN层、蓝光有源层、黄绿光光致荧光层、n型欧姆接触层、紫外光有源层和p型欧姆接触层，其中：所述紫外光有源层是可发射紫外光波段...
- 张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
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- 电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
- 本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
- 张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
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- GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究
- 2012年
- 利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电流密度高达16kA/cm2时光功率密度输出未饱和,同时不存在明显的由于自热效应引起的发光波长红移。和300μm LED相比,相同注入水平下,10μm LED的EL峰值波长相对蓝移,表明微米LED中存在应力弛豫,10μmLED相对300μm LED应力弛豫大了约23%。APYSY模拟发现,由于应力弛豫和良好的电流扩展,微米LED中电流分布和载流子浓度更加均匀,这种均匀的分布使得微米LED具有高的发光效率,同时能够承受高的电流密度。
- 王溯源陶岳彬陈志忠俞锋姜爽张国义
- 关键词：GAN
- 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法
- 本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理...
- 于彤军方浩陶岳彬李兴斌陈志忠杨志坚张国义
- 电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
- 本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
- 张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
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- 一种单芯片白光发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光...
- 杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁张国义
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- 通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED
- 本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO<Sub>2</Sub>薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触...
- 张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
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- 80um厚膜自支撑同质外延LED生长及特性研究
- 为解决异质外延造成的高缺陷密度及应力引起极化效应等负面影响,本文利用MOCVD、HVPE结合LLO等技术实现80um厚膜自支撑结构同质外延。高分辨X射线衍射(HR-XRD)(0002)方向上的摇摆曲线分析,得知厚膜自支撑...
- 李俊泽陶岳彬陈志忠姜显哲付星星于彤军康香宁张国义
- 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法
- 本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理...
- 于彤军方浩陶岳彬李兴斌陈志忠杨志坚张国义
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- GaN基大功率蓝光LED的MOCVD生长和改善效率骤降特性的研究
- GaN基大功率蓝光LED已经取得了广泛应用，包括特种照明、景观照明、汽车照明、背光源、全色显示的广泛应用，更重要的是通用照明市场的开拓，它已经是是半导体器件研究的热点话题。大功率LED存在的两个主要问题：(1)缺少高效率...
- 陶岳彬
- 关键词：MOCVD生长
