陈树义
- 作品数：6 被引量：19H指数：4
- 供职机构：新疆大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能被引量：5
- 2002年
- 采用共溅射法在 ITo/玻璃基片上沉积 Cd Te掺 Nd薄膜 ,并利用 XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能 .结果表明 ,适当 Nd掺入可以改善 Cd
- 郑毓峰陈树义李锦简基康李冬来马忠权常爱民
- 关键词：CDTE薄膜钕掺杂电导性能
- 近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究被引量：7
- 2003年
- 采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.
- 李锦郑毓峰戴康徐金宝陈树义
- 关键词：电性能CDTE薄膜CSS技术碲化镉碲
- CdTe薄膜的制备方法比较及其结构性能研究被引量：13
- 2002年
- 采用真空热蒸发VE、射频溅射沉积RF和近距离升华CSS技术制备CdTe薄膜 ,并对其进行掺杂研究。样品利用XRD、SEM、紫外 可见分光光度计和霍尔系数测量系统进行测试。结果显示 ,CSS制备的CdTe薄膜与VE和RF法制备的薄膜相比 ,晶粒大 ,晶形好。适当的掺杂某些元素 ,适当的掺杂量 ,可以改善CdTe薄膜的结晶性能 ,提高其导电性能。掺杂对CdTe薄膜的光能隙影响不大。
- 李锦郑毓峰徐金宝孙严飞陈树义
- 关键词：CDTE薄膜掺杂
- CdS(Se)掺 Cu薄膜的相结构和光电性能(英文)
- 2002年
- 分别采用Χ射线衍射 (XRD)、俄歇电子谱 (AES)、Χ射线光电与谱 (XPS)研究喷涂烧结 Cd S(Se)薄膜在有氮气氛下热退火前后的结构 .并进一步研究了镉和硫化学态对表面层氧成分的影响 .结果表明 ,表现几个原子层范围内的 Cd S(Se)膜的非化学计量组成和 Cd
- 郑毓峰马忠权李锦孙言飞陈树义
- 关键词：相结构光电性能光谱特性铜掺杂
- 近距离升华薄膜装置的研制及特性被引量：4
- 2001年
- 详细介绍了近距离升华 (CSS)薄膜装置的研制及其特性 .并对利用该装置及利用射频溅射沉积的 Cd Te膜的结构进行了 XRD分析 .结果表明 ,CSS方法所得 Cd Te膜具有较大的晶粒尺度 ,结晶效果更好 .
- 陈树义郑毓峰简基康李东来马忠权
- 关键词：XRD碲化镉
- 共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能
- ＜正＞ 近年来,以二元和多元系复合半导体为基的多晶薄膜太阳电池引起人们极大的关注。研究最多的是以CuInSe（Te）和CdTe为电池吸收体的薄膜,其中近距离升华技术（CSS）制备的CdTe薄膜太阳电池转换系数已超过15%...
- 郑毓峰陈树义简基康李冬来马忠权赵彦明常爱民
- 关键词：CDTE薄膜电导
- 文献传递
