陈怀林
- 作品数：8 被引量：33H指数：3
- 供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 铯氧比对砷化镓光电阴极激活结果的影响被引量：9
- 2006年
- 实验和理论分析结果表明,激活成功的砷化镓光电阴极的铯氧比存在一个最佳值.砷化镓光电阴极铯氧比的控制可通过调节激活过程中铯源和氧源的加热电流大小来实现.激活实验结果表明,铯氧电流比适中的样品,首次进氧时,光电流上升速度最快,激活后的阴极量子效率最高,稳定性好.当偏离这个比例,过大或过小时,光电流上升速度都会减慢,激活结果也比前者差.随着铯氧电流比的增大,铯氧交替的总次数随之减少.最佳铯氧电流比的调节应以首次进氧时光电流的上升速度最快为准,一旦确定后在整个铯氧交替过程中保持不变.
- 邹继军常本康杜晓晴陈怀林王惠高频
- 关键词：量子效率
- 透射式变掺杂GaAs光电阴极研究
- 2013年
- 为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极。测试了玻璃粘接前后GaAs光电阴极载流子浓度变化,发现高温粘接后载流子浓度增加现象。通过测试高温激活的透射式变掺杂GaAs光电阴极发现,在450nm～550nm波段内,变掺杂GaAs光电阴极仍然具有较高的光谱响应。
- 陈怀林常本康牛军张俊举
- 关键词：GAAS光电阴极光谱响应透射式
- GaAs光电阴极表面电子逸出概率与波长关系的研究被引量：13
- 2006年
- GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数。应用该结论对反射式GaAs光电阴极激活实验结果进行了拟合分析。实验采用分子束外延GaAs材料,外延发射层厚度为1.6μm、掺杂浓度为1×1019cm-3,分析结果显示理论曲线与实验曲线存在偏差,而在激活台内阴极灵敏度下降后的光谱响应曲线拟合结果偏差更大。这种偏差是由于表面电子逸出概率对入射光子波长的依赖关系造成的,并非通常认为的与波长无关。经过光谱响应曲线的拟合分析得出,反射式阴极表面电子逸出概率与入射光子波长之间近似满足指数关系,两者通过表面势垒因子相联系。高、低温激活后阴极表面势垒因子分别为3.53和1.36。
- 邹继军陈怀林常本康王世允
- 关键词：光电子学指数函数光谱响应GAAS光电阴极
- 真空度对MBE GaAs光阴极激活结果的影响被引量：2
- 2009年
- 采用分子束外延(MBE)技术生长的GaAs光阴极材料,按照常规方法进行高-低温两步激活时,总是出现低温灵敏度比高温低的反常现象。研究中,当激活时的系统真空度从1×10-7Pa提升到1×10-8Pa时,发现结果能够重新出现低温灵敏度比高温灵敏度高30%的预期规律。此外,在系统真空度为10-7Pa条件下,由于变掺杂材料的表面掺杂浓度较低,其出现光电流时的首次进Cs时间也较均匀掺杂材料长,而在真空度为约10-9Pa条件下,这一情况也不再明显。初步分析造成该现象的原因,是与MBE材料的掺杂元素及其低温处理特性对真空度比较敏感有关。MBE阴极激活结果受系统真空度条件影响较大,因此对MBE变掺杂光阴极的制备工艺应随系统真空度条件不同而调整。
- 陈怀林牛军常本康
- 关键词：GAASMBE真空度
- 高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究
- 为了获得高量子效率的GaAs光电阴极,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长,且电子表面逸出几率大,而这两个参数都要受到P型掺杂浓度的限制。经过对由体内到表面掺杂浓度由高到低的变掺杂GaAs光电阴极进行比较深入的激活实验和...
- 陈怀林常本康张俊举杜晓晴
- 关键词：GAAS光电阴极光谱响应
- 文献传递
- 高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究被引量：1
- 2008年
- 为了获得高量子效率的GaAs光电阴极,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长,且电子表面逸出几率大,而这两个参数都要受到P型掺杂浓度的限制。经过对由体内到表面掺杂浓度由高到低的变掺杂GaAs光电阴极进行比较深入的激活实验和光谱响应理论研究,实验结果显示,适当的表面掺杂浓度GaAs光电阴极材料,在高温激活结束后获得了较高的灵敏度和较好的稳定性。根据实验结果和反射式变掺杂GaAs光电阴极量子效率理论预测曲线,对变掺杂GaAs光电阴极材料掺杂结构提出了进一步优化的思路。研究表明,变掺杂GaAs光电阴极将成为发展我国高性能GaAs光电阴极的一项重要途径。
- 陈怀林常本康张俊举杜晓晴
- 关键词：GAAS光电阴极光谱响应
- 微光像增强器亮度增益和等效背景照度测试技术被引量：9
- 2004年
- 研制了一台微光像增强器亮度增益和等效背景照度测试仪,对测试仪的总体结构、光学系统、机械结构、信号处理模块和计算机软硬件等部分进行了设计,采用测试入射像增强器阴极面光通量和荧光屏输出光通量之比的方法实现了像增强器的亮度增益测试,合理的结构设计保证了一台仪器对两个参量的测试。利用研制的测试仪对多种型号的像增强器的亮度增益和等效背景照度进行了测试,并分析了测试结果。
- 钱芸生常本康邱亚峰唐绩张俊举陈怀林
- 关键词：微光像增强器亮度增益
- 变掺杂GaAs光电阴极的研究进展被引量：2
- 2009年
- 从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研究是我国走自主创新道路、提高国内三代微光器件性能的有效途径。
- 陈怀林牛军常本康
- 关键词：GAAS光电阴极
