2024年11月6日
星期三
|
欢迎来到营口市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
陈伟中
作品数:
13
被引量:3
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
李泽宏
电子科技大学
张波
电子科技大学
任敏
电子科技大学
刘永
电子科技大学
张金平
电子科技大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
12篇
专利
1篇
学位论文
领域
1篇
电子电信
主题
7篇
半导体
6篇
功率器件
6篇
半导体功率器...
3篇
电流
3篇
电路
3篇
运算放大器
3篇
增益
3篇
增益带宽
3篇
频率补偿
3篇
频率补偿技术
3篇
模拟集成电路
3篇
集成电路
3篇
放大器
3篇
IGBT器件
2篇
低功耗
2篇
电压
2篇
电压控制
2篇
电压控制电流...
2篇
自检测
2篇
芯片
机构
13篇
电子科技大学
作者
13篇
陈伟中
9篇
张波
9篇
李泽宏
7篇
任敏
6篇
刘永
5篇
张金平
3篇
杨云
3篇
罗萍
3篇
甄少伟
3篇
廖鹏飞
2篇
李巍
2篇
姚鑫
2篇
王为
1篇
安俊杰
1篇
张蒙
1篇
李长安
1篇
齐钊
1篇
许志斌
年份
2篇
2016
6篇
2014
2篇
2013
3篇
2012
共
13
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管
一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统晶闸管的N-漂移区(6)中掺入深能级杂质元素(硫、硒、碲、金或铂),深能级杂质元素随着温度升高,电离度增加,导致杂质浓度增加,从而能有效减少...
李泽宏
李巍
陈伟中
张蒙
张金平
任敏
张波
文献传递
一种能消除负阻效应的RC-IGBT
一种能消除负阻效应的RC-IGBT,属于半导体功率器件领域。本发明在传统RC-IGBT基础上,通过版图设计将IGBT区域设计在有源区,二极管区域设计在IGBT的四周形成过渡区。通过这样的版图设计,使得器件工作在IGBT模...
李泽宏
陈伟中
刘永
廖鹏飞
张波
文献传递
一种三级运算放大器
本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及模拟集成电路中的运算放大器的频率补偿技术。本发明所述的一种三级运算放大器,包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路,其特征在于,电容倍增模块嵌入到所述...
罗萍
齐钊
许志斌
陈伟中
杨云
甄少伟
文献传递
一种具有系列P浮空埋层的RC-IGBT
一种具有系列P浮空埋层的RC-IGBT,属于半导体功率器件领域。本发明是在传统RC-IGBT基础上,通过增加P浮空层(10)(位于介质埋层(12)上方的N缓冲层(7)中)、介质埋层(12)(位于N集电区(8)和P集电区(...
李泽宏
陈伟中
刘永
任敏
张金平
张波
文献传递
一种低功耗IGBT器件及其外围电路
本发明涉及电子技术,具体的说是涉及一种通过工作点自调节实现低功耗的IGBT及其外围自检测与反馈电路。本发明的原理是:利用IGBT工作时电子电流与空穴电流的比值与Vce和Eoff具有对应关系,通过采样检测IGBT工作时的电...
任敏
陈伟中
刘永
王为
姚鑫
杨珏琳
李泽宏
张金平
张波
文献传递
一种两级运算放大器
本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及模拟集成电路中的运算放大器的频率补偿技术。本发明所述的一种两级运算放大器,包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路,其特征在于,所述第一级放大电路包括电容倍增模块,所...
罗萍
廖鹏飞
杨云
陈伟中
甄少伟
文献传递
一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS。本发明的具有P型辅助埋层的半超结VDMOS,其特征在于,在N型底部辅助层4中设有P型辅助埋层3,所述P型辅助埋层3与N<Sup>+</Sup>衬...
李泽宏
刘永
陈伟中
任敏
张波
文献传递
一种两级运算放大器
本发明涉及涉及电子电路技术,具体的说是涉及模拟集成电路中的运算放大器的频率补偿技术。本发明所述的一种两级运算放大器,包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路,其特征在于,所述第一级放大电路包括电容倍增模块...
罗萍
廖鹏飞
杨云
陈伟中
甄少伟
文献传递
一种双阳极短接的IGBT器件
一种双阳极短接的IGBT器件,属于半导体功率器件技术领域。器件的阳极结构为双阳极短接结构,包括第一、第二P+空穴发射层、金属集电极和二氧化硅阻挡层;二氧化硅阻挡层位于第一P+空穴发射层背面;金属集电极位于第一P+空穴发射...
李泽宏
陈伟中
安俊杰
张波
文献传递
一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT
一种具有P浮空层电流栓的RC-IGBT,属于半导体功率器件领域。本发明是在传统RC-IGBT的N集电区和P集电区之间引入介质埋层,并在介质埋层上方的N型缓冲层中引入一个p浮空层电流栓。本发明在基本不影响器件其他参数的情况...
李泽宏
陈伟中
刘永
任敏
张波
文献传递
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张