陈之战
- 作品数：77 被引量：365H指数：10
- 供职机构：上海师范大学数理信息学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市教育委员会创新基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用被引量：2
- 2009年
- 采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.
- 黄维陈之战陈博源张静玉严成锋肖兵施尔畏
- 关键词：欧姆接触SIC互扩散
- 一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法
- 本发明涉及一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法，属于半导体材料制备领域。本发明是利用电磁场约束电感耦合增强气相沉积系统，以氧化锌为溅射靶材，在工作气体氩气中通入氮气作为反应气，使溅射射频功率为100～300W，...
- 张华伟施尔畏陈之战
- 文献传递
- 籽晶辅助化学气相传输法生长ZnO单晶的特征研究被引量：1
- 2007年
- 采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体.X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长。结晶质量较好,中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec,边缘部分为78.4arcsec.利用Rainan谱、光致发光谱等研究了ZnO晶体退火前后的缺陷和光学性质,表明经氧气氛退火后晶体缺陷明显减少,晶体质量进一步提高.
- 张华伟施尔畏陈之战严成锋陈博源
- 关键词：氧化锌摇摆曲线拉曼光谱光致发光谱
- 一种气相晶体生长压力自动控制系统
- 本发明涉及一种气相晶体生长压力自动控制系统，属于压力控制设备与系统领域。本发明包括真空室1、进气气源2、质量流量计3、真空泵4、压力控制仪表5、自动针阀调节器6、绝对压力传感器7。进气气源2由质量流量计3控制，通过管道与...
- 陈之战施尔畏肖兵
- 文献传递
- 高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶
- 本发明涉及一种高品质大碳化硅单晶的制备方法以及以此方法制备的碳化硅单晶。制备方法包括如下步骤：把籽晶放置在涂覆富碳聚合物的籽晶架上，加热使富碳聚合物热固化；在惰性气氛中加热，使富碳聚合物热解碳化；采用籽晶引导气相输运技术...
- 严成锋陈之战施尔畏肖兵陈义
- 4H-、6H-及15R-晶型SiC晶体光学特性研究
- 李祥彪施尔畏陈之战张勇肖兵
- 文献传递
- Co掺杂ZnO薄膜的局域结构和电荷转移特性研究被引量：4
- 2009年
- 采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法在不同的氧气分压下制备了Zn0.95Co0.05O和Zn0.94Co0.05Al0.01O薄膜.利用X射线吸收精细结构技术对薄膜O-K,Co-K和Co-L边进行了局域结构研究,结果表明:Co2+取代了四配位晶体场中的Zn2+而未改变ZnO的六方纤锌矿结构,高真空条件下制备的薄膜具有较多的氧空位缺陷.利用共振非弹性X射线散射研究了薄膜Co-L和O-K边电荷转移情况,结果表明:Zn0.94Co0.05Al0.01O薄膜中Co-3d与传导电子之间的电荷转移强度明显强于Zn0.95Co0.05O薄膜,在较低氧气分压下制备的Zn0.95Co0.05O薄膜的电荷转移强度强于高氧气分压下制备的薄膜.
- 刘学超陈之战施尔畏严成锋黄维宋力昕周克瑾崔明启贺博韦世强
- 关键词：稀磁半导体X射线吸收精细结构
- 一种Al掺杂的氧化锌透明导电薄膜的制备方法
- 本发明属于透明导电薄膜领域，涉及Al掺杂的ZnO透明导电薄膜的制备方法，尤其涉及电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-PVD)。该ICP-PVD法先制备Zn<Sub>1-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>O...
- 刘学超陈之战宋力昕施尔畏
- 双室结构碳化硅晶体生长装置
- 本发明涉及一种双室结构碳化硅晶体生长装置，属于晶体生长装置领域。本发明采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室通过真空挡板阀连接分离，进样室和晶体生长室连接真空系统。本发明的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保...
- 陈之战施尔畏严成锋肖兵
- 文献传递
- 一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置
- 陈博源陈之战施尔畏严成锋
- 该发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置.该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈.该发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺.其主要特点为：...
- 关键词：
- 关键词：单晶
