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邹代峰

作品数:20 被引量:7H指数:1
供职机构:湖南科技大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省自然科学基金湖南省普通高等学校教学改革研究项目更多>>
相关领域:理学文化科学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 18篇中文期刊文章

领域

  • 13篇理学
  • 4篇文化科学
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 4篇教学
  • 4篇SR
  • 3篇形成能
  • 3篇稳定性
  • 3篇纳米
  • 3篇磁性
  • 2篇点缺陷
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁特性
  • 2篇思维
  • 2篇纳米复合体
  • 2篇纳米复合体系
  • 2篇课程
  • 2篇CUO
  • 2篇MNO
  • 1篇挡位
  • 1篇等离子体
  • 1篇低场
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...

机构

  • 14篇湖南科技大学
  • 6篇中南大学
  • 2篇湖南理工学院
  • 2篇武汉材料保护...
  • 1篇湖南工业大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇湘潭大学
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇山西大学
  • 1篇西南大学

作者

  • 18篇邹代峰
  • 6篇许英
  • 5篇聂国政
  • 2篇门高夫
  • 2篇高永毅
  • 2篇贾伟尧
  • 2篇郭光华
  • 2篇肖祥定
  • 1篇唐京武
  • 1篇钟春良
  • 1篇唐利强
  • 1篇韩念梅
  • 1篇李宏建
  • 1篇刘丽娟
  • 1篇吴伶锡
  • 1篇杨兵初

传媒

  • 3篇原子与分子物...
  • 1篇物理学报
  • 1篇机械强度
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇高师理科学刊
  • 1篇湘潭师范学院...
  • 1篇湖南理工学院...
  • 1篇湖南文理学院...
  • 1篇当代教育理论...
  • 1篇才智
  • 1篇材料研究与应...
  • 1篇湖南中学物理
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇物理教学探讨

年份

  • 3篇2025
  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2015
  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善被引量:1
2015年
制备了基于内嵌氧化物铜(CuO)薄膜的并五苯薄膜晶体管器件.将3 nm CuO薄膜内嵌入到并五苯(pentacene)中,作为空穴注入层,降低电极与并五苯之间的空穴注入势垒.相对于纯并五苯薄膜晶体管器件,研制的晶体管的迁移率、阈值电压(VTH)、电流开关比(Ion/Ioff)等参数都有明显改善.X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯向CuO的电子转移.
聂国政邹代峰钟春良许英
关键词:有机薄膜晶体管CUO电子转移接触电阻
亚波长周期性各向异性金属薄膜的等离子体共振特性被引量:1
2011年
基于各向异性模型,运用全矢量的3维时域有限差分法(FDTD),研究了在外磁场作用下,亚波长周期性各向异性金属薄膜的表面等离子体共振机制和特性,即由周期性穿孔形成的局域波导共振和由周期性结构引起的光子晶体共振效应。研究发现:当薄膜厚度一定时,两种等离子体共振模式都会随着外磁场的增大而向短波方向移动;而当外磁场一定、薄膜变厚时,周期结构因素引起的共振传输峰向长波方向转移,波导共振传输峰向短波方向转移;通过调控外加磁场的大小或方向可控制光通过金属薄膜的增强传输效应。
唐京武刘丽娟高永毅唐利强邹代峰
关键词:表面等离子体
InSe单层中点缺陷的第一性原理研究
2025年
InSe是Ⅲ-Ⅵ族化合物中的主要成员,由于其具有优异的电学性能,在太阳能电池、固体电池组等领域受到广泛的关注.光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而Ⅲ-Ⅵ族化合物中的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层InSe中点缺陷的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)和Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE)对比研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层InSe的硒空位、铟空位、溴替代硒、硫替代硒、碲替代硒、镓替代铟、锡替代铟和铊替代铟的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在缺铟和富铟条件下,硫替代硒和镓替代铟的缺陷形成能低且可以有效的降低体系总能,提高体系的稳定性.溴替代硒具有较小的缺陷形成能,但较大的体系总能表明溴替代硒的缺陷体系不稳定.在缺铟条件下易形成铊替代铟缺陷;在富铟条件下易形成碲替代硒缺陷.上述研究结果有助于理解点缺陷对Ⅲ-Ⅵ族化合物稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于InSe的高效的光电子器件提供理论依据.
何诗颖谢瑞恬刘娟邹代峰赵宇清许英许英
关键词:稳定性形成能点缺陷
N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响
2008年
用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小,而光学带隙先增大后减小;当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙Eg增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明:较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。
聂国政邹代峰杨兵初李宏建
关键词:光学性质俄歇电子能谱电子结构
La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/SrFe_(12)O_(19)纳米复合体系的电性、磁性及磁电阻效应
2007年
La0.67Sr0.33MnO3/SrFe12O19复合体系的磁滞回线形状特征以及体系的剩磁增强,表明La0.67Sr0.33MnO3与SrFe12O19两相之间存在铁磁交换耦合作用.随SrFe12O19复合量的增加,体系的电阻率增大、低场磁电阻减小,并且出现了金属-半导体的转变,该转变温度低于La0.67Sr0.33MnO3的居里温度.
邹代峰聂国政贾伟尧
关键词:纳米复合体系电性磁性磁电阻交换耦合
固体物理课程教学改革
2015年
固体物理学是研究固态物质的微观结构及固体宏观物理特性的一门学科.它是物理、材料及电子类专业的一门应用基础课程,也是许多新兴电子、材料科学的基础.这些新兴的科技成果不断地完善固体物理学科的内容.
聂国政邹代峰许英
关键词:固体物理物理课程教学应用基础课物理课堂教学电子类专业
La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/CuO纳米复合体系的微结构及电磁特性研究
2006年
采用溶胶-凝胶法制备了La0.67Sr0.33MnO3纳米多晶样品,用沉淀法制备了CuO纳米微粉,将两种粉体充分混合、压片后烧结,经室温X射线衍射检测分析后表明,复合后两相是以各自的独立相存在。通过直流磁化强度测量以及标准四探针法对材料电磁特性进行研究,结果表明复合CuO后体系的居里温度基本保持不变,但磁化强度变小,这主要是由于CuO加入对整个体系的磁性起稀释作用;复合CuO后体系的电阻率增大,出现了金属-半导体转变的较宽的峰值,且该转变温度低于居里温度,这是由于CuO的复合增强了La0.67Sr0.33MnO3的外禀属性。
邹代峰郭光华门高夫
关键词:锰氧化物电磁特性
振动时效效果评定的参数曲线观察法的理论说明被引量:2
2019年
以具有对接焊接残余应力的非线性矩形薄板为研究对象,根据非线性振动理论,研究了焊接残余应力对非线性构件固有频率和幅值的极大值的影响;对振动时效效果评定的参数曲线观察法进行了理论说明;得出了非线性矩形薄板的稳态响应振幅的极大值和固有频率随残余应力的变化为非线性变化关系;幅值的极大值随残余应力减少而增加;固有频率随残余应力减少而减小等结论。
高永毅李志高付响云邹代峰
关键词:焊接残余应力矩形薄板固有频率
课程思政在万有引力课堂教学中的设计与实践
2023年
要实现“立德树人”的根本战略目标,教育是最为重要的一环。物理学作为研究物质基本结构和基本相互作用性质的学科,渗透在自然科学的各个领域,是自然科学和工程技术的基础。物理课程教学中有着丰富的思政元素,本文以高中物理第六章“万有引力与航天”为例,将学科教育与德育相融合,在课堂中巧妙地引入思政元素,树立正确的核心价值观,培养学生的核心素养,厚植学生的爱国主义情怀,坚定学生的理想信念,从而达到立德树人的根本目的。
张钰易婉陆振烟麻志君邹代峰
关键词:物理教学立德树人万有引力与航天
单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的形成与稳定性
2025年
Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)是卤化铅钙钛矿材料的新成员,由于其高的光吸收系数和长的载流子迁移距离等优异的光电物理性能,在太阳能电池、光电探测器、场效应晶体管以及发光二极管等领域受到广泛的关注.其中光电材料及器件的优良特性由电子结构决定,而钙钛矿的点缺陷对电子结构具有重要的调控,且单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)中点缺陷的研究尚且缺乏.本文基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的铯空位、碘空位、氯空位、铯替代铅、碘替代铯、碘替代铅、碘替代氯、氯替代铯、氯替代铅和氯替代碘的缺陷形成能和稳定性进行了研究.结果表明:在富铅和缺铅条件下,碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能偏低,且氯替代碘能有效降低体系总能,提高体系稳定性.在缺铅条件下铯空位缺陷形成能低于富铅条件,在缺铅条件下更易形成铯空位;富铅和缺铅条件下对碘替代氯和氯替代碘的缺陷形成能基本无影响.上述研究结果有助于理解点缺陷对钙钛矿材料稳定性的影响,同时也为未来实验上设计基于Cs_(2)PbI_(2)Cl_(2)的高效的光电子器件提供理论依据.
何诗颖赵宇清邹代峰许英许英禹卓良
关键词:形成能点缺陷稳定性
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