胡关钦
- 作品数：52 被引量：126H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术天文地球更多>>
- 锗酸铋晶体光电导性质的研究
- 1992年
- 生长了六种掺杂锗酸铋(简称 BGO)晶体(分别掺 Fe、Cr、Mn、W、Pb 和 Ce)。在合适的测试条件下,测量了它们的光吸收系数、光电导参数和暗电导率,并与未掺杂样品进行了比较。计算出了样品的特征参量μφτ,为上述材料光折变性质的研究提供了必不可少的数据。在此基础上,对 BG0∶Cr、BGO∶Fe 和BGO∶Mn 晶体的光折变机制进行了简略的讨论,认为 BGO∶Cr 中的光折变中心可能是:Cr^(3+)作为施主,Cr^(4+)作为电子陷阱;或 Cr^(4+)作为受主,Cr^(3+)为空穴陷阱。
- 冯锡淇程朝阳胡关钦黄效仙殷之文
- 关键词：半导体掺杂锗酸铋晶体
- 新型无机闪烁晶体BGO被引量：4
- 1994年
- 介绍了ＢＧＯ晶体的发现与发展、性能与应用及影响其性能与质量的主要因素，以便开辟ＢＧＯ新的应用领域。
- 古佩新胡关钦华素坤李培俊
- 关键词：闪烁晶体辐照损伤
- Sb掺杂钨酸铅晶体中Sb的分布与闪烁特性研究被引量：3
- 1999年
- 研究了 Ｂｒｉｄｇｍａｎ 法生长的 Ｓｂ 掺杂钨酸铅（ Ｐ Ｗ Ｏ） 晶体中 Ｓｂ 的分布和闪烁特性。晶体中 Ｓｂ 含量的测定表明， Ｓｂ 在 Ｐ Ｗ Ｏ 晶体中的分凝系数约为０ ．６３ 。由于 Ｓｂ 掺杂可以补偿 Ｐ Ｗ Ｏ 晶体的组分缺失而降低其中空位和一些色心的浓度，与未掺杂晶体相比较， Ｓｂ 掺杂晶体具有更好的光学透过率和更高的发光强度。而且，在富氧气氛下退火后， Ｓｂ 掺杂晶体的发光谱特征变化较小，仍能保持较高的快慢分量比。
- 刘先才胡关钦冯锡淇张明荣徐力殷之文
- 关键词：掺杂钨酸铅晶体发光强度闪烁晶体锑
- 生长温度梯度对Bi_4Ge_3O_(12)晶体辐照损伤的影响
- 2003年
- 研究了两类不同条件下生长的Bi_4Ge_3O_(12)晶体紫外辐照前后的光学透射谱和能量分辨率,研究结果指出:第一类晶体(高温度梯度生长)经紫外辐照后,在480nm透过率有明显下降(20％以上),能量分辨率也明显变差(改变5％以上).而第二类晶体(低温度梯度生长)经紫外辐照后,其透射谱以及能量分辨率基本不变.从晶体缺陷角度讨论了造成两类不同晶体抗辐照性能存在差别的原因.
- 肖海斌胡关钦徐力
- 关键词：温度梯度辐照损伤
- 高闪烁性能硼酸镥的相变研究
- 自1961年起LuBO一直被认为在高于1310℃时以六方对称的球霰石相存在,我们通过对多种合成条件的摸索,经XRD粉末衍射精修分析,可以在1500℃用高温固相法获得LuBO新的结构,同时测试了它的真空紫外发光性能。150...
- 金滕滕满振勇胡关钦陈昊鸿杨昕昕赵景泰
- 掺钕Bi＃-[4]Ge＃-[3]O＃-[12](BGO)晶体的生长和激光性质
- 赵元龙胡关钦古佩斯
- 关键词：钕闪烁晶体染料激光器光谱分析锗酸盐
- 220毫米长的大尺寸氟化铈晶体的生长技术
- 本发明涉及晶体生长技术，尤其是大批量生长220毫米长的大尺寸优质氟化铈晶体的技术，属晶体生长领域。本发明提供的技术包括原料处理、坩埚、生长设备以及生产工艺四方面。用本发明提供的技术可以大批量生长长度达220mm的CeF<...
- 胡关钦殷之文徐力古佩新赵元龙江金娥
- 文献传递
- 杂质对锗酸铋晶体光学质量的影响
- 1992年
- 杂质引起的各种缺陷,对锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12)简称BGO 晶体的光学质量产生严重影响。本工作利用透过光谱比较、光学显微术、扫描电子显微镜、电子探针分析等手段研究了这些缺陷的形貌和形成机理,也讨论了改善晶体光学质量的方法。
- 徐力潘志雷胡关钦冯锡淇
- 关键词：锗酸铋晶体
- 掺Cr和掺Pr的Bi4Ge3O12晶体的线性光伏效应
- 锗酸铋BiGeO(BGO)属于立方晶系(点群43m),是硅铋硅BiSiO的同型晶体。据Moya et al报道,掺Cr的BGO晶体可能是一种有希望的光折变材料,但据我们所知,至今尚无关于BGO晶体光伏效应的报道。
- 冯锡淇胡关钦程朝阳殷之文
- 文献传递
- 激光／磁光复合功能晶体－Nd：Bi_4Ge_3O_（12）被引量：2
- 1994年
- 随着半导体二极管激光泵浦技术的发展，掺钕锗酸铋（Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ（１２））晶体重新成为一种引人注目的激光材料．本文给出Ｎｄ：ＢＧＱ在８００ｎｍ附近的光吸收和激发谱，以及１０６μｍ波段的受激发射性能．并首次测得它在１．０６μｍ处室温Ｖｅｒｄｅｔ常数为０．０３３’／ｃｍ·Ｇｓ．比ＦＲ－４磁光玻璃高２７％，这意味着，Ｎｄ：ＢＧＯ已成为目前唯一的激光／磁光复合功能材料．本文讨论了Ｎｄ：ＢＧＯ中各类缺陷的形成机制及消除办法，通过改进工艺参数，生长出光学性质优良、Ｎｄ２Ｏ３掺入量达到１．５Ｗｔ％的晶体．利用其自身的磁光效应，研制成二极管激光泵浦、自调ＱＮｄ：ＢＧＯ激光器，获得１００ｎｓ的稳定脉冲输出．
- 胡关钦冯锡淇殷之文周复正杨义
- 关键词：BGO锗酸铋磁光激光
