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程伟: 作品数：25 被引量：11H指数：2; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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改进了渡越时间方程的InP DHBT模型: 建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHB大信号模型。从HB电荷方程出发,首先给出了InP DHB的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHB集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHB的渡越时间...; 葛霁金智程伟苏永波刘新宇; 关键词：大信号模型; 文献传递

利用聚酰亚胺制作介质桥的方法: 本发明公开了一种利用聚酰亚胺制作介质桥的方法，包括以下步骤：在基片上涂布光刻胶，光刻桥面；蒸发金属，剥离后形成桥面；在基片上涂布光刻胶，光刻桥墩；蒸发金属，剥离后形成桥墩；在基片上涂布聚酰亚胺，并高温固化；利用干法刻蚀将...; 程伟金智苏永波刘新宇

W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真被引量：1: 2008年; 介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHBT器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHBT器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中心频率为94GHz,采用共发射极和共基极的Cascode结构,并且工作在Class A状态,以获得较大的功率增益和线性度。输入和输出匹配网络设计为共轭匹配,并且针对功率放大器的热稳定性和电稳定性进行优化设计。传输线结构采用在InP衬底上的CPW结构,原理图及电磁场仿真结果显示,功率放大器在94GHz工作频率下增益为6.1dB,3dB带宽为DC^103GHz,饱和输出功率大于16dBm,同时输入输出回波损耗小于-20dB,隔离度大于30dB。目前电路正在流片制作当中。; 陈高鹏葛霁程伟王显泰苏永波金智刘新宇; 关键词：W波段磷化铟功率放大器单片微波集成电路

改进了渡越时间方程的InP DHBT模型: 2008年; 建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHBT大信号模型。从HBT电荷方程出发,首先给出了InP DHBT的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHBT集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHBT的渡越时间,提出了一个简单准确的渡越时间方程,进而得到了扩散电荷方程。最后,建立了一个基于改进的电荷方程的新的InP DHBT大信号模型。新的模型的直流,S参数在很宽的偏置范围下均与实际测试结果拟合完好,准确地预测了器件的特性。; 葛霁金智程伟苏永波刘新宇; 关键词：大信号模型

InP HBT器件及超高速数字电路研究: InP HBT具有非常突出的频率特性、良好的器件一致性以及击穿特性，是实现超高速数字/数模混合电路的最佳选择。论文对InP HBT器件及超高速数字电路进行了研究，所取得的主要研究成果如下：　　 1、基于能带工程理论，对...; 程伟; 关键词：频率特性

含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计被引量：3: 2007年; 为了降低InPDHBT的B-C之间的导带势垒,抑制电流阻挡效应,采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构.第一次从理论上分析了此种类型的复合式集电区各个参数对于DHBT性能的影响并给出了优化方案,为此类型的复合式集电区结构的设计提供了理论指导和设计参考.基于文中所述的理论,对文献中的数据进行了分析,得到了令人满意的结果.; 程伟金智于进勇刘新宇; 关键词：INP/INGAAS HBT

利用苯并环丁烯制作介质桥的方法: 本发明公开了一种利用苯并环丁烯制作介质桥的方法，包括以下步骤：在基片上涂布光刻胶，光刻桥面；蒸发金属，剥离后形成桥面；在基片上涂布光刻胶，光刻桥墩；蒸发金属，剥离后形成桥墩；在基片上涂布苯并环丁烯，并高温固化；利用干法刻...; 程伟金智苏永波刘新宇; 文献传递

一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法: 本发明公开了一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，包括：在制作的亚微米HBT发射极金属/HEMT栅金属之上制作牺牲介质层，并剥离形成带有牺牲介质层的HBT发射极金属/HEMT栅金属；在基片具有HBT发射极/HEM...; 于进勇刘新宇金智程伟夏洋; 文献传递

Ultra High-Speed InP/InGaAs SHBTs with f_t of 210GHz被引量：1: 2008年; PolYimide passivation and planarization process techniques for high speed InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistors （SHBTS） are developed. A maximum extrapolated ft of 210GHz is achieved for the SHBT with 1.4μm × 15μm emitter area at VCE = 1. 1V and Ic = 33.5mA. This device is suitable for high speed and low power applications,such as ultra high speed mixed signal circuits and optoelectronic communication ICs.; 程伟金智刘新宇于进勇徐安怀齐鸣; 关键词：INP HBT POLYIMIDE PLANARIZATION

一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法被引量：2: 2009年; 研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题.考虑了基极-发射极和集电极-发射极引线间的交叠电容,并从物理上区分了InPDHBT的本征电阻、外部电阻与寄生电阻,建立了一个基于物理的InP基DHBT小信号模型.同时提出了一套直接提取模型参数的方法,该方法无需引入数学优化,具有清晰的物理意义.提取的结果在很宽的偏置范围内准确地拟合了器件特性,验证了模型的准确性与提取方法的有效性.; 葛霁金智苏永波程伟刘新宇吴德馨; 关键词：小信号模型