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田亮

作品数:10 被引量:4H指数:1
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信环境科学与工程建筑科学更多>>

文献类型

  • 4篇学位论文
  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 3篇膜分离
  • 3篇聚电解质
  • 3篇复合物
  • 3篇复合物膜
  • 2篇电场
  • 2篇电场力
  • 2篇直流电场
  • 2篇离子
  • 2篇离子溶液
  • 2篇膜分离技术
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇调度
  • 1篇调度算法
  • 1篇以太网无源光...
  • 1篇质量流量控制...
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅器件
  • 1篇同步采样
  • 1篇透水
  • 1篇欧姆接触

机构

  • 10篇北京工业大学

作者

  • 10篇田亮
  • 3篇张国俊
  • 3篇高学
  • 3篇纪树兰
  • 3篇刘忠洲
  • 2篇孙丽媛
  • 2篇邹德恕
  • 2篇高志远
  • 1篇张露
  • 1篇王海燕
  • 1篇郎建垒
  • 1篇马莉
  • 1篇沈光地
  • 1篇杨子斌
  • 1篇程水源
  • 1篇王刚

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 3篇2008
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
以太网无源光网络系统测试与调度算法研究
随着Internet提供的业务不断增加,人们对网络带宽的要求逐渐增高,发展新的接入网技术来解决目前“最后一公里”的带宽瓶颈问题的需求越来越迫切。以太网无源光网络(EPON)作为一种新型的光接入技术,结合了以太网技术和PO...
田亮
关键词:以太网无源光网络光线路终端光网络单元调度算法
文献传递
采样系统
本实用新型提供的采样系统,涉及环境监测仪器技术领域,包括切割头、膜托、质量流量控制器与采样泵,实现分级颗粒物与VOCs的同步采样,膜托包括膜托Ⅰ和膜托Ⅱ,质量流量控制器包括质量流量控制器Ⅰ、质量流量控制器Ⅱ、质量流量控制...
程水源郎建垒王刚杨子斌田亮王海燕
文献传递
聚电解质复合物膜的电场强化组装方法及装置
聚电解质复合物膜的电场强化组装方法及装置属于膜分离技术领域。现有的层层静电吸附自组装法常常需要复合50~60层才能获得较好的膜性能,制膜程序复杂,周期长,且对膜结构的可调控性较差。所述的聚电解质复合物膜的电场强化组装方法...
张国俊纪树兰高学刘忠洲田亮
文献传递
连梁阻尼器在高层剪力墙结构中的应用研究
随着我国经济的迅速发展,高层建筑结构的发展十分迅速,结构体系呈多样化、复杂化的趋势,钢筋混凝土剪力墙结构因其抗侧刚度大、承载能力高,在各类高层结构体系中均占有重要的位置。而地震是一种破坏性极强的突发性自然灾害,不仅给人类...
田亮
关键词:高层建筑剪力墙结构抗震性能
多台阶器件结构深层表面光刻工艺优化被引量:2
2012年
针对多台阶器件结构深层表面光刻工艺中存在的问题,对不同台阶高度分别测量了台阶表面及台阶底部沉积的光刻胶厚度,并对台阶高度与光刻胶厚度的关系进行数值描述与分析.基于Beer定律对薄光刻胶光吸收系数的描述,分析了通过实验得到的不同曝光时间下光刻胶的光强透过率曲线,解释了随着曝光时间的增加光刻胶光强透过率发生变化的原因,同时认为光刻胶光吸收系数与光刻胶厚度密切相关.在此基础上,确定了台阶底部堆积光刻胶完全曝光所需时间.优化平面光刻工艺,在不同台阶高度的深台阶表面及底部同时制作出窄线条的高质量图形.
孙丽媛高志远邹德恕张露马莉田亮沈光地
关键词:光刻工艺
北京市典型行业VOCs排放特征及臭氧生成潜势研究
当前,我国社会经济迅速发展,城市化和工业化快速进行,人口急剧增加,越来越多的人类活动开始集中在以大城市为中心的城市群中进行。工业活动集中,能源使用量大,机动车保有量迅猛增加,区域大气污染物排放大量增加,空气污染日益严重,...
田亮
关键词:空气污染挥发性有机化合物排放特征臭氧生成
聚电解质复合物膜的电场强化组装方法及装置
聚电解质复合物膜的电场强化组装方法及装置属于膜分离技术领域。现有的层层静电吸附自组装法常常需要复合50~60层才能获得较好的膜性能,制膜程序复杂,周期长,且对膜结构的可调控性较差。所述的聚电解质复合物膜的电场强化组装方法...
张国俊纪树兰高学刘忠洲田亮
文献传递
聚电解质复合物膜的电场强化组装装置
聚电解质复合物膜的电场强化组装装置属于膜分离领域。传统层层静电吸附自组装法制膜程序复杂,周期长,且膜结构可调控性较差。本实用新型将紧固面板A(7)、极板A(3)、膜室(4)、透水支撑板(5)、极板B(6)和和紧固面板B(...
张国俊纪树兰高学刘忠洲田亮
文献传递
铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响被引量:1
2013年
研究了以铟锡氧化物(ITO)薄膜作为电流扩展层及出光窗口层的红光LED的漏电增加和抗静电能力下降的问题。结果发现,器件漏电和抗静电能力造成危害的因素并非ITO本身,而是芯片切割过程中侧壁的机械损伤和划片之后ITO颗粒沾污导致的PN结短路。通过化学腐蚀工艺清保芯片切割处的ITO薄膜、切割过程中侧壁的机械损伤痕迹和ITO颗粒的沾污,不仅使带ITO扩展层的LED器件的光提取效率提高了10%以上,抗静电能力提高了1.6倍,而且器件的漏电未受任何影响。
田亮高志远孙丽媛邹德恕
关键词:漏电
碳化硅功率器件关键工艺研究
以碳化硅(SiC)材料为代表的第三代宽禁带半导体材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速率等特点,特别适合制作耐高温、高电压、大功率的电力电子器件,现已成为制备电力电子器件的理想材料。以碳化硅材料制备...
田亮
关键词:半导体碳化硅器件欧姆接触等离子体刻蚀
共1页<1>
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