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熊昌民: 作品数：31 被引量：16H指数：2; 供职机构：北京师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

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一种信息存储单元以及只读存储器: 本发明公开了一种信息存储单元以及只读存储器，该信息存储单元包括斜切单晶衬底和铁磁性薄膜；所述斜切单晶衬底包括第一晶体轴；所述铁磁性薄膜具有多个磁畴。其中，所述斜切单晶衬底与所述铁磁性薄膜的接触面的法线相对于所述第一晶体轴...; 熊昌民王宁牟蓉马天星聂家财; 文献传递

厚度与应变效应对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3薄膜电输运与居里温度的影响被引量：7: 2004年; 在厚度为 2 5— 4 0 0nm范围内 ,系统地研究了 (0 0 1)SrTiO3(STO) ,(0 0 1)LaAlO3(LAO)衬底上La0 6 7Ca0 33MnO3(LCMO)薄膜的电输运与居里温度TC 随薄膜厚度及衬底的变化 .结果表明 ,随薄膜变薄 ,电阻率 ρ增加 ,TC降低 .对于同一薄膜厚度 ,LCMO STO薄膜的 ρ大于LCMO LAO基上的薄膜的 ρ .TC与衬底的依赖关系则与 ρ相反 .分析表明 ,LCMO薄膜的低温区电阻温度 (ρ T)符合关系式 ρ =ρ0 +Bωs sinh2 (ωs 2 kBT) +CTn,其中 ρ0 为剩余电阻 ;等号右端第二项反映软光学模声子对电子散射的贡献 ;第三项包括其余可能散射机理在电输运过程中所起的作用 ;B ,ωs(软光学模声子的平均频率 )与C都为拟合系数 .高温区的电输运则由小极化子跃迁模型 ρ =DT×exp(Ea kBT)描述 (Ea为极化子激发能 ) .根据 ρ0 ,ωs,Ea以及TC变化 ,初步讨论了薄膜中的厚度与应变效应 .进一步研究发现ωs,Ea的变化与TC 相关 ,从而说明极化子效应为影响TC; 熊昌民孙继荣王登京沈保根; 关键词：LA0.67CA0.33MNO3 极化子效应激发能电子散射输运

光电协同增强的场效应对LaAlO_3/SrTiO_3界面中持续光电导的调控被引量：2: 2019年; LaAlO_3/SrTiO_3异质结界面体系具有新奇的二维自由电子气现象、暂态光电导效应、持续光电导效应等丰富的光电性质,是近年来科学界研究的热点之一.本文研究了场效应对LaAlO_3/SrTiO_3界面光电导效应的调控,发现光电协同增强的场效应可以使得LaAlO_3/SrTiO_3界面产生显著的持续光电导效应,进一步研究发现:在光电协同效应的影响下,随着负的背栅门电压的增加,持续光电导的数值增大,在-70 V附近达到极值;随着负的背栅门电压处理时间的增加,持续光电导的数值单调增加.LaAlO_3/SrTiO_3异质结中这种场增强的持续光电导效应可为多参数可调的光电子记忆器件的研发提供参考依据.; 刀流云张子涛肖煜同张明昊王帅何珺贾金山余乐军孙波熊昌民; 关键词：持续光电导场效应

一种信息存储单元以及只读存储器: 本发明公开了一种信息存储单元以及只读存储器，该信息存储单元包括斜切单晶衬底和铁磁性薄膜；所述斜切单晶衬底包括第一晶体轴；所述铁磁性薄膜具有多个磁畴。其中，所述斜切单晶衬底与所述铁磁性薄膜的接触面的法线相对于所述第一晶体轴...; 熊昌民王宁牟蓉马天星聂家财

电压控制的、光电导呈正负可逆变化的薄膜器件及调控法: 本发明提供了一种电压控制的、光电导呈正负可逆变化的薄膜器件及调控法。其中，该薄膜器件从上到下依次包括第一电极、薄膜、衬底和第二电极。其中，薄膜为半导体材料，外延生长于衬底的一侧；衬底为铁电性氧化物绝缘体或先兆性铁电性氧化...; 熊昌民王帅贾金山熊娇娇杜海伦聂家财马天星

锰氧化物异质结磁场效应及光伏特效应研究: ＜正＞利用脉冲激光沉积技术制备了几类典型的锰氧化物基p-n异质结,研究了异质结在磁场下的行为,观察到明显依赖于磁场的整流行为:5T的外磁场可以导致p-n结扩散电势和击穿电压近100%的增加。在弱p-n结中,1.7 T的...; 孙继荣沈保根熊昌民黄康权; 文献传递

Nb:TiO2室温铁磁性的机理及其自旋极化输运的研究: 铁磁性半导体被认为是下一代利用电子的自旋自由度所制备的自旋电子学器件的主要材料。继续寻找一种居里温度(Tc)高于室温、具有可控铁磁性的半导体,仍然是目前自旋电子学领域的科学家们工作的一大重点。Nb:TiO2是一种载流子浓...; 杨继勇韩银龙何林窦瑞芬熊昌民聂家财; 文献传递

电压控制的、光电导呈正负可逆变化的薄膜器件: 本实用新型提供了一种电压控制的、光电导呈正负可逆变化的薄膜器件。其中，该薄膜器件从上到下依次包括第一电极、薄膜、衬底和第二电极。其中，薄膜为半导体材料，外延生长于衬底的一侧；衬底为铁电性氧化物绝缘体或先兆性铁电性氧化物绝...; 熊昌民王帅贾金山熊娇娇杜海伦聂家财马天星

一种具有磁畴壁可调控锰氧化物薄膜的器件及磁畴壁调控方法: 本发明提出了一种具有磁畴壁可调控的锰氧化物薄膜的器件，包括锰氧化物核心单元和磁畴壁调控单元；锰氧化物核心单元包括三层结构，分别是从上到下依次设置的导电锰氧化物薄膜，绝缘衬底，金属导电底座；磁畴壁调控单元为磁性导电针尖，该...; 熊昌民王静张金星聂家财; 文献传递