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沈春生

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇INN薄膜
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶薄膜
  • 1篇氮化铟
  • 1篇等离子体辅助
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇温度
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇分子束外延技...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇RF-MBE...
  • 1篇MBE
  • 1篇MBE法
  • 1篇INN

机构

  • 3篇吉林大学
  • 1篇大连理工大学

作者

  • 3篇沈春生
  • 2篇吴国光
  • 2篇李万程
  • 2篇杜国同
  • 2篇高福斌
  • 1篇郭忠杰
  • 1篇马艳

传媒

  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
In插入层对InN薄膜MBE外延质量的影响
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温InN缓冲层之间加入一层不同厚度的金属In插入层，并研究其带来的影响。
沈春生吴国光郭忠杰李万程宋力君张硕高福斌
关键词：半导体材料
温度对MBE法制备InN外延薄膜的影响
本文报道了在Si衬底上生长温度对InN薄膜晶体质鼍的影响。采用MBE法在不同的生长温度下制备了InN的缓冲层,通过XRD、XPS、RHEED等方法分析研究了InN外延薄膜的晶体质量,结果表明在435℃条件下生长的InN缓...
吴国光李万程高福斌郭忠杰沈春生杜国同
关键词：INN薄膜MBE法
文献传递
6H-SiC衬底上InN单晶薄膜的RF-MBE生长
2012年
采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在6H-SiC衬底上制备纤锌矿结构的氮化铟(InN)薄膜.利用原位X射线光电子能谱测试确定了InN的修正俄歇参数α′=852.76eV和Wagner图,InN的铟氮质量比为1.19;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明,外延InN为网状结构,表面无铟滴;X射线衍射测试表明,薄膜为单一c轴择优取向生长,其摇摆曲线半高宽为32.6弧分;室温光致发光峰中心位于1 575nm处.
沈春生吴国光高福斌马艳杜国同李万程
关键词：分子束外延氮化铟光电子能谱
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