汪志刚
- 作品数：17 被引量：20H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 常关型场控沟道GaN异质结二极管
- 常关型场控沟道GaN异质结二极管，属于半导体器件技术领域。本发明采用绝缘层-凹槽、调制掺杂以及凹槽-调制掺杂相结合的技术改变现有GaN异质结二极管的导电沟道结构，将原有的常开型自发极化GaN异质结导电沟道改成本发明中的自...
- 陈万军张竞汪志刚魏进张波
- 文献传递
- 电化学刻蚀法制备LaB_6场发射微尖锥阵列被引量：6
- 2007年
- 采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较。结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性。在〈111〉面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性。该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义。
- 王小菊林祖伦祁康成陈泽祥汪志刚蒋亚东
- 关键词：场发射阵列电化学刻蚀各向异性
- 大面积硅基LaB6薄膜场发射阵列制备
- 介绍了真空微电子器件场发射阴极硅阵列的制备。采用半导体集成电路工艺，对硅片进行加工，成功地制备出大面积的场发射阵列；通过对阵列尖端沉积六硼化镧薄膜，改善场发射二极管的发射性能。对薄膜的沉积工艺和性能进行了详细的分析；同时...
- 汪志刚林祖伦王丽徐枫
- 关键词：真空微电子器件
- 氮化镓异质结晶体管电荷控制模型与新结构
- 宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）是第三代半导体的典型代表，AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）已经成为了电力电子行业快速增长一个分支。与传统的硅功率器件相比，AlGaN/GaN HFET可以实现在大功率、高温...
- 汪志刚
- 关键词：电荷控制
- 一种具有低导通压降的P-i-N二极管
- 一种具有低导通压降的P-i-N二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在二极管中引入由槽栅结构和JFET结构所组成载流子注入模式控制结构。通过施加栅极电压脉冲调制二极管的注入模式，使二极管分别工作在P-i-N模式和零结...
- 陈万军汪志刚齐跃张波李泽宏
- 微小孔径场发射阵列的电子束特性数值模拟
- 2008年
- 以场发射基本原理为基础,简化三极管阵列模型,采用有限差分法对微孔径场发射阵列进行了三维模拟。通过改变栅极孔径和尖锥高度并保持其它参数不变的情况,从而获得阳极电子束斑的直径。得到不同情况下的阳极电子束光斑直径的变化。分析了导致电子束光斑大小变化的原因。得出与实际相符合的数值模拟,为试验提供设计依据。
- 汪志刚林祖伦王小菊徐枫高峰
- 关键词：场发射有限差分电子束
- 氮化镓功率半导体器件技术被引量：12
- 2010年
- 作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。
- 张波陈万军邓小川汪志刚李肇基
- 关键词：氮化镓功率器件击穿电压比导通电阻
- 场发射阵列薄膜设计及技术研究
- 场发射阵列可以广泛应用于平板显示、微波器件、场发射传感器等领域。其中作为微波器件的电子源尤为突出。由于目前理论还需进一步发展和工艺技术的限制,制备高性能的场发射阴极阵列存在一定的难度。随着大模集成电路技术的发展和工艺的成...
- 汪志刚
- 关键词：场致发射场发射有限差分电子束
- 文献传递
- 基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件
- 2012年
- 提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN/GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8MW.cm-2提高到26.7MW.cm-2。
- 张竞陈万军汪志刚魏进张波
- 关键词：氮化镓异质结场效应晶体管增强型RESURF
- 一种NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成器件
- 针对常规A1GaN/GaN HFET是常开型器件而不适合功率系统应用的问题,提出了一种新型常关型NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成器件。通过在Si基AlGaN/GaN衬底上混合集成Si NMOS和A...
- 汪志刚张竞陈万军
- 关键词：异质结场效应晶体管ALGAN/GAN
- 文献传递
