梁桂金
- 作品数：8 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- KAP单晶不同位错密度区域点阵常数变化的“就地”双晶测量
- 1991年
- 本文报道用X射线双晶衍射的(n,-n)几何排列对不同位错密度区域点阵常数的测试结果。从一对(001)晶片的(001)晶面的对称反射的测试结果表明,不同位错密度区域的点阵常数变化的最大范围为3.8～1.92×10^(-4)nm。
- 黄依森赵庆兰梁桂金
- 关键词：位错密度点阵常数
- BBO单晶远近核心区完整性的比较观测
- 2000年
- X射线形貌观测用于比较的两个 ( 0 0 0 1 )样品S(z) (靠近中心部位 )和S(b) (靠近边沿部位 ) ,各经过粗磨、细磨、机械粗抛光和化学抛光 ,获得厚度适宜无表面机械损伤的形貌样品。根据BBO晶体的过去研究积累 (J.Appl.,1 995 ,2 8:2 6 7) ,拟同时选用 ( 30 30 ) [( 30 30 ) ]、( 2 2 43)[( 2 2 43) ]和 ( 2 42 3)反射 ,分别观察是否存在呈三角锥衬度的包裹物、位错 (位错环 )和电畴 (界 )等。利用银靶共收集 1 0个形貌图 (其中 4个为两个立体对 )。在S(z)和S(b)样品中均没有观察到电畴 (界 )和大体平行于C面的位错。但都存在以下分布形态的“黑点状”应力场 ;不少黑点中心呈“白色” ;多数点状应力场分布较均匀 :少数沿a轴呈层状分布 ,这些层状分布的应力场形态在S(b)中更清晰 ,呈典型的包裹物衬度。其他的推测为大体上沿c轴分布的缀饰小丝状物。比较观测结果认定 ,它们的主要光散射源是那些应力场。化学腐蚀法观测的初步结果表明 ,S(z)在 ( 1 0 1 0 )晶面露头的位错密度为 380 0 /cm2 ;S(b)在( 1 0 1 0 )晶面上露头的位错密度为 2 5 0 /cm2 。比较观测结果表明 ,靠近较远离长晶中心的位错密度高出一个数量级左右。
- 黄依森梁桂金赵庆兰
- 关键词：位错BBO晶体
- 邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶极轴正向锥面的正电子湮没寿命谱研究及其生长技术被引量：6
- 1989年
- 本文首次报导了用电子湮设寿命谱学法对KAP单晶极轴正向四个锥正电子湮没参数进行分析,发现在(?),(?)面第一、二类陷阱捕获率K_d、K^D均比(?),(?)面大,于是得出(?),(?)面的位错密度、点缺陷以及包裹体的“微空洞”密度均比(?),(?)大。为此,对KAP生长机理作了讨论。在此基础上,本文还简要地报导了KAP单晶生长技术、为生长优良战水溶液极性晶体,提供参考依据。
- 史子康梁桂金
- 关键词：晶体正电子湮没KAP
- 分光晶体RAP的研制及其性能
- ＜正＞ 我们研制了X—射线分光晶体RAP（邻苯二甲酸氢铷）。它具有优良的衍射性能（比KAP强两倍）,稳定的物理、化学性质、良好的机械品质、易解理,在使用条件下抗拉伸、弯曲,不易损坏（TAP则较易破裂）,无毒。因此应用甚广...
- 朱锐梁桂金庄展郎刘文
- 文献传递
- 邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶直流电导研究被引量：1
- 1990年
- 本文在研究邻苯二甲酸氢钾单晶三个轴向直流电导的基础上,用正电于湮没寿命谱学法研究了电导机理,并将电导同晶体结构联系起来.最后通过热分析说明文中所研究的温度范围是该晶体可被应用的温区。
- 史子康梁桂金
- 关键词：KAP单晶
- 一种邻苯二甲酸氢钾单晶生长载晶架
- 本实用新型是用于邻苯二甲酸氢钾(化学式KHC<Sub>8</Sub>H<Sub>4</Sub>O<Sub>4</Sub>，Potasslum Acld Phthalate，简称KAP)单晶生长的载晶架，它是用五块或八块有...
- 梁桂金郑秀沁杨桐琴
- 文献传递
- 邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶电学性能研究
- 1990年
- 邻苯二甲酸氢铷单晶是一种有机极性离子型晶体.本文介绍了它的介电、直流电导、P-E曲线、光透过率等有关性能的实验研究,并根据晶体结构特点给予定性解释.
- 梁桂金史子康王丽青林一德杨桐琴郑秀沁
- 关键词：邻苯RAP单晶
- 邻苯二甲酸氢铷单晶非极性轴方向电学性能研究(Ⅰ)
- 1989年
- 邻苯二甲酸氢铷(RAP)是一种有机极性离。产型晶体。本文通过实验研究了它在非极性轴方向的介电、DC 电导、P-E 曲线、光透过率等有关性能。
- 史子康梁桂金王丽青
- 关键词：离子晶体
