杨巧勤
- 作品数：27 被引量：66H指数：5
- 供职机构：湖南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- X射线衍射研究球磨Si_3N_4粉末的特征被引量：2
- 1996年
- Si_3N_4,粉末在行星球磨机中以酒精为研磨液进行湿磨,直至195小时。采用X射线粉末衍射研究了Si_3N,粉末晶块尺寸值和晶格畸变量与研磨时间的关系,晶块尺寸值与晶格畸变量的分离基于两项宽化效应对布拉格角的依赖不同:结果表明:在最初50小时研磨中,晶块细化很快,超过170小时后,晶块不再减小;经195小时球磨.粉末晶块尺寸值从未磨样的0.23μm减少到0.074μm:经计算得未磨样最小位错密度为O_D=5.7×10~8cm^(-2);球磨195小时样品最小位错密度为μD=5.4×10~10cm^2。这么高的位错密度通常会引起粉末严重畸变。 而所测晶格畸变量在最初7O小时的研磨中出乎意料地减小很快,从未磨样品晶格畸变量的0.032%减少到0.013%。这种高位错密度与低残留弹性应变说明位错是以降低应变的方式排列,如此一种排列方式可能是位错的多边排列,亦不能排除由于部分非晶化对对降低应变的的作用。
- 杨巧勤唐绍裘李学谦杜海清
- 关键词：X射线衍射球磨粉末氮化硅陶瓷
- 工艺参数对金刚石薄膜显微结构与性能的影响
- 1998年
- 着重研究了甲烷浓度、基体温度等工艺参数对热丝CVD法金刚石薄膜显微结构与性能的影响。基体温度（低于1050℃）越高，甲烷浓度越低，膜中非金刚石碳的含量就越低，金刚石的晶形就越完整，晶粒也越大，因而金刚石薄膜的电阻率、初始氧化温度就越高。金刚石薄膜电阻率随温度升高而线性下降，电阻温度系数达2×1010Ω·cm／’℃。
- 杨巧勤赵南方赵立华肖汉宁
- 关键词：金刚石薄膜显微结构工艺参数薄膜生长
- 金刚石薄膜研究的进展
- 1992年
- 一、概况金刚石墨膜可以充分发挥金刚石优异的性能,可广泛应用于力学、热学、电子学、光学等多项尖端技术领域,如刀具、集成电路和激光的散热片,红外窗口、高温半导体等,是一种很有发展前途的新型的功能材料。由于在许多不同材料上可以以气相沉积金刚石薄膜,这种涂覆技术的进展更激起了大家的兴趣,具有各种形态和不同物理性质的金刚石薄膜已经获得成功,在某些情况下。
- 陈本敬苏玉长李绍禄杨巧勤王秀琼
- 关键词：金刚石
- 烧结温度对C-B_4C-SiC复合材料显微结构与性能的影响被引量：3
- 1995年
- 本文就烧结温度对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ炭／陶复合材料显微结构与性能影响进行了研究，发现复合材料密度、强度随烧结温度的升高而明显提高，电阻率随烧结温度的升高而下降，这和烧结体显微结构（气孔率、晶粒大小与分布、晶界状况等）密切相关。
- 黄启忠杨巧勤杜海清黄伯云吕海波
- 关键词：烧结温度复合材料显微结构炭素陶瓷电阻率
- 热丝CVD法金刚石薄膜宏观内应力分析被引量：6
- 1998年
- 研究了热丝ＣＶＤ法金刚石薄膜本征内应力随甲烷的体积分数（０４％～１２％）、生长温度（８００℃～１０００℃）等生长工艺参数的变化关系。在所研究的工艺参数范围内，金刚石薄膜的本征内应力为拉应力。拉应力值随着碳源浓度的升高近乎呈线性减小；在生长温度为９００℃时最小，升高或降低生长温度都会增大。这一变化关系可用薄膜中非金刚石碳含量和晶粒度大小对内应力值的影响进行解释。
- 赵南方杨巧勤赵立华赵立华李德意
- 关键词：金刚石薄膜内应力
- 烧成温度对C－B＿4C－SiC复合材料结构与性能的影响
- 1995年
- 本文就烧成温度对Ｃ－Ｂ＿４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料结构与性能的影响进行了初步研究，发现复合材料密度、强度随烧结温度的升高而明显提高，电阻率随烧成温度的升高而下降，这和烧成体显微结构（气孔率、晶粒大小与分布、晶界状况等）密切相关。
- 黄启忠杨巧勤杜海清黄伯云吕海波
- 关键词：烧成陶瓷复合材料电阻率
- C—SjC—TiC—TiB_2复合材料的原位合成及热压烧结
- 1998年
- 以熟焦、炭纤维、B_4C、SiC、Si、TiO_2和TiC为原料、采用原位合成及热压技术研究了不同TiO_2和TiC含量对多组分碳/陶复合材料的组成、结构和性能的影响。在烧结过程中TiO_2或TiC与B_4C反应原位生成TiB_2,Si和TiO_2分别与C反应生成SiC和TiC,这些陶瓷相的生成对提高碳/陶复合材料的力学性能有显著作用。加入TiO_2比TiC能使碳/陶复合材料在较低的温度下实现致密化烧结,获得了抗弯强度达430 MPa的碳/陶复合材料。
- 黄启忠肖汉宁杨巧勤
- 关键词：原位合成热压烧结力学性能
- 热丝CVD法高速生长金刚石膜研究被引量：4
- 1996年
- 使用热丝ＣＶＤ法研究了碳源种类、氧气含量、灯丝温度、基底与灯丝间距离及异常辉光放电等对金刚石膜生长速度的影响，在此研究的基础上，优化工艺参数，使热丝ＣＶＤ法生长金刚石膜的速度提高到２０μｍ／ｈ。
- 赵立华杨巧勤李绍禄苏玉长陈本敬杜海清
- 关键词：化学气相沉积金刚石膜
- C-SiC-TiC-TiB_2复合材料等温氧化行为研究被引量：1
- 1998年
- 对原位合成的（Ｃ－ＳｉＣ－ＴｉＣ－ＴｉＢ２）碳／陶复合材料的等温抗氧化性能进行了研究。结果表明，该材料的氧化增重和失重主要取决于碳相和陶瓷相的氧化速率和氧化层的结构特征。该材料表现出优良的抗氧化能力，这归结于在８００℃时ＴｉＢ２优先氧化，８００～１０００℃时其表面生成了一层致密的硼硅酸盐玻璃，以及在１２００℃下ＴｉＯ２晶粒包裹在其表面。
- 颜冲肖汉宁彭文琴杨巧勤李绍禄
- 关键词：复合材料抗氧化性陶瓷材料
- 金刚石薄膜显微结构研究被引量：1
- 1998年
- 采用多种现代分析方法研究了热丝CVD法高速生长的金刚石薄膜的显微结构。XRD和Raman光谱结果表明薄膜由金刚石组成，金刚石薄膜的晶格参数与天然金刚石一致，没有非金刚石碳与其它杂相存在。AES与SIMS结果表明金刚石膜中只含有极微量的O、Na、N等杂质。SIMS分析结果还表明同位素C13在金刚石膜生长过程中富集。SEM结果表明基片表面状况影响金刚石薄膜的形核密度，而工作气压则影响金刚石薄膜晶形的完整性，适当气压下生长的金刚石薄膜致密且晶形完整、清晰。
- 赵南方杨巧勤赵立华肖汉宁
- 关键词：金刚石薄膜显微结构薄膜生长
