李金隆
- 作品数：20 被引量：37H指数：4
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- BST类铁电薄膜的最低晶化温度和自组装生长研究
- 利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO3(100)单晶基片上在(10-5Pa)高真空环境中外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜。通...
- 李金隆张鹰李言荣邓新武熊杰
- 关键词：铁电薄膜BST
- 文献传递
- BaTiO_3/Si界面扩散与控制方法研究被引量：3
- 2005年
- 利用激光分子束外延(LMBE)方法在Si(100)基片上直接生长BaTiO3(BTO)铁电薄膜。通过俄歇电子能谱(AES),X光电子能谱(XPS)等分析手段系统研究了在Si基片上直接生长BTO铁电薄膜过程中的界面扩散现象。根据研究得到的BTO/Si界面扩散规律,采用一种新型的“温度梯度调制生长方法”减小、抑制BTO/Si界面互扩散行为,实现了BTO铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长,为在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的BTO铁电薄膜奠定了基础。
- 罗文博张鹰李金隆朱俊艾万勇李言荣
- 关键词：钛酸钡硅俄歇电子能谱X光电子能谱
- 超高真空中SrTiO_3薄膜同质外延生长的过程研究被引量：12
- 2004年
- 在超高真空下利用激光分子束外延 (LMBE)方法基于SrTiO3 (10 0 )单晶基片同质外延SrTiO3 薄膜。通过反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行原位监测 ,发现对基片的预热处理明显有利于改善其晶面结构 ,当在其上同质外延Sr TiO3 薄膜时 ,容易实现单晶层状生长模式 ,并得到原子级平整度的铁电薄膜。
- 李金隆张鹰邓新武刘兴钊陶伯万李言荣
- 关键词：超高真空SRTIO3薄膜铁电薄膜
- 蓝宝石衬底上射频溅射法生长CeO2外延薄膜研究
- 实验采用射频溅射法在(1102)蓝宝石基片上制备(00l)取向CeO2外延薄膜.低温、低溅射功率都会导致CeO2薄膜呈(111)取向生长.当基片温度在700℃～750℃,溅射功率在100～150W范围内能够制备得到高质量...
- 熊杰陶伯万谢廷明陈家俊刘兴钊张鹰李金隆李言荣
- 关键词：超导薄膜
- 文献传递
- 通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法
- 通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，涉及电子材料，特别涉及铁电薄膜的制备技术。本发明提供一种铁电薄膜的制备方法，以实现铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长，减小、抑制BST/Si界面互扩散行为。为此，本发明提供...
- 李言荣李金隆张鹰朱俊罗文博
- 文献传递
- 应力调制薄膜表面微结构控制研究
- 利用激光分子束外延技术分别在LaAlO3（100）、SrTiO3（100）单晶基片上异质外延生长SrTiO3、LaAlO3薄膜,通过调制不同异质结构中的张应力和压应力,对薄膜表面微结构进行控制。利用反射式高能电子衍射原位...
- 李金隆张鹰罗文博朱俊李言荣杨帆费维栋
- BST类铁电薄膜生长机理与应力调制研究
- BaxSr1-xTiO3(0≤x≤1)类钙钛矿型铁电薄膜因其独特的物理特性和宽广的应用前景受到了物理和材料学家们的广泛关注，成为近年来铁电学研究最具吸引力的热点问题。然而对于这类结构复杂的多元氧化物薄膜而言，其晶格结构和...
- 李金隆
- 关键词：铁电薄膜自组织生长
- 多元氧化物电子薄膜材料的单胞生长模式与界面应力诱导效应的研究
- 2006年
- 多元氧化物薄膜,特别是ABO_3钙钛矿结构的薄膜由于有铁电、压电、热释电和超导等特性和在多功能电子器件上的广泛应用而成为电子功能材料研究的热点．该文利用激光分子束外延和磁控溅射等薄膜制备技术,采用反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜的生长进行原位实时的检测分析,确定了在不同的工艺条件下氧化物薄膜的层状、层岛混合和岛状生长模式。优化了薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的有效控制,绘制出SrTiO_3、BaTiO_3等薄膜的生长模式图谱。测量计算了薄膜的表面活化能和沉积粒子在表面的有效扩散率,发现氧化物薄膜表面的生长运动单元具有活化能小、迁移时间长等重要特点,采用原子力显微镜(AFM)和掠入射XRD对层状生长薄膜的层厚结构进行了精细测量,提出了氧化物薄膜单胞生长动力学模型,即薄膜生长的主要单元是以B-O八面体为主体的单原胞基团．在此基础上,系统地研究了薄膜生长异质界面应力释放行为和对结构性能的影响,在小失配度、中等失配度和大失配度下体现出的不同生长规律,出现了在临界厚度下的相干外延、应变岛、双晶外延和近重位点阵等现象．最后,通过薄膜和衬底的失配度的选择来调整界面应力的影响,并通过工艺条件来诱导薄膜结构取向,如采用薄膜自外延技术和自缓冲层技术,有效地控制和大幅度改善了铁电薄膜、介电薄膜、超导薄膜和热释电薄膜的微结构和电磁性能。
- 李言荣朱俊张鹰李金隆魏贤华梁柱张万里吴传贵刘兴钊陶伯万
- 关键词：氧化物薄膜单胞
- 外延薄膜生长的实时监测分析研究被引量：2
- 2004年
- 利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED衍射图样及强度振荡曲线实时监控薄膜的生长。
- 李金隆张鹰邓新武刘兴钊陶伯万李言荣
- 关键词：薄膜生长实时监测RHEED
- 蓝宝石上射频溅射沉积CeO_2外延缓冲层被引量：1
- 2005年
- 研究了基片温度、溅射功率对采用射频溅射沉积在(1102)蓝宝石基片上的CeO2薄膜生长的影响。过低的沉积温度、溅射功率都会导致CeO2薄膜呈[111]取向生长。在基片温度为700~750 ℃,溅射功率为100~150 W,溅射气压为14 Pa下沉积了高质量[00l]取向的CeO2缓冲层。通过X射线衍射和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌。在最优化条件下制备的 CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面。在CeO2缓冲层上制得的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全[00l]取向,面内取向性良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)为89.5 K,临界电流密度Jc(77 K,0T)约为1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77 K,10 GHz)大约为 0.30 mΩ。
- 熊杰陶伯万谢廷明陈家俊刘兴钊李金隆李言荣
- 关键词：蓝宝石
