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方建平

作品数:50 被引量:58H指数:4
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 35篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 18篇电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇电阻
  • 6篇标签
  • 5篇功耗
  • 5篇超低压
  • 4篇异或
  • 4篇数模
  • 4篇RFID系统
  • 3篇带隙基准
  • 3篇带隙基准源
  • 3篇低功耗
  • 3篇低温漂
  • 3篇电容
  • 3篇电压
  • 3篇数模混合
  • 3篇数模混合集成...
  • 3篇双极型
  • 3篇偏置
  • 3篇自偏置

机构

  • 50篇西安电子科技...
  • 1篇陕西教育学院
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 50篇方建平
  • 13篇郝跃
  • 7篇刘红侠
  • 5篇朱志炜
  • 5篇赵鹏
  • 4篇李康
  • 3篇史江一
  • 3篇奚源
  • 2篇李小平
  • 2篇谢楷
  • 2篇黎剑兵
  • 2篇宋兰兰
  • 2篇郭世忠
  • 2篇史军刚
  • 2篇刘彦明
  • 2篇黄鑫
  • 2篇董庆宽
  • 2篇彭勃
  • 2篇李姣
  • 1篇任春丽

传媒

  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇电子学报
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2007
  • 7篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2003
  • 2篇2001
50 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种低温漂欠压锁定电路
本实用新型公开一种低温漂欠压锁定电路,包括十个P型MOS管、十一个N型MOS管、二个双极型PNP晶体管、四十个电阻、二个电容、二个反相器和一个与非门。本实用新型通过正负温度系数的抵消,实现低温漂的欠压锁定电路。
方建平
文献传递
一种自偏置结构带隙基准源装置
本实用新型属于数模混合集成电路技术领域,特别是提供了一种自偏置结构带隙基准源装置。所述的自偏置结构带隙基准源装置由正温度系数电路模块、负温度系数电路模块、补偿电路模块、计算电路模块以及自偏置结构电路模块,以及运算放大器单...
方建平奚源
文献传递
衬底热电子增强的薄SiO_2层击穿特性研究被引量:1
2001年
本文通过衬底热电子SHE(Substratehotelectron)注入技术 ,对SHE增强的薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系 .通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量 ,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F N隧穿注入的根本不同 .本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Timedependentdielectricbreakdown)模型 .
刘红侠郝跃黄涛方建平
关键词:集成电路二氧化硅
An Efficient Test Data Compression Technique Based on Codes被引量:1
2005年
This paper presents a new test data compression/decompression method for SoC testing,called hybrid run length codes. The method makes a full analysis of the factors which influence test parameters:compression ratio,test application time, and area overhead. To improve the compression ratio, the new method is based on variable-to-variable run length codes,and a novel algorithm is proposed to reorder the test vectors and fill the unspecified bits in the pre-processing step. With a novel on-chip decoder, low test application time and low area overhead are obtained by hybrid run length codes. Finally, an experimental comparison on ISCAS 89 benchmark circuits validates the proposed method
方建平郝跃刘红侠李康
多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路
本发明公开了一种多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路,包括功率级传输电路、电流采样电路、振荡器和斜坡发生器、脉冲调制电路、误差放大器、时序控制逻辑电路、迟滞模式选择电路和直流失调电压电路。时序控制逻辑电路通过...
方建平谢瑞
文献传递
一种电子烟雾化温度的控制电路
本发明提供了一种电子烟雾化温度的控制电路,控制模块接收测量电路输出的电压值,计算阻值,通过控制模块获得得知热敏电阻的表面温度,从而向PWM调制模块发出控制信号,通过PWM调制模块调节发热丝上电流的导通时间。本发明能够利用...
方建平赵启东
文献传递
薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究被引量:9
2001年
通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不同的击穿特性 .通过计算注入到氧化层中的电子能量和硅衬底的电场的关系表明 ,热电子注入和F N隧穿的不同可以用氧化层中电子的平均能量来解释 .热空穴注入的实验结果表明薄栅氧化层的击穿不仅由注入的空穴数量决定 .
刘红侠方建平郝跃
关键词:薄栅氧化层击穿介质击穿MOS集成电路
一种IC参数一次可编程熔丝修调电路
本发明公开了一种IC参数一次可编程熔丝修调电路,包括偏置电路模块、逻辑转换电路模块、译码电路模块和熔丝调整电路模块,其特征在于,所述偏置电路模块根据输入信号使能端口电压和双向端口电压的波形产生至少一个逻辑电压信号,其输出...
方建平郑宜嘉
文献传递
一种基于哈希函数的RFID群组标签认证协议
本发明公开了一种基于哈希函数的RFID群组标签认证协议,包括如下步骤:步骤1、阅读器向其读取范围内的标签发送询问请求消息;步骤2、阅读器将所有标签的响应消息发送至后台数据库;步骤3、后台数据库根据阅读器发送来的标签响应消...
方建平李雪琴赵鹏
文献传递
超低压升压系统及其控制方法
一种超低压升压系统及其控制方法,包括开路电压采样保持器、极性检测与控制信号发生器、一级开关管、反激变压器、整流桥、储能元件和单片机,所述的开路电压采样保持器同微弱能量的输出源或换能器相连接,另外开路电压采样保持器还同单片...
史军刚李小平刘彦明谢楷郭世忠黎剑兵方建平
文献传递
共5页<12345>
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