方勇
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 130nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应被引量：2
- 2010年
- 研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理。同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用。仿真结果表明,p+保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享,加速SET脉冲电流的泄放,证实了p+保护环对器件抗单粒子辐射的有效性,从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性。
- 陈超吴龙胜韩本光方勇刘佑宝
- 关键词：电荷共享超深亚微米
- 基于器件仿真的参数提取方法研究
- 2010年
- 介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较。根据0.35μmSOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构。基于BSI MSOI模型采用局部优化,单器件提取的策略进行参数提取。最后通过将仿真与实际测试得到的参数比较,验证了该方法的准确性。
- 方勇吴龙胜韩本光陈超唐威
- 关键词：SOI工艺参数
- 倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究被引量：1
- 2009年
- 为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构。研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用。发现倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高。基于0.35μm SOI工艺线,结合ISE TCAD软件对器件的电学特性进行仿真,比较了流片测试数据和仿真数据。着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI器件抗SEU能力的改善,并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真。
- 韩本光吴龙胜陈超方勇刘佑宝
- 关键词：PDSOI单粒子翻转电荷收集
