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戴学梅

作品数：5 被引量：5H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 4篇功率晶体管
  • 3篇脉冲功率晶体...
  • 3篇硅脉冲功率晶...
  • 2篇功率
  • 2篇大功率管
  • 1篇电极
  • 1篇电极对
  • 1篇多系统
  • 1篇增益
  • 1篇热阻
  • 1篇微波
  • 1篇微波功率晶体...
  • 1篇微波功率器件
  • 1篇微波晶体管
  • 1篇微波脉冲
  • 1篇结构特征
  • 1篇结温
  • 1篇宽带
  • 1篇机动化

机构

  • 5篇南京电子器件...

作者

  • 5篇戴学梅
  • 5篇王因生
  • 4篇盛国兴
  • 4篇傅义珠
  • 3篇王佃利
  • 3篇康小虎
  • 2篇吴鹏
  • 1篇李相光
  • 1篇丁晓明
  • 1篇周德红
  • 1篇林川
  • 1篇李学坤
  • 1篇梅海
  • 1篇王志楠
  • 1篇陈刚
  • 1篇方圆
  • 1篇叶宗祥
  • 1篇吕勇

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2003
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
2003年
傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管被引量：1
2006年
傅义珠李相光戴学梅盛国兴王因生王佃利
关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率器件功率方向多系统机动化高可靠
2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管被引量：1
2006年
吴鹏林川傅义珠盛国兴戴学梅康小虎王因生
关键词：硅脉冲功率晶体管长脉宽超宽带功率增益大功率管S波段
870-1OOO MHz 360W硅微波脉冲大功率管
报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在上述频带内，脉宽10μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于360...
王因生王志楠丁晓明严德胜戴学梅吕勇
关键词：微波晶体管结构特征技术创新
双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善被引量：3
2008年
通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片内微波输入功率和结温分布的均匀性。
傅义珠戴学梅康小虎盛国兴叶宗祥方圆王因生王佃利吴鹏
关键词：微波功率晶体管结温热阻
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