孙静莹
- 作品数：9 被引量：39H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市优秀人才培养资助北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究被引量：22
- 2006年
- 通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.
- 张跃宗冯士维谢雪松李瑛杨集孙静莹吕长志
- 关键词：温升热阻工作寿命可靠性发光效率
- InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究被引量：3
- 2006年
- 简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAsPIN探测器的透射率。计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同的淀积工艺对响应度的影响和探测器在不同应用时膜厚的设计方法。
- 杨集冯士维王承栋张跃宗李瑛孙静莹
- 关键词：探测器增透膜淀积
- 大功率晶体管的步进应力加速寿命试验
- 加速寿命试验广泛地用于在短时间内预测元器件的寿命。本文介绍用步进应力加速寿命试验估计大功率晶体管的激活能和寿命。本试验采用温度斜坡模型,试验结果在和经验数据做比较后认为是合理的。
- 刘婧吕长志李志国郭春生冯士维孙静莹
- 关键词：可靠性加速寿命试验大功率晶体管激活能
- 文献传递
- 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法
- 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相...
- 冯士维张跃宗孙静莹张弓长王承栋
- 文献传递
- 集成电路芯片级的热分析方法被引量：10
- 2006年
- 文章在研究分析了集成电路中功耗的主要来源以及温度对集成电路性能的影响后,详细总结了近年来集成电路芯片级的几种热分析方法,并从实际应用角度对这几种方法进行了分析和比较,讨论了各个方法的优点及其适用范围。
- 孙静莹冯士维李瑛杨集张跃宗
- 关键词：集成电路热分析功耗
- 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法
- 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相...
- 冯士维张跃宗孙静莹张弓长王承栋
- 文献传递
- 基于C8051F的SMBUS实现与E<'2>PROM 24C02的串行高效通信
- 基于CYGNAL公司的C8051F000 SOC芯片。对其SMBus总线的串行通信协议以及E<'2>PROM 24C02的功能特点进行了分析和研究,针对24C02在写入时出现的页地址卷翻问题提出了相应的解决方案。
- 孟昊刘成孙静莹谢雪松张乃燃
- 关键词：SOC芯片SMBUS总线寄存器
- 文献传递
- CMOS集成电路设计中的热问题及其分析方法的研究
- 随着CMOS集成电路中元件密度的不断提供以及工作速度的不断加快，人们对集成电路中热问题越来越关注。由于器件的失效与局部工作温度有着密切的关系，电路中由局部高温引起的热斑已经成为影响集成电路长期可靠性的重要因素。集成电路中...
- 孙静莹
- 关键词：CMOS集成电路热分析全定制设计电路设计
- 文献传递
- ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究被引量：4
- 2007年
- 通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析．结果表明,即使在未进行合金工艺的情况下,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触,正向偏压下,探测器的暗电流与光电流随外加偏压线性增加;探测器对紫外光潜具有明显的响应,其响应截止波长为368nm．XPS分析表明,在ZnO薄膜表面存在着一定的O空位和Zn间隙,非化学计量的O与Zn之比对器件的响应时间有影响．
- 冯士维李瑛孙静莹谢雪松杨集张跃宗卢毅成
- 关键词：氧化锌紫外光探测器
