姚英
- 作品数：18 被引量：31H指数：3
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- 焦平面探测器芯片专用新型阳极硫化参考电极
- 一种焦平面探测器芯片专用新型阳极硫化参考电极，该新型的石墨参考电极代替原有的电极，其独特的梯形底面设计改进了原有电极的不足，提高了硫化工艺的稳定性和可操作性，从而进一步提高碲镉汞芯片表面自身硫化膜层的质量。在其侧面有安装...
- 姚英田萦罗云吕励王燕岳义开
- 文献传递
- 多元光导HgCdTe探测器均匀性的评价被引量：1
- 1998年
- 讨论了多元光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器性能参数的均匀性评价问题，对器件性能的测量数据进行了分析。认为在某种探测器规范的条件限制下，多元光导ＨｇＣｄＴｅ探测器探测元的性能参数分布不满足Ｇａｕｓｓ分布，因而用标准偏差来衡量器件性能参数的均匀性是不适宜的；根据分析结果提出了一个相应的评价参数。
- 蔡毅梁宏林姚英朱惜辰顾伯奇
- 关键词：碲镉汞光导探测器红外光学材料
- P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析被引量：2
- 2007年
- 从微观理论对P型HgCdTe离子刻蚀成结的过程、机理进行了分析,提出HgCdTe环孔P-N结的汞原子扩散-补偿模型、P-N结的汞原子扩散-补偿-剩余施主杂质模型,提出并讨论了离子刻蚀技术形成环孔型P-N结和平面型P-N结的汞原子扩散激活能、扩散汞原子总量、扩散范围、扩散系数、有效汞原子系数等关键物理参数与工艺参数。
- 姚英
- 关键词：HGCDTE离子刻蚀P-N结
- 垂直结的碲镉汞短波光伏探测器列阵
- 采用环孔工艺的方法制备了N-on-P垂直结的碲镉汞短波光伏探测器列阵,测量表明:液氮温度下器件峰值波长2.2微米,器件零偏阻抗109欧,黑体探测率4.4×1010cmHz1/2W-1.采用LBIC对4×4碲镉汞光伏二极管...
- 蔡毅史衍丽姚英杨铁峰庄继胜陈建材马庆华
- 关键词：碲镉汞短波红外光伏探测器
- 文献传递
- 磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤被引量：10
- 1994年
- 用Ｘ射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Ｔｅ溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的损伤，发现精磨精抛的ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的损伤结构与切割、粗磨造成的损伤结构明显不同。根据实验结果分析，认为机械划痕是精磨精抛过程中的主要损伤结构，并提出一个新的表面损伤模型──表面不完全损伤模型。用Ｘ射线形貌相测出了精磨精抛ＨｇＣｄＴｅ晶片表面的平均损伤和最大损伤深度。结合压痕实验，确定了机械划痕周围的晶格应变区是高密度位错增殖区；在特定条件下，测出两者之间的比值约为５。最后讨论了最大损伤深度和平均损伤深度对探测器性能的影响。
- 姚英蔡毅欧明娣梁宏林朱惜辰
- 关键词：红外探测器
- 光导HgCdTe探测器电阻和性能的关系被引量：2
- 1996年
- 为描述光导ＨｇＣｄＴｅ探测器低温与室温不同的导电机构，本文定义了一个易于测量的参数γ——液氮温度与室温电阻之比．实验结果表明：多数情况下。
- 姚英梁宏林
- 关键词：HGCDTE光导探测器红外探测
- HgCdTe光电二极管的1/f噪声
- 1989年
- 到目前为止,对于HgCdTe p^(-n)结光电二极管的1/f噪声,已得出多种结果。Kleinpenning比较了两种主要的1/f噪声电流模式:(1)建立在载流子迁移率起伏基础上的Hooge模式;(2)Mc Whorter模式,假定载流子浓度是起伏的,噪声电流密度S_1正比于电流平方。Hooge模式更符合实验结果。Tobin,S。P。等的结论是1/f噪声电流与暗电流成正比:i_n(f,V,T)=aIs(V,T)f^(-1/2),其中Is是表面产生电流和漏电流。
- 姚英朱惜辰楚莉萍
- 关键词：光电二极管HGCDTE
- 长波HgCdTe光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算被引量：1
- 1997年
- 研究了长波ＨｇＣｄＴｅ光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明：制成器件后，表面电导、材料电导率的变化和背景辐射都将使器件液氮温度的电阻减小，进行这三项修正后。
- 蔡毅姚英梁宏林
- 关键词：光导探测器碲镉汞
- 碲镉汞晶片表面加工损伤的电化学腐蚀观察方法被引量：2
- 1995年
- 本文报道一种新的观察碲镉汞（ＣＭＴ）晶片表面加工损伤的方法──电化学腐蚀法。文中讨论了电化学腐蚀法的原理，给出了实验结果。实验表明：机械磨抛的ＣＭＴ晶片表面的加工损伤可用电化学腐蚀法清楚地揭示出来；磨抛产生的机械划痕在电化学腐蚀前后一一对应，而且腐蚀后可清晰、直观地看到腐蚀前看不见的机械划痕；结合化学腐蚀的方法测量了一定磨抛条件下Ｗ３．５磨料在ＣＭＴ晶片表面产生的最大加工损伤深度约３２～４０ｐｍ；机械磨抛产生的划痕和其在表面留下的应力沟道区是ＣＭＴ晶片表面在磨抛加工中受到损伤的主要机构。分析认为平均损伤深度主要影响磨抛ＣＭＴ晶片的表面复合速度，而最大加工损伤深度则对ＣＭＴ器件、特别是多元器件性能参数的均匀性影响比较大；故控制好ＣＭＴ晶片表面加工的最大损伤深度也是制备性能均匀的ＣＭＴ多元探测器的一个重要环节。
- 姚英
- 关键词：碲镉汞电化学腐蚀晶片
- 背景辐射对光导HgCdTe探测器电阻的影响
- 1997年
- 测量了室温和液氮背景辐射条件下长波光导ＨｇＣｄＴｅ探测器的电阻，从电阻的变化研究了背景辐射对器件电阻的影响，结果表明：在高性能探测器中，室温背景辐射造成探测器电阻的相对变化量约为１０％，而且。
- 姚英蔡毅梁宏林
- 关键词：光导探测器
