叶水驰
- 作品数：22 被引量：13H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工业大学航天学院卫星技术研究所更多>>
- 发文基金：哈尔滨市青年科学研究基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术航空宇航科学技术更多>>
- 非晶态Se薄膜的自发晶化研究被引量：4
- 2001年
- 利用真空热蒸镀的方法制备了非晶Se薄膜 ,测试了稳定的非晶Se薄膜、不稳定的非晶Se薄膜和初始自发晶化的非晶Se薄膜的透射率光谱和拉曼光谱。对透射率光谱曲线进行了拟合 ,计算了薄膜的厚度和折射率随波长的变化关系。在自发晶化过程中 ,Se薄膜折射率逐渐增大 ;随波长增大 ,折射率则减小。初始自发晶化的Se薄膜其透射率低于非晶Se薄膜 ,光学吸收边向长波长方向移动。拉曼光谱测试表明 ,非晶Se薄膜在自发晶化过程中 ,出现标志Se8环和链的结构 ,不完整的环和链结构在自发晶化过程中得到了增强。
- 鲍海飞叶水驰王利平王骐
- 关键词：拉曼光谱
- 掺镁PbWO_4晶体的生长及其闪烁性能研究被引量：1
- 1999年
- 用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长了掺镁ＰｂＷＯ４晶体，测试了Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透射光谱、激发发射光谱、发光效率和衰减时间。Ｍｇ：ＰｂＷＯ４晶体的透过率和发光效率高于Ｐｂ－ＷＯ４晶体。
- 叶水驰刘欣荣杨春晖徐悟生徐玉恒陈刚
- 关键词：掺镁晶体生长发光效率钨酸铅
- 非晶态Se及掺杂Sb的Se薄膜晶化特性研究被引量：1
- 1998年
- 利用光学显微镜和Ｘ射线衍射技术，分析了非晶态Ｓｅ和掺杂Ｓｂ的Ｓｅ薄膜的晶化特性。Ｓｅ薄膜由于保存周期不同以及Ｓｂ掺杂到Ｓｅ中的Ｓｂ含量的多少都会影响Ｓｅ的晶化特性；在热处理下薄膜的晶化呈现各向异性的择优生长。分析了晶化过程中微裂纹的产生，晶界的产生和体积收缩。薄膜与衬底之间的热应力是产生微裂纹的主要因素。
- 叶水驰鲍海飞蓝慕杰
- 关键词：晶化微裂纹硒锑非晶态
- 气浮转台的载荷XOY平面上安装载荷的面心定位调整装置
- 本发明提供的是一种气浮转台的载荷XOY平面上安装载荷的面心定位调整装置。它包括支撑架、锥形体和载荷平面基板，锥形体安装在支撑架上，锥形体的锥体部分向上，载荷平面基板的几何中心与锥形体的中心重合。在载荷平面基板上安装模拟航...
- 曹喜滨张国威孙兆伟高岱杨勇叶水驰王峰
- 文献传递
- 外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究被引量：1
- 1999年
- 介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化与磁场的关系．实验结果表明，由于磁场对熔体中热对流的作用，尤其是横向磁场与流胞的相互作用，在一定程度上改变生长界面的形状。
- 蓝慕杰叶水驰鲍海飞于杰周士仁王培林
- 关键词：磁场晶体生长BRIDGMAN法碲镉汞晶体
- 两段式结构赝三元材料热电模块的研究
- 2004年
- 在实验研究单段式结构赝三元材料的热电模块基础上,利用现有半导体致冷器生产工艺,依据热电材料的温度特性和冷热端工作温度,采用不同电阻率的赝三元材料,设计制作了两段式结构的热电模块.研究表明,当冷、热端工作温差为80K时,其输出功率和发电效率均比单段式结构的热电模块提高80%左右.
- 张国威叶水驰李海军刘振茂
- 关键词：温差发电效率
- Sb/Se薄膜的晶化特性研究被引量：2
- 1998年
- 对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄膜退火前后的表面形貌，发现双层膜表面出现较多的裂纹。
- 鲍海飞叶水驰兰慕杰袁保红何代义周士仁王骐
- 关键词：硒锑半导体薄膜技术
- 具有非平衡变换功能的CMOS LNA设计
- 2008年
- 采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一个工作在2.4GHz上,具有非平衡变换功能的低噪声放大器。电路由两级构成,第一级主要实现高增益低噪声,第二级主要实现非平衡变换的功能。仿真结果显示噪声系数小于1dB,增益大于28.5dB,输入三截交调点为-10.27dBm,输出差分信号相位误差小于0.2°,增益差小于0.1。
- 胡柳林叶水驰
- 关键词：CMOS射频集成电路低噪声放大器
- 在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体被引量：3
- 2000年
- 在横向磁场中用 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．当安瓿绕生长轴匀速旋转时、晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征，也没有常规 Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长晶体的径向对称性尾部呈现圆锥状的凸起。
- 蓝慕杰叶水驰鲍海飞周士仁姚枚
- 关键词：HGCDTEBRIDGMAN法磁场晶体生长
- 外加横向磁场生长优质HgCdTe晶体
- 1997年
- 随着红外技术的发展及军事和民用红外探测器（陈列）应用领域的不断扩大，对红外基础材料的需求也日益增长。碲隔汞材料以其工作温度高，适用谱区范围宽而受到重视，并已经发展了多种晶体和薄膜的制备工艺技术。近年来，在从熔体中生长半导体材料时，为了抑制熔体中对流所引起的溶质或掺杂剂浓度的波动而采用了磁场中生长晶体技术。这种抑制作用起因于磁场所引起的洛仑兹力，它减小了那些与温度梯度或组分梯度有关的浮力所驱动的胞状对流的强度。在用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｒｉ法生长Ｓｉ及ＧａＡｓ晶体时，采用横向的或垂直的磁场成功地抑制了不稳定的热对流，从而获得了高质量的晶体。本文介绍了我们自行研制的磁场中Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长碲镉汞晶体。ＨｇＣｄＴｅ晶体的生长：用所研制的装置进行了碲镉汞晶体生长实验，实验条件与布里奇曼法相同，即用内径１２～１４ｍｍ的石英安瓶，按ｘ＝０．２装料１０～１２ｃｍ，以０．２５ｍｍ／ｈ的速度通过生长区。开管后，沿垂直于生长轴方向切片，分别用Ｘ荧光法和Ｘ能谱法测量其轴向和径向的组分分布，在不加磁场和分别施加２ｋＧｓ，３ｋＧｓ，及４ｋＧｓ，５ｋＧｓ的磁场条件下，先后生长了１０余只样品。利用自制的磁场Ｂｒｉｄｇｍａｎ法晶体生长装置?
- 叶水驰蓝慕杰鲍海飞于杰周士仁
- 关键词：碲镉汞晶体磁场晶体生长半导体
