刘建平
- 作品数：12 被引量：23H指数：3
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 5英寸AM-OLED控制电路的设计
- 刘建平
- 关键词：I2C总线
- AMOLED控制电路中的双节拍处理模式
- 2007年
- 提出了一种面对高分辨率的有源有机发光二极管(AMOLED)矩阵屏,减少向OLED屏写数据所用时间的方案。在协调数据的写入和读取方式上,提出了一种双节拍模式的控制驱动方法,即外设RAM设立双套模式,两套RAM交替对数据进行读写操作,并且采用两组驱动芯片分奇偶列同时向屏写数据。通过对所设计的控制电路进行仿真以及实测结果对照,表明该设计能节省写过程,为显示赢得了更多的时间,比预先的设计增长了31%,有利达到良好显示的效果。
- 杭力刘建平郝大收高国保李学东王中吴春亚孟志国熊绍珍
- 关键词：RAM
- 微晶硅TFT反常的不稳定行为
- 本文在一种有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅TFT内,测试其应力衰退特性时,观察到某种'自恢复'的衰退现象.即当栅和源漏同时施加偏压应力时,测试其源漏电流随时间的变化,则发现电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采...
- 吴春亚李娟赵淑云刘建平孟志国熊绍珍
- 关键词：薄膜晶体管稳定性分析微晶硅
- 文献传递
- 底栅微晶硅薄膜晶体管被引量：1
- 2006年
- 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.
- 李娟张晓丹刘建平赵淑云吴春亚孟志国张芳熊绍珍
- 关键词：微晶硅
- YAG激光晶化多晶硅初探
- 激光晶化是目前制备低温多晶硅(LTPS)的重要手段.本文报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的初步实验结果.其中主要针对不同驱物(如为PECVD法制备的非晶硅或微晶硅)以及对激光能量的利用等问题进行了分...
- 刘建平王海文李娟张德坤赵淑云吴春亚熊绍珍张丽珠
- 关键词：激光晶化多晶硅硅基薄膜半导体薄膜
- 文献传递
- AMOLED控制电路中内嵌I^2C控制核的研究与实现
- 2007年
- 介绍了12.7 cm彩色有源选址的有机发光显示(AMOLED)控制电路中I2C控制核的设计方法,并且将其嵌入到FPGA中,实现了对该控制电路中所用AL 251、SAA7111A和AD9882多制式解码芯片的控制;给出了该I2C控制核对上述芯片进行实时控制时的仿真图和示波器显示出的实测结果。
- 郝大收刘建平高国保李学东王中杭力吴春亚孟志国熊绍珍
- 关键词：I2C总线FPGA
- 化学源金属诱导多晶硅研究被引量：7
- 2006年
- 以硝酸镍溶液为化学源,对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜作晶化前驱物,都能予以不同程度的晶化.用VHF-PECVD方法获得的非晶硅膜作前驱物,易于去氢并更容易晶化.当化学源浓度不同时,晶化效果会存在一定差别,在一定的范围内,溶液浓度越高,晶化后形成的晶粒越大.退火气氛对晶化结果产生某些影响,可以发现,在N2气氛下退火,比在大气下有更好的晶化效果.最后对物理源与化学源作诱导金属的晶化结果进行了比较,结果表明,对诱导金属源而言,化学源显示出更为有效的晶化趋势.
- 赵淑云吴春亚李娟刘建平张晓丹张丽珠孟志国熊绍珍
- 关键词：金属诱导晶化多晶硅薄膜退火处理
- AMOLED控制电路中内嵌I2C控制核的研究与实现
- 本文主要介绍了五英寸彩色AMOLED控制电路中I2C控制核的实现方法,并且将其嵌入到FPGA中,实现对AL 251、SAA7111A和AD9882多制式解码芯片的控制;最后给出了I2C控制核的仿真和示波器的测试结果.
- 郝大收刘建平高国保李学东王中杭力吴春亚孟志国熊绍珍
- 关键词：I2C总线FPGA有机电致发光显示器
- 文献传递
- YAG激光晶化多晶硅被引量：7
- 2005年
- 报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果,其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜(如非晶硅和微晶硅)为晶化前驱物,以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究.实验发现,晶化需要基本的阈值能量流密度,而晶化硅基前驱物材料的结构,是决定此阈值的关键.延迟降温速率对激光晶化是一种较为有效的手段,并对所得的初步结果进行了讨论.
- 刘建平王海文李娟张德坤赵淑云吴春亚熊绍珍张丽珠
- 关键词：激光晶化微晶硅
- 玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路被引量：5
- 2005年
- 以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUCpoly-SiTFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品.
- 吴春亚孟志国李娟马海英赵淑云刘建平熊绍珍郭海成王文
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管显示驱动电路
