任孟德
- 作品数：25 被引量：40H指数：5
- 供职机构：中国有色桂林矿产地质研究院有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>
- 金属钛表面渗硼用渗硼剂及渗硼工艺
- 本发明公开了一种金属钛表面渗硼用渗硼剂及其制备方法。所述的渗硼剂按质量百分比由以下组分组成：Na<Sub>2</Sub>B<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>20～35％；H<Sub>3</Sub>BO<S...
- 王红强李庆余黄有国任孟德郑锋华赵欣
- 文献传递
- 水热法生长纯相磷酸铁锂单晶被引量：1
- 2014年
- 以碳包覆磷酸铁锂为前驱体,磷酸二氢锂为矿化剂,采用水热法制备出纯相磷酸铁锂体单晶,单晶宏观呈类六棱柱形态。晶体由三个主要生长面(010)、(101)、(100)构成。对单晶结构进行分析,获得晶胞结构为D162h,Pbnm空间群,其中a=1.03217 nm,b=0.60042 nm,c=0.46889 nm,α=β=γ=90°。LiFePO4晶体的拉曼图谱显示的三个强峰分别是949 cm-1,996 cm-1和1068 cm-1,可以作为区分磷酸铁的特征峰。
- 任孟德周海涛何小玲张昌龙
- 关键词：水热法
- 钛金属表面熔盐电解法制备TiB_2/TiB表面层被引量：5
- 2012年
- 运用渗硼技术改进金属钛及其合金的表面特性。以无水硼砂为主渗硼剂,无水碳酸钠为助熔剂和高温络合剂的渗剂体系,在电流密度为7.3 A/dm2,保温温度为900℃,通电时间为30 min的电解渗硼工艺下制备出复合硼化物表面层。通过热重与差热图谱确定几种硼砂-碳酸钠配比体系的初晶温度。对4种不同配比的渗硼剂试验得到的样品做XRD测试,分析了相结构。并对硼化物生长机理与结构进行了研究与分析。结果显示:质量比为8∶2的渗硼剂组成最优。纯硼砂电解的样品表面物相组成与二渗硼钛标准粉末的XRD完全吻合。钛金属表面主要生成TiB2与TiB;扫描电镜图像可知渗硼表面致密,TiB2与TiB分层较为明显;TiB厚度可达35μm,TiB2厚度为43μm。
- 黄有国任孟德季晶晶陈家荣李庆余王红强
- 关键词：渗硼钛金属电解TIB2
- 真空高温固相法合成磷酸铁锂
- 周妥记季晶晶覃晓捷张晓辉任孟德李庆余王红强
- 赫尔槽电沉积阴极电流密度与电势分布数值模拟计算被引量：7
- 2014年
- 采用ANSYS有限元软件模拟分析了赫尔槽阴极表面的电流密度和电势的分布,研究了沿赫尔槽阴极电势分布对电流密度分布的影响。结果表明,模拟计算的电流密度分布与理论电流密度分布基本一致;随离阳极的距离增大,赫尔槽的上梯形边电势先缓慢下降后急剧下降,下梯形边反之;阴极表面的电流密度呈近端高远端低的趋势;阴极电流密度分布与距离阴极10 mm平行面上的电势分布具有相关性。
- 秦建新陈超任孟德林峰王进保
- 关键词：电沉积电势分布电流密度数值模拟
- 超级电容器用Ti/TiO_2-MnO纳米管阵列电极的制备及电化学性能被引量：7
- 2013年
- 通过阳极氧化-浸渍-退火的方式获得Ti/TiO2-MnO复合电极。通过XRD测定样品的晶相结构, 通过SEM观察样品的显微形貌。结果表明, Ti/TiO2纳米管阵列孔径分布在60~95 nm, 纳米管长度在350~820 nm。常温下阳极氧化获得的TiO2为无定形结构, 500℃热处理后, TiO2变为锐钛矿（Anatase）。样品在MnSO4溶液中浸渍并500℃热处理后, 只有MnO相产生。组装扣式模拟超级电容器并测试其循环伏安曲线。CV曲线存在一对氧化还原峰, 对应H＋在纳米管中的嵌入/脱出过程。H＋在纳米管中传输过程为扩散控制。TiO2由无定形转变为Anatase晶形和在其中沉积MnO后, CV响应电流降低。
- 黄有国郑锋华任孟德李庆余王红强
- 关键词：阳极氧化TI电化学性能
- 水热法生长ZnO：Ga晶体过程及性能研究被引量：2
- 2016年
- 采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了ZnO:Ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速度工艺下晶体产生微孔的原因。在D工艺条件下(4MKOH+0.25M LiOH+1.25mlH_2O_2,360-340℃)获得了生长速度适宜、高质量的ZnO:Ga单晶,晶体最大尺寸达到32.36mm×27.46mm×5.52mm。Ga:ZnO晶体的生长习性为形成一个单锥六棱具有显露p锥面即(101-1)和负极面(0001-)的柱体,而柱显露m面(101-0)发生退化。测试ZnO:Ga晶体的双晶摇摆曲线显示晶体具有优良的结晶质量,其中+c[002]晶面的FWHM为11arc sec,而-c晶面的结晶质量略低于+c方向,FWHM为17arc sec。较之纯ZnO晶体,Ga:ZnO晶体在750nm处透过率曲线开始下降,其在大于750nm波长的可见及红外光区的特异吸收性能将具有广泛的应用前景。
- 张一骐王金亮任孟德雷威左艳彬
- 关键词：ZNO:GA水热法晶体
- 水热法生长钼酸锌晶体及谱学特征研究
- 2017年
- 采用水热法生长的浅黄色ZnMoO_4单晶体,通过X射线粉晶衍射分析,获得该单晶体的结晶物相。通过测试红外光谱和拉曼光谱,对该单晶体的谱学特征进行了系统表征。研究了晶体化学键的振动特性,进一步确定了ZnMoO_4晶体的晶胞结构,证实了水热法生长ZnMoO_4单晶体为具有黑钨矿型结构的β-ZnMoO_4。
- 温家慧任孟德雷威
- 关键词：水热法晶体生长晶体结构
- 水热法生长宽禁带氧化锌单晶研究进展
- 2015年
- 罗列了第三代半导体材料宽禁带氧化锌材料的发展历史与应用前景,总结了ZnO的结构性能、应用方向和制备方法,介绍了宽禁带氧化锌半导体晶体相对于氮化镓材料具有的显著优势:即具有更大的激子结合能(60meV),更低的激射阀值,有望实现室温下高效低阈值的紫外激光。氧化锌相比已获得巨大成功的氮化镓来说其原材料成本极低,环境友好,合成技术门槛低。目前氧化锌半导体材料的研究难点和热点还集中在p型掺杂材料和器件的研发方面。氧化锌优良的物理特性使其成为新一代主流宽带隙半导体材料,生长大尺寸高结晶质量的ZnO单晶对基础研究还是实际应用都有重要意义,文章还着重介绍了水热法合成氧化锌宽禁带半导体单晶的方法和技术优势,展示了我单位在水热法氧化锌单晶合成方面的最新研究进展。
- 王金亮任孟德左艳彬何小玲张昌龙
- 关键词：人工晶体氧化锌宽禁带水热法
- 渗硼用Na_2B_4O_7-Na_2CO_3熔盐热分析被引量：4
- 2011年
- 对渗硼用Na2B4O7-Na2CO3熔盐体系进行DTA和TG热分析。DTA分析表明,在Na2B4O7中添加Na2CO3并没有大幅降低Na2B4O7的初晶温度。TG分析表明,Na2B4O7中添加Na2CO3能促进Na2B4O7的分解,平均每添加10%Na2CO3体系质量损失4%。Na2B4O7-Na2CO3体系的温度升高过程分别对应固体Na2B4O7的分解、渗剂熔化以及B2O2的氧化过程。硼砂熔盐渗硼最佳温度为905℃。
- 黄有国任孟德李庆余王红强
- 关键词：熔盐渗硼热分析
