骆苏华
- 作品数：12 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划江苏省教育厅指导性计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 不同材料上共面波导线的损耗研究被引量：1
- 2006年
- 研究不同衬底材料上共面波导(CPW)线的损耗特性。实验结果表明,采用低阻SOI(20Ω·cm)作衬底制作的共面波导线的损耗比在低阻硅(20Ω·cm)上制作的有明显减少;而采用低阻硅,并沉积1μmSiO2作衬底的CPW线损耗大大降低。采用高阻SOI(1000Ω·cm)制备的CPW线在2GHz损耗仅为0.13dB/mm;通过在低阻硅上采用地屏蔽技术也可以有效地改善传输线的损耗特性,在整个频段内的损耗可与高阻SOI硅衬底上相比拟。
- 单伟国骆苏华杨中海李凌云孙晓玮
- 关键词：共面波导传输线绝缘体上硅
- 热处理工艺和热循环次数对Ti_(50)Ni_(40)Cu_(10) 合金相变规律的影响(英文)被引量：1
- 2003年
- 制备Ti50 Ni4 0 Cu1 0 合金 ,并采用示差扫描量热仪 (DSC)系统分析Ti50 Ni4 0 Cu1 0 合金在不同热处理条件下 ,马氏体相变规律与相变热循环间的关系。结果表明 ,马氏体相变潜热ΔHB2→B1 9和逆马氏体相变潜热ΔHB1 9→B2 随固溶温度的升高而明显降低 ,随退火温度的升高略微降低。相变热滞、逆马氏体相变温度在热循环初期迅速降低 ,当热循环次数超过 2次时则均保持不变。逆马氏体相变潜热 (ΔHB1 9→B2 和ΔHB1 9’→B1 9)随热循环次数 (n <4)的增加有所升高 ,特别是ΔHB1 9’→B1 9增加约 48%。而热循环次数对马氏体相变温度和潜热ΔHB2→B1
- 骆苏华李亚东
- 关键词：马氏体相变相变潜热
- 特种SOI材料、器件及SnO<sub>2</sub>纳米结构研究
- SOI大大降低了RF模拟电路和数字逻辑元件的串扰，可以很容易和无源器件相集成，高阻抗SOI和GPSOI衬底加强了这些优势，在CMOS射频集成电路中吸引了广泛注意。本论文在大量调研的基础上，详细研究了SIMOX HRSOI...
- 骆苏华
- 关键词：无源器件
- 特种SOI材料、器件及SnO<,2>纳米结构研究
- SOI大大降低了RF模拟电路和数字逻辑元件的串扰，可以很容易和无源器件相集成，高阻抗SOI和GPSOI衬底加强了这些优势，在CMOS射频集成电路中吸引了广泛注意。本论文在大量调研的基础上，详细研究了SIMOX HRSOI...
- 骆苏华
- 关键词：SOI材料SOI器件CMOS工艺
- 文献传递
- 脉冲激光沉积Ti_(50)Ni_(36)Cu_(14)薄膜的成分均匀性
- 2005年
- 采用脉冲激光沉积 (PLD)技术制备了Ti50 Ni36 Cu1 4合金薄膜。研究表明 ,PLD合金薄膜的成分与沉积距离(基片 靶间距 )、激光脉冲频率有较大关系。当沉积距离 (D)为 2 0～ 30mm时 ,可获得成分均匀稳定的合金薄膜 ;当其它条件相同 ,激光脉冲频率 (F)为 5Hz时 ,合金薄膜与靶成分更为接近。采用PLD技术制备的Ti50 Ni36 Cu1 4合金薄膜成分均匀性较好 ,同时与磁控溅射薄膜相比PLD薄膜的平均成分更加接近靶体。采用本工艺获得的Ti50 Ni36 Cu1 4薄膜的平均成分为 4 7.5 3at.%Ti、38.90at.%Ni和 13.5 7at.%Cu。
- 李亚东骆苏华高伟健
- 关键词：合金薄膜
- SOI在射频电路中的应用被引量：2
- 2005年
- 随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。
- 骆苏华刘卫丽张苗狄增峰王石冶宋志棠孙晓玮林成鲁
- 关键词：射频集成电路FD-SOICMOSSIMOX
- 高阻SOI在射频电路中的应用优势
- 本文主要概述了基片电阻率对集成电路性能的影响,采用高阻SOI大大提高了RF电路性能,为CMOS在GHz频域的应用提供了发展基础.
- 骆苏华刘卫丽张苗刘奇斌林成鲁
- 关键词：射频电路
- 文献传递
- SOI在射频电路中的应用
- 随着射频电路(RF)工作频率及集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容使它能将数字电路与模拟电...
- 骆苏华刘卫丽张苗孙晓玮林成鲁
- 关键词：射频集成电路串扰芯片集成
- 文献传递
- Ti_(50)Ni_(40)Cu_(10)合金的相变潜热及相变热滞被引量：3
- 2003年
- 本文采用示差扫描量热仪 (DSC)系统分析了Ti50 Ni40 Cu1 0 (at.%)合金的马氏体相变潜热 (ΔHB2→B1 9)和逆马氏体相变潜热 (ΔHB1 9→B2 )、相变热滞 (ΔT)与固溶温度、退火温度和相变热循环间的关系。结果表明 :相变潜热随着固溶化温度的升高而明显降低、随着退火温度的升高则略微降低。相变热滞、逆马氏体相变温度在热循环初期迅速降低 ,当热循环次数超过 2次时则均保持不变 ;逆马氏体相变潜热 (ΔHB1 9→B2 和ΔHB1 9′→B1 9)随着热循环次数 (n <4)的增加有所升高 ,特别是ΔHB1 9′→B1 9约增加 5 8%,而热循环次数对马氏体相变温度和潜热ΔHB2→B1 9则无明显影响。
- 骆苏华李亚东
- 关键词：相变潜热形状记忆合金
- 改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理被引量：1
- 2006年
- 对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.
- 张苗狄增峰刘卫丽骆苏华宋志棠朱剑豪林成鲁
- 关键词：扩散
