阎实
- 作品数:8 被引量:36H指数:4
- 供职机构:天津大学更多>>
- 发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电气工程一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 制备工艺影响多孔基底上沉积PPy导电薄膜性能的研究
- 导电聚吡咯(Polpyrrole,本文简称PPy)是导电聚合物中应用最广泛的一种,作为一种新型导电材料,具有电导率高、热稳定性好等优点.因此,如何制备具有优越性能的聚吡咯导电薄膜,很早就成为了众多科学家研究的内容.但是,...
- 阎实
- 关键词:聚吡咯自组装技术偶联剂正交实验法
- 文献传递
- 绝缘材料表面化学制备高电导率聚吡咯薄膜的方法
- 本发明涉及一种绝缘材料表面化学制备高电导率聚吡咯薄膜的方法,属于在绝缘材料表面制备高电导率聚吡咯薄膜的技术。该方法过程包括:先用硅烷偶联剂对绝缘材料进行表面改性,晾干后浸入配制好的吡咯单体溶液中,然后浸入加有掺杂剂的氧化...
- 胡明沈腊珍张之圣古美良田斌阎实
- 文献传递
- 铁电随机存储器的研究进展被引量:16
- 2003年
- 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题,并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。
- 吴淼胡明王兴阎实
- 关键词:铁电存储器铁电薄膜
- 表面活性剂对导电PPY固体铝电解电容器性能的影响被引量:6
- 2003年
- 研究了表面活性剂对以导电聚吡咯(PPY Polypyrrole)为阴极的固体铝电解电容器性能的影响.由于电容器的介质膜Al2O3表面状态对沉积其上的PPY薄膜电导率及电容器的电性能影响较大,因此,在对Al2O3介质膜的表面形貌、带电状态和润湿等表面状态进行研究分析的基础上,提出了一种在化学聚合PPY膜时在吡咯单体溶液中添加表面活性剂的新方法.实验结果表明,化学聚合时添加表面活性剂可以使PPY在凹凸不平Al2O3表面充分均匀成膜并且提高了电导率(例如,在比容同为4.3μF/cm2阳极铝箔上的Al2O3膜表面沉积PPY薄膜时,添加与不添加表面活性剂形成的PPY薄膜电导率分别为16.6S/cm和5.4S/cm),所制成的电容器损耗角正切值可降低至0.026,漏电流减小,漏电流常数k值达0.04μA/(μF·V),并具有优良的阻抗频率特性和温度特性.
- 阎实胡明时雨荃张之圣
- 关键词:固体铝电解电容器表面活性剂损耗角漏电流温度特性
- 硅烷自组装膜对制备于多孔性基底上导电聚吡咯薄膜性能的影响被引量:5
- 2006年
- 采用硅烷偶联剂对在多孔性绝缘Al2O3膜基底上形成的导电聚吡咯(polypyrrole,PPy)薄膜的形貌及导电性能进行了改善,并探讨了硅烷自组装膜与导电PPy薄膜的形成机理。用硅烷偶联剂对Al2O3膜表面进行改性后,形成了与基底牢固结合的硅烷自组装膜,然后通过化学聚合法在自组装膜上制备得到了均匀致密的PPy薄膜。结果表明:硅烷偶联剂有效地改善了PPy薄膜的均匀性及其与基底的附着性,电导率从5.4S/cm提高到了16.6S/cm。
- 沈腊珍胡明阎实刘志刚
- 关键词:硅烷偶联剂自组装膜多孔性
- 导电高分子固体铝电解电容器的研究被引量:12
- 2002年
- 研制了一种被称为导电高分子固体铝电解电容器的新型电子元件.由于用化学聚合方法在电容器介质膜Al2O3表面形成导电聚吡咯(Polypyrrole)膜,作为电容器的阴极而取代传统的工作电解液阴极,因此新型电容器具有可靠性高,高频低阻抗,易于片式化等优点.研制的电容器的性能指标为:额定工作电压DC 6.3~16 V, 电容量范围2.2~33 ?F,损耗角正切tg?≤0.06(120 Hz,+20℃),漏电流IL≤0.04 CV (或3 ?A取大值),并具有良好的温度特性和频率阻抗特性.
- 胡明阎实张之圣刘志刚张景阳
- 关键词:功能高分子固体铝电解电容器导电聚吡咯性能指标
- 绝缘基底上两步法聚合导电聚吡咯膜的研究
- 2005年
- 在绝缘性陶瓷基底上,运用先化学聚合、再以所得的聚吡咯(PPy)膜为电极进行电化学聚合的两步聚合法生成了电导率较高、活性高的PPy膜。SEM和电导率的测试结果表明电化学聚合过程中膜的厚度增加不明显,大部分电流基本上都用于化学聚合所得膜的修补和致密化,这可使膜的电导率提高10倍以上。FT-IR红外分析表明,所得的PPy膜并没有随聚合时间的延长而发生氧化,仍保持较高的化学活性。
- 田斌胡明阎实张之圣
- 关键词:绝缘电化学聚吡咯电导率红外光谱
- 绝缘材料表面化学制备高电导率聚吡咯薄膜的方法
- 本发明涉及一种绝缘材料表面化学制备高电导率聚吡咯薄膜的方法,属于在绝缘材料表面制备高电导率聚吡咯薄膜的技术。该方法过程包括:先用硅烷偶联剂对绝缘材料进行表面改性,晾干后浸入配制好的吡咯单体溶液中,然后浸入加有掺杂剂的氧化...
- 胡明沈腊珍张之圣古美良田斌阎实
- 文献传递