钟传杰
- 作品数：50 被引量：44H指数：3
- 供职机构：江南大学物联网工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技型中小企业技术创新基金四川省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型被引量：2
- 2007年
- 在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模型对HALO结构的物理特性和工艺设计有很好的指导意义.
- 许剑丁磊韩郑生钟传杰
- 关键词：阈值电压表面势全耗尽SOIHALO结构
- 简化DG OTFT结构对模拟精度的影响
- 2014年
- 使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的增加而加大,而模拟中常采用的简化结构由于忽略了电极位置对载流子注入面积及有源层内电势分布的影响,从而低估了实际器件的输出电流大小。
- 姚阳王昭钟传杰
- 关键词：电极
- 双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真被引量：2
- 2017年
- 采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。
- 彭云霞潘东钟传杰
- 关键词：态密度
- a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究
- 2018年
- 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响。结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关。在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20∶20时,该TFT的电学性能最优。阈值电压、亚阈值摆幅分别为-2.05 V、91 mV/decade,最大开关电流比为4.12×1014。双有源层a-IGZO/IZO TFT的场效应迁移率可达20.2cm2/V·s,优于单有源层a-IGZO TFT。
- 潘东向超殷波李勇男汤猛钟传杰
- 关键词：异质结态密度
- 溶液法制备IGZO/IZO薄膜的电学特性研究
- 2018年
- 基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电学特性。结果表明,在相同制作工艺下,IGZO单层薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移不明显,而双层IGZO/IZO薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移较大。退火温度在240℃~300℃范围内,电流的偏移量随温度升高而减小,回滞幅度也减小。薄膜的界面态对薄膜器件的I-V特性有较大影响,升高退火温度可改善IGZO/IZO双层薄膜界面特性。
- 殷波李勇男潘东汤猛向超钟传杰
- 关键词：溶液法退火IGZO界面态
- 双有源层a-IGZO/a-IZO界面态对薄膜晶体管电学特性影响的模拟研究
- 2019年
- 利用仿真软件Silvaco对双有源层非晶氧化物薄膜晶体管a-IGZO/a-IZO TFT进行模拟,研究了不同有源层厚度比下a-IGZO/a-IZO界面态对器件阈值电压与亚阈值摆幅的影响,分析了界面态密度的变化对器件阈值电压的影响。仿真结果表明:界面态的存在会使器件的阈值电压和亚阈值摆幅增大,界面导带尾态密度和界面价带尾态密度均为2×10^11 cm^-2/eV且a-IZO层厚度为5 nm时界面态对这两个参数的影响最大,变化幅度分别为1.02 V和0.11 V/dec,界面导带尾态密度和尾态特征斜率的增大都会造器件阈值电压的增大。
- 李俊杰向超彭小毛潘东钟传杰
- 关键词：界面态
- 基于FPGA的轮廓提取并行计算系统研究及实现
- 2015年
- 针对高质量的轮廓提取算法计算量大、实时性差的问题,提出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的图像轮廓并行计算系统。通过设计适合的硬件结构及相应的算法改进,采用了多种不同的并行方式加速算法的计算。实现了一种高质量的轮廓提取算法——Pb(Probability Boundary)算法的高速计算。实验结果表明,在FPGA工作频率200 MHz时,被处理图像分辨率为481×321时,该系统处理速度可达39帧/s,为将Pb算法应用于实际系统提供了条件。
- 邵兴龙柴志雷张圆蒲钟传杰
- 关键词：图像轮廓提取并行计算
- 新型半超结逆导IGBT的导通机理分析被引量：2
- 2019年
- 本文对半超结逆导IGBT这一新型结构的导通机理进行分析。通过SilvacoTCAD软件仿真验证,半超结RC-IGBT的耐压能力、正反向导通能力都明显优于传统RC-IGBT。详细分析了电荷不平衡效应对器件耐压能力的影响,并给出了N/P-柱掺杂浓度合理的取值范围。此外提出由于半超结RC-IGBT器件内寄生PNP三极管与传统RC-IGBT寄生三极管大不相同,电导调制效应主要发生在N/P-柱以下的漂移区内,也正是因为其特殊的导通机理使得半超结技术对解决负阻效应具有重要意义。
- 陆素先向超钟传杰
- 关键词：负阻效应击穿电压
- 150V IGBT工艺模型设计被引量：2
- 2009年
- 本文提出了一个建立150VIGBT器件工艺模型的设计方案。并在设定的电学参数条件下,选择了合适的掺杂浓度及厚度。利用模拟软件Tsuprem4和Medici对其阈值电压、击穿电压、开启时间和关断时间进行模拟,结果与设定的相关参数吻合得很好。
- 王倩钟传杰
- 关键词：IGBTMEDICI
- PF-CSTBT结构特性的优化设计被引量：1
- 2018年
- 针对PF-CSTBT结构中,CS层与P浮层对导通压降与击穿电压的影响有着矛盾关系这一问题,本文通过运用Silvaco TCAD软件的Athena及Atlas,保证CS层中离子注入的掺杂总量一定,采用高斯分布与线性和均匀分布,在击穿电压几乎不变的情况下,其导通压降分别下降15.3%与8%。针对CSTBT结构中,沟槽栅底部倒角处,电场分布集中,易击穿这一问题,本文亦从CS层的载流子浓度大小、P浮层的掺杂峰值浓度位置,P浮层PN结深等方面,降低导通压降,并提高击穿电压。仿真结果表明,在PF-CSTBT结构中,CS层高斯分布是最佳分布形式;增加CS层高斯分布峰值浓度可以有效降低导通压降;P浮层高斯掺杂浓度峰值位置的选择在11μm时,在导通压降不变的情况下,正向击穿电压提高3%。
- 蔡清华向超钟传杰
- 关键词：静态特性导通压降击穿电压高斯分布
