钟传杰
- 作品数：50 被引量：44H指数：3
- 供职机构：江南大学物联网工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技型中小企业技术创新基金四川省科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型被引量：2
- 2007年
- 在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂浓度,HALO区占沟道比例的条件下的阈值电压.模型结果与二维数值模拟软件MEDICI的模拟结果较好的吻合,该模型对HALO结构的物理特性和工艺设计有很好的指导意义.
- 许剑丁磊韩郑生钟传杰
- 关键词：阈值电压表面势全耗尽SOIHALO结构
- 简化DG OTFT结构对模拟精度的影响
- 2014年
- 使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的增加而加大,而模拟中常采用的简化结构由于忽略了电极位置对载流子注入面积及有源层内电势分布的影响,从而低估了实际器件的输出电流大小。
- 姚阳王昭钟传杰
- 关键词：电极
- 双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真被引量：2
- 2017年
- 采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1013,亚阈值摆幅为0.36V/dec。并在此厚度比的基础上,模拟了两层材料的隙态密度,并通过改变态密度模型中的相关参数,观察两层材料对器件的电学特性的影响情况。
- 彭云霞潘东钟传杰
- 关键词：态密度
- a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究
- 2018年
- 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响。结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关。在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20∶20时,该TFT的电学性能最优。阈值电压、亚阈值摆幅分别为-2.05 V、91 mV/decade,最大开关电流比为4.12×1014。双有源层a-IGZO/IZO TFT的场效应迁移率可达20.2cm2/V·s,优于单有源层a-IGZO TFT。
- 潘东向超殷波李勇男汤猛钟传杰
- 关键词：异质结态密度
- 溶液法制备IGZO/IZO薄膜的电学特性研究
- 2018年
- 基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电学特性。结果表明,在相同制作工艺下,IGZO单层薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移不明显,而双层IGZO/IZO薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移较大。退火温度在240℃~300℃范围内,电流的偏移量随温度升高而减小,回滞幅度也减小。薄膜的界面态对薄膜器件的I-V特性有较大影响,升高退火温度可改善IGZO/IZO双层薄膜界面特性。
- 殷波李勇男潘东汤猛向超钟传杰
- 关键词：溶液法退火IGZO界面态
- 一种用于音频的2-2级联结构Sigma-Delta调制器设计被引量：2
- 2017年
- 基于csmc0.35μm CMOS工艺,设计了一种用于音频设备的低功耗Sigma-Delta调制器,该调制器采用四阶噪声整形2-2级联结构实现,在获得高动态范围和高精度的同时更能够保证系统的稳定性。运算放大器采用两级全差分电路结构,仿真结果表明,运放的直流开环增益为90.9 dB,在3.3 V电源电压下,信号带宽为20 kHz,过采样率为64时,信噪比为101.45 dB,有效位数达到了16 bit,调制器功耗约为7.8 mW。
- 张婷钟传杰
- 关键词：音频运算放大器
- 一种计算超结区电荷平衡的简单方法被引量：1
- 2019年
- 在现代功率器件中,为了提高功率器件的击穿电压,降低导通电阻,超结结构得到广泛的应用。由于设计要求或是降低J-FET效应等原因,在功率器件的生产中,超结区中的P柱和N柱,并不能做到掺杂浓度和尺寸的完全相同。如果不对进行超结区中N柱和P柱的掺杂浓度进行修正,将会导致超结区中出现不平衡电荷,这些不平衡电荷将会严重影响超结的性能。本文提出一种对超结区内梯形PN柱掺杂浓度的修正方法,并对这种方法进行了仿真验证。
- 王森陆素先钟传杰向超
- 关键词：功率器件电荷平衡MOS管
- 基于FPGA的稠密光流计算系统
- 2016年
- 高质量的稠密光流算法计算复杂度很高,因此计算速度成为制约其在实际系统中应用的重要原因。针对这一问题,利用现场可编程门阵列(FPGA)的细粒度并行特性,实现了一种高质量的稠密光流算法CBG(CombinedBrightness-Gradient)的硬件加速器。实验结果表明,在FPGA工作频率200 MHz,计算全部像素对应的光流信息的情况下,该系统处理分辨率为316×252的图像序列的帧频可达40 frame/s。
- 马骏柴志雷王芝斌钟传杰
- 关键词：光流计算超松弛法并行计算实时性
- PMOS辐照检测传感器总剂量效应模型研究
- 2011年
- 根据PMOS辐照检测传感器在辐照时所产生的氧化层电荷(Qot)的两个不同模型,模拟计算了不同剂量条件下的亚阈值特性。结果表明,在满足一阶动力学方程下建立的Qot模型与实验结果较为吻合,并适用于更大范围的辐照剂量。此外,还讨论和计算了栅氧化层厚度、沟道掺杂浓度等参数对PMOS辐照检测传感器特性的影响。结果表明,栅氧化层厚度是影响阈值电压漂移量的主要因素。
- 陈春林钟传杰于宗光
- 关键词：PMOS总剂量效应阈值电压
- 双有源层a-IGZO/a-IZO界面态对薄膜晶体管电学特性影响的模拟研究
- 2019年
- 利用仿真软件Silvaco对双有源层非晶氧化物薄膜晶体管a-IGZO/a-IZO TFT进行模拟,研究了不同有源层厚度比下a-IGZO/a-IZO界面态对器件阈值电压与亚阈值摆幅的影响,分析了界面态密度的变化对器件阈值电压的影响。仿真结果表明:界面态的存在会使器件的阈值电压和亚阈值摆幅增大,界面导带尾态密度和界面价带尾态密度均为2×10^11 cm^-2/eV且a-IZO层厚度为5 nm时界面态对这两个参数的影响最大,变化幅度分别为1.02 V和0.11 V/dec,界面导带尾态密度和尾态特征斜率的增大都会造器件阈值电压的增大。
- 李俊杰向超彭小毛潘东钟传杰
- 关键词：界面态
