赵沛坤
- 作品数：8 被引量：5H指数：1
- 供职机构：云南师范大学更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划云南省应用基础研究计划面上项目更多>>
- 相关领域：理学经济管理动力工程及工程热物理更多>>
- 三种方法分析光伏发电上网电价被引量：1
- 2013年
- 与常规能源发电相比,目前光伏发电电价还不具备竞争优势,制定一个合理的上网电价是推动我国光伏产业健康发展的关键。上网电价取决于光伏电站的建设和运营成本,而影响光伏电站投资成本的因素很多,如太阳能辐射量、器件和设备价格、电站规模、项目融资方式、贷款利率、政府补贴额定等,很难制定出统一的上网电价。本文从具体实例出发,在云南某地拟建一个10MW的单晶硅并网光伏电站,将辐射量、设备价格、电站规模及财务参数等因素都具体化,从电站的建设到运行,考虑所有影响投资成本的因素来计算建设成本。然后利用财务分析中的净现值法、内涵报酬率法、项目回收期法三种方法分析计算相应的较为合理的光伏发电上网电价,比较三种方法得到的结果,讨论不同因素对电价的影响效果。
- 赵沛坤涂洁磊李烨付蕊肖祥江白红艳
- 关键词：光伏发电上网电价
- 应力补偿技术在InAs/GaAs量子点中的研究现状被引量：1
- 2013年
- 通过在多层量子点体系中引入应变补偿层,改变量子点系统的应力场分布,可以控制生长过程中量子点的大小均匀性和密度,最终获得高质量、高密度的多层量子点体系,应用到量子点光电器件中,可改善器件的电学和光学性能。介绍了应变补偿层在量子点体系中作用的原理,常用的应变补偿材料体系,以及目前国内外对应变补偿技术的研究状况,最后提出了现存的问题和今后的发展方向。
- 赵沛坤涂洁磊
- 关键词：INAS量子点太阳电池
- 光伏发电上网电价分析被引量：1
- 2012年
- 与常规能源发电相比,目前光伏发电电价还不具备竞争优势,制定一个合理的上网电价是推动我国光伏产业健康发展的关键。上网电价决定于光伏电站的建设和运营成本,而影响光伏电站投资成本的因素很多,如太阳能辐射量、器件和设备价格、电站规模、项目融资方式、贷款利率、政府补贴额定等,这样就很难制定出一个统一的上网电价。
- 赵沛坤涂洁磊
- 关键词：上网电价光伏发电光伏电站常规能源光伏产业
- 三结砷化镓叠层太阳电池中的宽带隙隧穿结研究被引量：1
- 2011年
- 隧穿结是影响三结砷化镓叠层太阳电池性能的关键因素。从隧穿结导致三结电池性能曲线异常的问题出发,数学模拟了GaInP2微结构有序性对宽带隙AlGaAs/GaInP2隧穿结的影响。由此设计了合理的隧穿结,使三结砷化镓叠层太阳电池的性能得到改善。
- 涂洁磊张玮赵恒利李烨付蕊赵沛坤
- 关键词：叠层太阳电池
- TiO_2/SiO_2双层减反射膜的制备及其性能研究被引量：2
- 2013年
- 采用真空电子束蒸发法制备TiO2/SiO2双层减反射膜,实现宽波段范围内的低反射率,以满足砷化镓三结太阳电池对入射光的需求。主要研究了基片温度、电子束流和充氧量对TiO2、SiO2单层膜性能(膜层厚度、折射率)的影响。研究过程中,按照三因素两水平的正交实验进行,用分光光度计对TiO2、SiO2薄膜样品的折射率进行测试。实验结果显示,两种氧化物介质膜的折射率均随基片温度和束流的升高而增加,随氧压的升高而降低,工艺参数对TiO2膜性能影响较大。
- 白红艳涂洁磊肖祥江付蕊赵沛坤李烨
- 关键词：TIO2SIO2减反射膜电子束蒸发
- GaInP应力补偿层在InAs/GaAs量子点中的初步应用
- 2014年
- 利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜（AFM）对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质量：（1）面密度最高可达7.5×1010 cm-2,而没有应变补偿层的样品的面密度仅为5.8×1010 cm-2;（2）缺陷岛密度可从不采用应变补偿时的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;（3）量子点的均匀性和尺寸也明显改善.此外,不同应变补偿层厚度比较实验结果显示,厚度过高或过低的应变补偿层都不能起到很好的补偿作用,取1～3 nm之间为佳;不同GaInP补偿层组分的比较实验结果表明,Ga组分为0.566的样品补偿效果比0.606的样品更好.
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- 关键词：INAS量子点厚度
- 三种方法分析光伏发电上网电价
- 规能源发电相比,目前光伏发电电价还不具备竞争优势,制定一个合理的上网电价是推动我国光伏产业健康发展的关键.上网电价决定于光伏电站的建设和运营成本,而影响光伏电站投资成本的因素很多,如太阳能辐射量、器件和设备价格、电站规模...
- 赵沛坤涂洁磊李烨付蕊肖祥江白红艳
- 关键词：光伏发电上网电价
- GaInP应力补偿层在InAs/GaAs量子点制备过程中的应用研究
- 应变补偿技术作为提高量子点生长质量的有效手段已越来越受到人们的重视，本文主要研究了GaInP应变补偿层在InAs/GaAs量子点体系中的应用，从理论和实验两个方面分析了应变补偿层对双层量子点的影响作用首先，从理论上分析了...
- 赵沛坤
- 关键词：INAS/GAAS量子点MOCVD温度
- 文献传递
