您的位置： 专家智库 > >

褚巍

作品数：21 被引量：43H指数：4
供职机构：哈尔滨工业大学机电工程学院更多>>
发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域：机械工程一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 13篇机械工程
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 13篇原子力显微镜
  • 7篇AFM
  • 6篇线宽
  • 5篇线边缘粗糙度
  • 5篇半导体
  • 3篇腈纶
  • 3篇微机电系统
  • 3篇机电系统
  • 3篇电系统
  • 2篇直方图
  • 2篇数据存储
  • 2篇图像
  • 2篇纳米
  • 2篇空间频率
  • 2篇机电一体化
  • 2篇计量学
  • 2篇不确定度
  • 1篇电路
  • 1篇多尺度
  • 1篇多尺度分析

机构

  • 21篇哈尔滨工业大...
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 21篇褚巍
  • 19篇赵学增
  • 8篇肖增文
  • 7篇李洪波
  • 4篇王凌
  • 4篇王伟杰
  • 4篇李宁
  • 2篇王岳宇
  • 2篇吴羡
  • 2篇代礼周
  • 1篇刘长运
  • 1篇黄文涛
  • 1篇周法权
  • 1篇王飞
  • 1篇陈芳
  • 1篇周瑞
  • 1篇高峰

传媒

  • 4篇纳米技术与精...
  • 3篇哈尔滨工业大...
  • 3篇机械工程学报
  • 2篇计量技术
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇计量学报
  • 1篇液压与气动
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇东北电力学院...
  • 1篇中国计量学院...

年份

  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 6篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2000
共 21 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一个基于直方图的纳米尺度线宽计算模型
2004年
用原子力显微镜 (AFM )来测量纳米线宽近几年发展迅速。针对AFM能对纳米线宽表面三维成像的特点 ,本文提出了一个直方图线宽计算模型 ,并通过实验数据同其他模型进行了比较。该线宽计算模型具有算法简单。
王凌赵学增褚巍肖增文王飞
关键词：直方图原子力显微镜AFM半导体
基于原子力显微镜的纳米尺度线宽测量技术的研究
本文针对目前AFM测量线宽中所存在的一些问题,进行了基于AFM的纳米尺度线宽测量技术的研究.研究了AFM的工作原理、成像过程、仪器结构和工作模式,并给出AFM测量线宽样本图像的几何解释.对AFM探针的膨胀作用、压电晶体的...
褚巍
关键词：线宽原子力显微镜不确定度
文献传递
基于子波分析的线边缘粗糙度表征参数研究
2006年
分析了现有线边缘粗糙度(L ine Edge Roughness,LER)表征参数的不足,针对二维LER的表征参数信息量缺失,提出了基于子波中面的LER参数表征.子波理论给LER的综合评定提供了恰当的工具.利用子波在空间和频率域内都具有的定位特性,可以在任意细节上分析信号特征,且构造的子波基准线不存在拟合误差,可以分析LER来源,改进刻线边缘加工工艺.给出了基于子波分析的几个LER评定参数,并分析了这些参数如何应用于工艺和元件电气性能的表征.
李洪波赵学增褚巍李宁
关键词：多分辨分析
基于计量学的线边缘粗糙度定义被引量：6
2007年
对目前线边缘粗糙度(Line edge roughness,LER)的研究进行了分类,区分线宽变化率、线的边缘粗糙度和侧墙(边缘)粗糙度的物理本质。重新给出一个LER定义,定义LER是由加工工艺和材料本身结构引起的刻线侧墙的表面形貌微观不规则程度,并分析给出定义的合理性。给出该定义和ITRS定义间的换算关系。结合刻线的加工过程主要发生在刻线的边缘表面,且该加工过程发生于深纳米尺度,给出一种基于原子尺度的LER计量模型,在该模型中分离了材料本质粗糙度。
赵学增李洪波褚巍肖增文李宁
关键词：线边缘粗糙度
使用AFM测量纳米尺度线宽的不确定度研究被引量：4
2005年
针对NanoscopeIII型原子力显微镜,进行了纳米尺度线宽测量的不确定度分析。提出一个线宽测量的误差校正步骤,确定并分析了影响测量结果不确定度的4方面因素。根据实验和测量过程,分析和计算得到被测样品的线宽值、不确定度分量以及合成不确定度。
褚巍赵学增王凌肖增文李洪波
关键词：计量学测量不确定度原子力显微镜
基于AFM的刻线边缘粗糙度幅值与空间频率的表征方法被引量：1
2008年
针对使用原子力显微镜测量纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度的参数表征问题进行了研究．在对线边缘粗糙度的定义与现有测量方法进行分析的基础上，采用图像处理技术分析硅刻线的原子力显微镜测量图像的线边缘粗糙度特征，提出了线边缘粗糙度的幅值与空间频率的表征方法．其中幅值参数能够在一定意义上反映刻线边缘形貌的均匀性，而采用小波多分辨分析与功率谱密度函数（PSD）频谱分析相结合的空间频率表征方法，则有效地分析了侧墙轮廓边缘复杂的空间信息．实际测量结果表明，样本线边缘粗糙度的主要能量集中在低频区域，其主导空间频率为～0．04nm^-1，在低频部分约500nm特征波长上有最大的线边缘粗糙度分布．
李宁赵学增褚巍李洪波
关键词：线边缘粗糙度原子力显微镜
半导体工业中临界尺寸线边缘粗糙度的测量被引量：5
2005年
详细论述了刻线边缘粗糙度问题的产生原因,线边缘粗糙度的定义以及目前采用的测量方法和分析方法,比较了线边缘粗糙度的测量工具,并讨论了测量线边缘粗糙度的技术障碍.
李洪波赵学增褚巍肖增文
关键词：纳米线边缘粗糙度原子力显微镜
一种基于图像处理的半导体刻线边缘粗糙度的确定方法被引量：4
2004年
随着半导体技术的不断发展 ,半导体刻线临界尺寸不断降低 ,线边缘粗糙度对元件性能的影响越来越大。本文综合运用图像处理中的直方图图像描述、阈值化描述以及Sobel算子提取半导体刻线的边缘 ,并根据边缘计算了粗糙度。最后给出了一个样本的实际测量结果并加以分析 。
李洪波赵学增肖增文褚巍王凌
关键词：阈值化图像处理图像描述SOBEL算子直方图半导体技术
纳米尺度线宽测量技术的研究被引量：3
2004年
纳米尺度线宽的测量在半导体集成电路制造业、数据存储工业以及微机电系统等领域广泛应用。随着制造技术的进步,线宽的临界尺寸也变得越来越小,目前已经缩小至100 nm左右。在这一尺度范围内,由于样本制造技术的限制和测量仪器的影响,很难得到精确的测量结果。针对目前纳米尺度线宽测量的研究状况,分析了这一领域的主要研究内容和面临的问题。
褚巍赵学增肖增文王凌
关键词：线宽半导体集成电路测量技术微机电系统制造业
腈纶叠丝装置的研制及运动参数的建模求解
该文按照机电一体化系统的设计思想,将机械装置与电子装置用相关软件有机结合,研制了一套新的叠丝设备.首先,对所要设计的叠丝装置要完成的功能进行了分析,为适应现场工作环境,提出了系统功能,并分别对机械执行部分和电气控制部分建...
褚巍
关键词：腈纶机电一体化数学建模
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0