董志华
- 作品数：15 被引量：13H指数：2
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 合成GaN粗晶体棒的研究被引量：2
- 2005年
- 利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。
- 董志华薛成山庄惠照王书运高海永田德恒吴玉新何建廷刘亦安
- 关键词：磁控溅射自组装反应
- Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜被引量：3
- 2004年
- 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga_2O_3薄膜,然后ZnO/Ga_2O_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜。XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用SEM和TEM观测了薄膜形貌,PL测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光致发光峰。
- 庄惠照高海永薛成山王书运董志华
- 关键词：氨化射频磁控溅射
- 硅基SiC中间层辅助法合成GaN薄膜和纳米线的研究
- 本文对硅基SiC中间层辅助法合成GaN薄膜和纳米线进行了研究。文章采用射频磁控溅射法沉积Ga2O3/SiC薄膜，然后利用薄膜样品的氨化反应获得GaN薄膜。SiC做为中间层，用磁控溅射法先于Ga2O3沉积到Si(111)衬...
- 董志华
- 关键词：半导体薄膜磁控溅射中间层纳米线
- 文献传递
- 竹叶状GaN纳米带的制备被引量：1
- 2004年
- 为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1000℃下常压通氨气进行氨化。在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带。XRD分析结果表明GaN纳米带为六方纤锌矿结构,利用SEM观测GaN纳米带具有竹叶状形貌,PL谱测量发现了位于370nm处和460nm处的室温光致发光峰。
- 高海永庄惠照薛成山王书运董志华何建廷
- 关键词：半导体材料氨化挥发
- 磁控溅射制作金红石——TiO_2被引量：2
- 2003年
- 用磁控溅射方法制备了粒径大小为20nm的金红石———TiO2,用X射线(XRD)和扫描电镜(SEM)观察表面形貌,局部表观致密,颗粒大小均匀。
- 郭兴龙于先进薛成山董志华高海永
- 关键词：磁控溅射金红石TIO2
- 氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜被引量：1
- 2004年
- 利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成GaN薄膜。XRD测量结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用SEM观测了其表面形貌,PL测量结果发现了位于351nm处的室温光致发光峰。
- 高海永庄惠照薛成山王书运董志华李忠
- 关键词：GAN薄膜射频磁控溅射氮化
- 氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管
- 2007年
- 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.
- 庄惠照高海永薛成山王书运何建廷董志华
- 关键词：射频磁控溅射氮化
- ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)被引量：2
- 2005年
- 通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的形貌。通过对测试结果的分析可知在Si衬底上由ZnO挥发辅助生长出六方纤锌矿GaN纳米结构晶体,并且ZnO/Ga2O3的氨化温度对形成GaN纳米材料具有明显的影响。
- 庄惠照高海永薛成山董志华
- 关键词：氨化挥发射频磁控溅射
- 以Ga2O3自组装反应合成单晶体GaN纳米线
- 通过氮化以射频磁控溅射法沉积在SiC中间层上的Ga2O3膜,令其发生自组装反应,来合成单晶体GaN纳米线。SiC中间层一方面能减小硅衬底与外延GaN的晶格失配及热失配,一方面对GaN纳米线沿某确定方向生长.发育成单晶结构...
- 薛成山董志华庄惠照王书运高海勇田德恒吴玉新刘亦安何建廷
- 关键词：氮化射频磁控溅射自组装
- 文献传递
- 热壁CVD法GaN微晶粒的制备
- 2003年
- 用热壁CVD法在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,用扫描电镜(SEM)观察发现在表面上有大量微晶粒,这些晶粒的直径在2-4μm之间。用扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射谱(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)、光致荧光谱(PL)对样品进行了结构、组分及发光特性分析。结果表明:这些微晶粒为GaN六方铅锌矿。
- 薛成山魏芹芹孙振翠曹文田董志华
- 关键词：氮化镓薄膜发光特性
